【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体模块、半导体装置以及车辆。
技术介绍
1、半导体模块具有设置有igbt(insulated gate bipolar transistor:绝缘栅双极晶体管)、功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)、fwd(free wheeling diode:续流二极管)等半导体元件的基板,被利用于逆变器装置等。
2、例如在专利文献1-3中,在这种半导体模块中,在绝缘基板(也可以称为层叠基板)之上配置有半导体元件,并在半导体元件的上表面电极配置有布线用的金属布线板(也可以称为端子连接部、引线框架、或外部电极)。金属布线板例如是对金属板进行压力加工来形成为规定的形状而成的。金属布线板的一端经由焊料等接合构件来与上表面电极电接合。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:日本特开2017-079228号公报
6、专利文献2:日本特开2001-127100
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【技术保护点】
1.一种半导体模块,具备:
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
4.根据权利要求3所述的半导体模块,其中,
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体模块,其中,
8.根据权利要求7所述的半导体模块,其中,
9.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
10.根据权利要求9所述的半导
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体模块,具备:
2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,
4.根据权利要求3所述的半导体模块,其中,
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
6.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体模块,其中,
8.根据权利要求7所述的半导体模块,其中,
9.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体模块,其中,
10.根据权利要求9所述的半导体模...
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