半导体设备的漏源定位方法及系统技术方案

技术编号：40072455 阅读：9 留言：0更新日期：2024-01-17 00:23

本公开提供一种半导体设备的漏源定位方法及系统，涉及半导体设备技术领域，其中，半导体设备的漏源定位方法，用于对半导体设备的腔室的泄漏源进行定位，漏源定位方法包括：在监测点周围设置测试流体，监测点位于腔室的外表面，监测点与腔室连通；检测腔室内测试流体的流体量；判断测试流体的流体量是否超过预设范围，确定超过预设范围的监测点为泄漏源。本公开的半导体设备的漏源定位方法，有利于预防和及时发现腔室是否有异常泄漏情况，并及时确定泄漏源的所在位置，缩短维修时间，有效地节约人力成本及半导体设备的利用率，从而达到半导体设备产能的最大化。

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【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体设备，尤其涉及一种半导体设备的漏源定位方法及系统。

技术介绍

1、在晶圆(wafer)加工过程中，一些工艺的实施需要在真空条件下进行，需要保持工艺腔室处于真空状态。例如在退火工艺中，需要保持退火腔室处于真空状态，对于高密度等离子体化学气相淀积机台，对于反应腔室的密封性能有较高的要求。但是腔室上分布有一些连通腔室内外的部件，长期使用可能出现老化、松动等情况，导致腔室密封性下降并发生微漏，甚至大漏，如果腔室发生泄漏，会导致腔室执行的工艺不能达到预期效果。然而，传统的测漏仅仅是在预防保养时进行测漏，由于其周期一般为每生产6000～7000片一次，因此，这种测漏方式存在反映不及时的缺点，导致在生产晶圆时存在极大的风险，并且腔室发生泄漏无法快速找出漏源，维修时间偏长。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种半导体设备的漏源定位方法及系统。

