芯片贴装方法、结构及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种芯片贴装方法、结构及系统，属于半导体器件技术领域，用于解决碳基异质衬底贴装难度大，成本较高的问题。本发明专利技术的芯片贴装方法包括：在衬底的背面上形成第一金属镀层；在第一金属镀层和/或基板表面上印刷纳米铜膏；通过纳米铜膏将衬底的背面与基板表面贴合在一起；将衬底和基板放置于气氛热压炉中低温固态烧结，使纳米铜膏形成铜烧结层，以实现衬底与基板的固定连接。本发明专利技术的芯片贴装方法能够通过低温低压工艺获得承受大功率器件工作环境的芯片贴装结构，且导热导电率高、热稳定性优异、可靠性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体器件，具体涉及一种芯片贴装方法、结构及系统。

技术介绍

1、超宽禁带半导体已应用在微波毫米波器件、高效电力电子器件等领域，采用碳基异质衬底(金刚石衬底、碳化硅衬底等)能够满足超宽禁带半导体的高通量散热需求，但为碳基异质衬底提供散热支撑并在高温环境下保持稳定的芯片贴装结构也同样重要。然而，适配硅基器件的传统贴装结构(如合金焊料、瞬时液态连接等)难以在上述服役场景中保证器件的稳定运行，且具有成本较高以及不耐电迁移的问题。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

2、第一方面，提供了一种芯片贴装方法，方法包括：

3、在衬底的背面上形成第一金属镀层；

4、在第一金属镀层和/或基板表面上印刷纳米铜膏；

5、通过纳米铜膏将衬底的背面与基板表面贴合在一起；

6、将衬底和基板放置于气氛热压炉中低温固态烧结，使纳米铜膏形成铜烧结层，以实现衬底与基板的固定连接。

7、可选地，将衬底和基板放置于气氛本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片贴装方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求2所述的芯片贴装方法，其特征在于，所述将所述衬底和所述基板放置于气氛热压炉中低温固态烧结，使所述纳米铜膏形成铜烧结层，以实现所述衬底与所述基板的固定连接，包括：

3.根据权利要求2所述的芯片贴装方法，其特征在于，所述制备含催化甲酸蒸汽的惰性气体，包括：

4.根据权利要求4所述的芯片贴装方法，其特征在于，所述将所述气氛热压炉抽真空，并将所述含催化甲酸蒸汽的惰性气体导入所述气氛热压炉中，以将所述固态烧结结构中的铜氧化物还原为铜，形成所述铜烧结层，包括：

5.根据权利要求1所述的芯...

【技术特征摘要】

1.一种芯片贴装方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求2所述的芯片贴装方法，其特征在于，所述将所述衬底和所述基板放置于气氛热压炉中低温固态烧结，使所述纳米铜膏形成铜烧结层，以实现所述衬底与所述基板的固定连接，包括：

3.根据权利要求2所述的芯片贴装方法，其特征在于，所述制备含催化甲酸蒸汽的惰性气体，包括：

4.根据权利要求4所述的芯片贴装方法，其特征在于，所述将所述气氛热压炉抽真空，并将所述含催化甲酸蒸汽的惰性气体导入所述气氛热压炉中，以将所述固态烧结结构中的铜氧化物还原为铜，形成所述铜烧结...

【专利技术属性】
技术研发人员：高润华，王鑫华，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：