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本发明属于微电子技术领域，具体为一种碳纳米管网络结构存储器及制备方法。该存储器包括：以硅为衬底，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个电极，两个电极具有一定的间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀一定长宽的窗口，窗口的长度...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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