3、本公开的第一方面提供一种半导体设备的漏源定位方法，用于对所述半导体设备的腔室的泄漏源进行定位，所述漏源定位方法包括：

4、在监测点周围设置测试流体，所述监测点位于所述腔室的外表面，所述监测点与所述腔室连通；

5、检测所述腔室内所述测试流体的流体量；

6、判断所述测试流体的流体量是否超过预设范围，确定超过预设范围的所述监测点为泄漏源。

7、其中，所述腔室有多个监测点；所述漏源定位方法还包括：</p>

8、逐个检测多个所述监测点，并基于每个所述监测点所得到的所述流体量在多个所述监测点中确定泄漏源。

9、其中，逐个检测多个所述监测点，包括：

10、多个所述监测点依据所述监测点的使用频率确定多个所述监测点的检测顺序；

11、依据所述检测顺序依次在一个监测点周围设置所述测试流体。

12、其中，检测所述腔室内测试流体的流体量，包括：

13、所述腔室上设置有流体出口，通过检测所述流体出口处所述测试流体的压力流速值，将所述压力流速值确定为所述测试流体的流体量。

14、其中，获取所述监测点的所述测试流体的流体量后，在向下一个监测点设置所述测试流体之前，所述半导体设备的漏源定位方法还包括：

15、排空所述腔室内的所有流体。

16、其中，所述预设范围为10-12pa.m3/s～10-10pa.m3/s。

17、其中，多个所述监测点至少包括：

18、光谱分析仪外接口、等离子体能量检测仪接口、分子泵外接口、静电卡盘安装处、腔室互连外接口。

19、其中，所述测试流体为氦气或氮气。

20、本公开的第二方面提供了一种半导体设备的漏源定位系统，所述漏源定位系统包括：

21、测试流体传输装置，用于在监测点周围设置测试流体，其中，所述监测点位于所述腔室的外表面，所述监测点与所述腔室连通；

22、检测装置，与所述腔室连接，用于检测所述腔室内所述测试流体的流体量；

23、控制装置，分别与所述测试流体传输装置、所述检测装置电连接，所述控制装置用于判断所述测试流体的流体量是否超过预设范围，确定超过预设范围的所述监测点为泄漏源。

24、其中，所述腔室有多个监测点，所述测试流体传输装置包括多个传输支路通道，每个所述传输支路通道与流体提供装置连通，多个所述传输支路通道与多个监测点对应设置。

25、其中，每个所述传输支路通道设有多个出气口，所述出气口环形设置在以所述监测点的中心为圆心的圆周上。

26、其中，所述检测装置包括：

27、流体检测装置，设置在所述腔室的流体出口处，与所述控制装置电连接，用于检测所述测试流体的流速。

28、其中，所述漏源定位系统还包括：

29、排空阀，设置在所述腔室上，与所述控制装置电连接，用于排空所述腔室内的所有流体。

30、其中，所述漏源定位系统还包括：

31、监测装置，与所述控制装置电连接，用于监测所述腔室状态。

32、其中，所述漏源定位系统还包括：显示装置，与所述控制装置电连接，用于记录每次所述漏源定位方法中每个监测点所得到的流体量，将每个监测点所得到的流体量动态显示在所述腔室的立体模型上。

33、本公开实施例所提供的一种半导体设备的漏源定位方法及系统中，对半导体设备的腔室的泄漏源进行定位，通过对腔室的泄漏部位即监测点的周围形成稳定的检测环境，以对监测点形成持续性监测，有利于预防和及时发现腔室是否有异常泄漏情况，并及时确定泄漏源的所在位置，缩短维修时间，有效地节约人力成本及半导体设备的利用率，保证腔室的正常运转，提高晶圆的工艺质量，从而达到半导体设备产能的最大化。

34、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

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【技术保护点】

1.一种半导体设备的漏源定位方法，其特征在于，用于对所述半导体设备的腔室的泄漏源进行定位，所述漏源定位方法包括：

2.根据权利要求1所述的半导体设备的漏源定位方法，其特征在于，所述腔室有多个监测点；所述漏源定位方法还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体设备的漏源定位方法，其特征在于，逐个检测多个所述监测点，包括：

4.根据权利要求1所述的半导体设备的漏源定位方法，其特征在于，检测所述腔室内测试流体的流体量，包括：

5.根据权利要求3所述的半导体设备的漏源定位方法，其特征在于，获取所述监测点的所述测试流体的流体量后，在向下一个监测点设置所述测试流体之前，所述半导体设备的漏源定位方法还包括：

6.根据权利要求1所述的半导体设备的漏源定位方法，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的半导体设备的漏源定位方法，其特征在于，多个所述监测点至少包括：

8.根据权利要求1所述的半导体设备的漏源定位方法，其特征在于，所述测试流体为氦气或氮气。

9.一种半导体设备的漏源定位系统，其特征在于，所述漏源定位系统包括：

10.根据权利要求9所述的半导体设备的漏源定位系统，其特征在于，所述腔室有多个监测点，所述测试流体传输装置包括多个传输支路通道，每个所述传输支路通道与流体提供装置连通，多个所述传输支路通道与多个监测点对应设置。

11.根据权利要求10所述的半导体设备的漏源定位系统，其特征在于，每个所述传输支路通道设有多个出气口，所述出气口环形设置在以所述监测点的中心为圆心的圆周上。

12.根据权利要求9所述的半导体设备的漏源定位系统，其特征在于，所述检测装置包括：

13.根据权利要求9所述的半导体设备的漏源定位系统，其特征在于，所述漏源定位系统还包括：

14.根据权利要求9所述的半导体设备的漏源定位系统，其特征在于，所述漏源定位系统还包括：

15.根据权利要求9所述的半导体设备的漏源定位系统，其特征在于，所述漏源定位系统还包括：显示装置，与所述控制装置电连接，用于记录每次所述漏源定位方法中每个监测点所得到的流体量，将每个监测点所得到的流体量动态显示在所述腔室的立体模型上。

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【技术特征摘要】