【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子
，具体涉及一种碳纳米管网络结构存储器及制备方 法。
技术介绍
存储器在半导体世界中占有重要地位，在全世界半导体市场中存储器占据了 40% 的份额，并且存储器的更新换代速度非常快，存储器以外的其他半导体产品每2年更新一 代，而存储器则是每18个月一代。随着人们对器件速度和尺寸要求的不断提高，集成电路 尺寸不断减小，集成度不断提高，现在已经可以实现22nm工艺在指甲盖大小的面积上集成 29亿个晶体管，而随着集成电路尺寸的减小，量子效应将越来越明显，导致宏观概念的实 效，基于传统宏观概念的器件将不能正常工作。存储器的发展同样面对着器件进一步减小 所带来的困难，以动态存储器(DRAM)为例，存储单元的电容不能太小，如果这个电容小到 不能提供足够多的电子给放大器，那么整个存储器将被噪声所淹没，将不能保证信息存储 的可靠性；同时，当每个存储单元的电子数目因集成度的提高变得越来越小时，存储器中的 MOS场效应晶体管逐渐变得不稳定。传统半导体存储器的种种限制，使得纳米材料和纳米加工技术的研究发展越来越 受关注，而碳纳米管以其特有的电学特性成为了下一代...
【技术保护点】
一种碳纳米管网络结构存储器，其特征在于：存储器以硅为衬底，在衬底表面是氧化形成的二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上淀积有源极和漏极两个电极；所述两个电两个电极之间具有间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀有一窗口，窗口的长度为两电极间距，在该窗口中淀积有一层碳纳米管形成的碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，瞿敏妮，仇志军，吴东平，张世理，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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