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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体模块、半导体装置以及车辆。
技术介绍
1、半导体模块具有设置有igbt(insulated gate bipolar transistor:绝缘栅双极晶体管)、功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)、fwd(free wheeling diode:续流二极管)等半导体元件的基板,被利用于逆变器装置等。
2、例如在专利文献1-3中,在这种半导体模块中,在绝缘基板(也可以称为层叠基板)之上配置有半导体元件,并在半导体元件的上表面电极配置有布线用的金属布线板(也可以称为端子连接部、引线框架、或外部电极)。金属布线板例如是对金属板进行压力加工来形成为规定的形状而成的。金属布线板的一端经由焊料等接合构件来与上表面电极电接合。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:日本特开2017-079228号公报
6、专利文献2:日本特开2001-127100号公报
7、专利文献3:国际公开第2016/067414号
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、另外,在这种半导体模块中,功率半导体元件伴随开关动作而发热。在如上述那样在功率半导体元件的表面焊料接合金属布线板的构造中,存在以下担忧:由于伴随温度变化而产生的内部应力的变动,在接合部分产生应变。伴随那样的热循环,有可能在介
3、本专利技术是鉴于上述点而完成的,目的之一在于提供一种能够抑制金属布线板的剥离的半导体模块、半导体装置以及车辆。
4、用于解决问题的方案
5、本专利技术的一个方式的半导体模块具备:层叠基板,在所述层叠基板的绝缘板的上表面配置有第一电路板;半导体元件,其配置于所述第一电路板的上表面;金属布线板,其包括经由接合构件来与所述半导体元件的上表面接合的第一接合部;以及密封树脂,其将所述层叠基板、所述半导体元件以及所述金属布线板密封,其中,所述第一接合部包括具有上表面和下表面的板状部分,所述金属布线板具有:第一立起部,其从所述第一接合部的一端向上方立起;以及第二立起部,其从所述第一接合部的另一端向上方立起,所述第一立起部构成流通主电流的布线路径的一部分,所述第二立起部构成不流通所述主电流的非布线路径。
6、专利技术的效果
7、根据本专利技术,能够抑制金属布线板的剥离。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体模块,具备:
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
4.根据权利要求3所述的半导体模块,其中,
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体模块,其中,
8.根据权利要求7所述的半导体模块,其中,
9.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
10.根据权利要求9所述的半导体模块,其中,
11.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
12.根据权利要求11所述的半导体模块,其中,
13.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
14.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
15.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
16.根据权利要求9所述的半导体模块,其中,
17.一种半导体装置,具备:
18.一种车辆,具备根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块、或者根据权利要求17所述的半导体装置。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体模块,具备:
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
4.根据权利要求3所述的半导体模块,其中,
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体模块,其中,
8.根据权利要求7所述的半导体模块,其中,
9.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
10.根据权利要求9所述的半导体模...
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