【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工，具体为一种良品率高的晶圆加工方法。
技术介绍
1、半导体集成电路的制造过程，大致上可分为晶圆制造、测试、切割、和封装等。晶圆(wafer)是用于制作硅半导体集成电路制作的晶片，形状通常为圆形。晶圆的尺寸例如为6英寸、8英寸或12英寸。在晶圆上形成由层叠绝缘膜和功能膜组成的功能层，采用功能层形成排列成阵列的多个管芯。然后，对晶圆的管芯作电性测试，将合格的管芯从晶圆切割成独立的管芯，再将合格的管芯进行包装与打线等封装过程。
2、在半导体器件的整个制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一，为了达到晶圆表面无污染物的目的，需要移除晶圆表面的污染物以避免制程前污染物重新残留于晶圆表面。因此，在晶圆制造过程中需要经过多次的表面清洗，以去除晶圆表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒等污染物。
3、但目前对半导体的清洗方式清洗不彻底，无法彻底去除晶圆表面的杂质，从而影响半导体器件的性能，导致产品良率降低。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
...【技术保护点】
1.一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述掏圆加工的步骤为：将硅料固定在切割机座的承载端面上，切割硅料以获得圆柱形物料。
3.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述铣磨加工的步骤为：将圆柱形物料置于上研磨盘和下研磨盘之间，使上研磨盘和下研磨盘分别绕晶片的轴线差速旋转，对圆柱形物料进行铣磨。
4.根据权利要求3所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述上研磨盘的转速为5-8rpm，所述下研磨盘的转速为8-10rpm。
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述掏圆加工的步骤为：将硅料固定在切割机座的承载端面上，切割硅料以获得圆柱形物料。
3.根据权利要求1所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述铣磨加工的步骤为：将圆柱形物料置于上研磨盘和下研磨盘之间，使上研磨盘和下研磨盘分别绕晶片的轴线差速旋转，对圆柱形物料进行铣磨。
4.根据权利要求3所述的一种良品率高的晶圆加工方法，其特征在于，所述上研磨盘的转速为5-8rpm，所述下研磨盘的转速为8-10rpm。
5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢慧青，
申请(专利权)人：南京宽能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。