【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片封装，尤其涉及散热封装。
技术介绍
1、如图1所示，电机逆变器中igbt模块采用铜基板，铜基板上焊接dbc，igbt及二极管芯片焊接在dbc板上，芯片间、芯片与dbc板、芯片与端口间通过引线键合，且igbt芯片发射极在上、集电极在下，frd芯片阳极在上、阴极在下，引线从发射极和阳极打出，铜基板下面通过导热硅脂与散热器连接进行散热。模块封装采用引线键合方式，键合处发热严重，且带有碳化硅芯片的封装发热更甚，影响芯片性能。另外，受到与发射极连接的焊盘面积所限，只适用引线键合的连接方式。
2、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术公开了散热封装，以解决芯片发射级发热严重的问题。
2、本专利技术所采用的技术方案如下：
3、散热封装，包括：壳体；dbc板，设置在所述壳体背部，且所述dbc板焊接层露出于壳体内；芯片，设置在所述dbc板上，包括：至少一igbt芯片，上表面为集电极，下表面为发射极；至少一frd芯片，上表面为阴极，下表面为阳极；铜连接桥，具有至少两个；其中一个所述连接桥的第一端电性连接在igbt芯片的集电极和frd芯片的阴极上，另一个所述连接桥的第一端电性连接在dbc板上，两个所述连接桥的第二端均伸出壳体。
4、其进一步的技术方案为，所述壳体还包括：台阶孔，开设在所述壳体背部
5、其进一步的技术方案为，所述dbc板粘接在所述台阶孔的台阶上。
6、其进一步的技术方案为，所述壳体还包括：盖板，设置在所述壳体上。
7、其进一步的技术方案为，所述盖板还包括：针翅结构，设置在所述盖板背面。
8、其进一步的技术方案为，所述铜连接桥还包括：连接部，两端分别连接第一端和第二端。
9、其进一步的技术方案为，所述连接部向下延伸，所述第二端底部低于所述壳体底部。
10、本专利技术的有益效果如下：
11、(一)本专利技术的散热封装，首次开发出一种新型散热结构，在封装壳体底部开设台阶孔，将dbc板贴在台阶孔内，dbc板焊接层露出于壳体内，芯片反向设置，igbt芯片集电极在上、发射极在下，frd芯片阴极在上、阳极在下，采用铜连接桥引出igbt芯片的发射极和集电极、frd芯片的阴极，发热部位的散热面均匀，散热面积大且位于开阔空间，散热效果好。
12、(二)进一步的，封装壳体上采用针翅式盖板，进一步增加散热面积，提高散热效果。
13、(三)进一步的，连接部向下延伸，使第二端底部低于壳体底部，为dbc板留出散热空间，便于dbc板散热。
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1.散热封装，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的散热封装，其特征在于，所述壳体还包括：
3.根据权利要求2所述的散热封装，其特征在于：所述DBC板粘接在所述台阶孔的台阶上。
4.根据权利要求1所述的散热封装，其特征在于，所述壳体还包括：
5.根据权利要求4所述的散热封装，其特征在于，所述盖板还包括：
6.根据权利要求1所述的散热封装，其特征在于，所述连接桥还包括：
7.根据权利要求6所述的散热封装，其特征在于：所述连接部向下延伸，所述第二端底部低于所述壳体底部。
【技术特征摘要】
1.散热封装，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的散热封装，其特征在于，所述壳体还包括：
3.根据权利要求2所述的散热封装，其特征在于：所述dbc板粘接在所述台阶孔的台阶上。
4.根据权利要求1所述的散热封装，其特征在于，所述壳体...
【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，戴鑫宇，王素，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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