【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工，具体为一种良品率高的晶圆加工方法。
技术介绍
1、半导体集成电路的制造过程，大致上可分为晶圆制造、测试、切割、和封装等。晶圆(wafer)是用于制作硅半导体集成电路制作的晶片，形状通常为圆形。晶圆的尺寸例如为6英寸、8英寸或12英寸。在晶圆上形成由层叠绝缘膜和功能膜组成的功能层，采用功能层形成排列成阵列的多个管芯。然后，对晶圆的管芯作电性测试，将合格的管芯从晶圆切割成独立的管芯，再将合格的管芯进行包装与打线等封装过程。
2、在半导体器件的整个制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一，为了达到晶圆表面无污染物的目的，需要移除晶圆表面的污染物以避免制程前污染物重新残留于晶圆表面。因此，在晶圆制造过程中需要经过多次的表面清洗，以去除晶圆表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒等污染物。
3、但目前对半导体的清洗方式清洗不彻底，无法彻底去除晶圆表面的杂质，从而影响半导体器件的性能，导致产品良率降低。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种良品率高的晶圆加工方法，主要为解决现有的对半导体的清洗方式清洗不彻底，无法彻底去除晶圆表面的杂质，从而影响半导体器件的性能，导致产品良率降低。
3、(二)技术方案
4、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
5、一种良品率高的晶圆加工方法，包括以下步骤：
6、s1：晶圆加工，对硅料进行掏圆加工，
7、s2：预清洗，将s1中获得晶片在碱性清洗剂中浸泡5-10min，浸泡完成后，使用纯水对晶片的表面进行刷洗，最后使用将晶片放置在烘干机内烘干3-5min；
8、s3：二次清洗，将晶片放置在反应室内的转盘上，然后向反应室内持续通入清洁气体，并用化学溶液对晶片表面进行化学处理，在化学处理完成后，采用纯水对晶片表面上的化学溶液进行清洗，在纯水清洗完成后，将通入的清洁气体切换为第一预设温度的干燥气体，使干燥气体充满反应室，对晶片进行烘干，然后采用异丙醇置换晶片上的纯水，同时向反应室内持续通入第二预设温度的干燥气体，待异丙醇完全置换出纯水后，向反应室内持续通入第三预设温度的干燥气体，使异丙醇完全蒸发；
9、s4：涂覆，将磁性粒子涂覆在承载晶片的表面，并对涂覆在晶片表面磁性粒子的溶剂进行挥发；
10、s5：键合，将待加工的晶片与涂覆有磁性粒子的承载晶片进行对准后，将待加工的晶片使用键合机键合在涂覆有磁性粒子的承载晶片上，键合完成后对晶圆进行加热，消除翘曲；
11、s6：研磨，对s5中的消除翘曲后的晶圆背面的待研磨区域进行研磨后，对晶圆进行加工，得到成品晶圆，随后将激光照射在成品晶圆上，使得成品晶圆从承载晶圆上剥离，得到晶圆。
12、进一步的，所述掏圆加工的步骤为：将硅料固定在切割机座的承载端面上，切割硅料以获得圆柱形物料。
13、在前述方案的基础上，所述铣磨加工的步骤为：将圆柱形物料置于上研磨盘和下研磨盘之间，使上研磨盘和下研磨盘分别绕晶片的轴线差速旋转，对圆柱形物料进行铣磨。
14、作为本专利技术在进一步的方案，所述上研磨盘的转速为5-8rpm，所述下研磨盘的转速为8-10rpm。
15、进一步的，所述第一预设温度大于20℃，所述第二预设温度大于第一预设温度，所述第预设温度小于80℃，所述第二预设温度小于第三预设温度。
16、在前述方案的基础上，所述干燥气体的湿度小于0.2g/m3，所述化学溶液为h2so4。
17、作为本专利技术在进一步的方案，所述对晶圆进行加工工的过程包括：减薄、蚀刻、图案化或者金属化中的一种或几种。
18、进一步的，所述激光照射时激光的波长为500-700nm。
19、(三)有益效果
20、与现有技术相比，本专利技术提供了一种良品率高的晶圆加工方法，具备以下有益效果：
21、1、本专利技术中通过对晶片进行二次清洗，从而可以对晶片进行彻底的清洗，彻底去除晶圆表面的杂质，提高了半导体器件的性能，同时提高了产品的良品率。
22、2、本专利技术通过设置较高的预设温度，可降低异丙醇的表面张力，进一步避免晶圆上图案倒塌，此外，向反应室内持续通入第三预设温度的干燥气体，有助于晶圆在干燥完成后保持一定温度，避免水汽在晶圆表面冷凝的现象，进一步提高了晶圆加工后的产品良率。
23、3、本专利技术采用通过铣磨加工提高圆柱形物料端面的平整度，以及保证圆柱形物料端面与圆柱形物料轴线的垂直度，从而降低绕圆柱形物料的轴线进行改圆加工过程中物料产生破裂的几率，进而提高良品率。
24、4、本专利技术采用激光工艺在晶圆上以最小力控制载体从承载晶圆上剥离，采用本专利技术的晶圆加工工艺，可以大大减少激光分离的时间，节省生产成本的同时提高生产效率。
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1.一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述掏圆加工的步骤为：将硅料固定在切割机座的承载端面上，切割硅料以获得圆柱形物料。
3.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述铣磨加工的步骤为：将圆柱形物料置于上研磨盘和下研磨盘之间，使上研磨盘和下研磨盘分别绕晶片的轴线差速旋转，对圆柱形物料进行铣磨。
4.根据权利要求3所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述上研磨盘的转速为5-8rpm，所述下研磨盘的转速为8-10rpm。
5.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述第一预设温度大于20℃，所述第二预设温度大于第一预设温度，所述第预设温度小于80℃，所述第二预设温度小于第三预设温度。
6.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述干燥气体的湿度小于0.2g/m3，所述化学溶液为H2SO4。
7.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述激光照射时激光的波长为500-700nm。
...【技术特征摘要】
1.一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述掏圆加工的步骤为：将硅料固定在切割机座的承载端面上，切割硅料以获得圆柱形物料。
3.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述铣磨加工的步骤为：将圆柱形物料置于上研磨盘和下研磨盘之间，使上研磨盘和下研磨盘分别绕晶片的轴线差速旋转，对圆柱形物料进行铣磨。
4.根据权利要求3所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述上研磨盘的转速为5-8rpm，所述下研磨盘的转速为8-10rpm。
5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢慧青，
申请(专利权)人：南京宽能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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