【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆对准,具体为一种晶圆对准校验检测方法。
技术介绍
1、圆整体键合在半导体芯片生产中发挥日益重要的作用。晶圆键合技术可将两片同质或异质晶圆在外力作用下使其分子成键从而结合成一个整体,对晶圆键合技术而言,晶圆键合对准精度是一项重要表征参数。随着芯片技术的发展,芯片的集成度越来越高,对于晶圆键合对准精度的要求也逐渐提高。在晶圆键合完成后,也有必要对两个晶圆的键合对准精度进行检测。
2、然而,在晶圆键合过程中,两片晶圆的互连需要精确对准,若出现对准的偏移,会导致键合后器件连接的偏移,进而影响产品的良率及性能。因此,生产过程中,需要对两片晶圆进行对准检测,而目前晶圆键合的对准和定位操作大多是需要人工来完成,耗费大量的人力和时间成本,导致对准检测的效率和准确性都较低。
技术实现思路
1、(一)解决的技术问题
2、针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种晶圆对准校验检测方法,主要为解决现有的晶圆键合的对准和定位操作大多是需要人工来完成,耗费大量的人力和时间成本,
...【技术保护点】
1.一种晶圆对准校验检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种晶圆对准校验检测方法,其特征在于,所述定位标记为晶圆上刻蚀形成对准标记图形一致的凹槽后,在所述凹槽内填充介质层而形成。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆对准校验检测方法,其特征在于,所述检测光照射晶圆的方向与晶圆表面成90°。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆对准校验检测方法,其特征在于,所述第一晶圆的边缘图像组中包括不含缺口的第一晶圆边缘图像和含缺口的第一晶圆边缘图像,第二晶圆的边缘图像组中包括不含缺口的第二晶圆边缘图像和含缺口的第二晶圆边缘图像
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【技术特征摘要】
1.一种晶圆对准校验检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种晶圆对准校验检测方法,其特征在于,所述定位标记为晶圆上刻蚀形成对准标记图形一致的凹槽后,在所述凹槽内填充介质层而形成。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆对准校验检测方法,其特征在于,所述检测光照射晶圆的方向与晶圆表面成90°。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆对准校验检测方法,其特征在于,所述第一晶圆的边缘图像组中包括不含缺口的第一晶圆边缘图像和含缺口的第一晶圆边缘图像,第二晶圆的边缘图像组中包括不含缺口的第二晶圆边缘图像...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢慧青,
申请(专利权)人:南京宽能半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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