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本发明涉及晶圆加工技术领域，且公开了一种良品率高的晶圆加工方法，包括以下步骤：S1：晶圆加工，对硅料进行掏圆加工，获得圆柱形硅料，对圆柱形硅料的端面进行铣磨加工，使圆柱形硅料的端面平整，然后以圆柱形物料的端面为定位基准面，绕圆柱形物料的轴线...
该专利属于南京宽能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京宽能半导体有限公司授权不得商用。

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