【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片封装，具体是涉及一种芯片封装及制作方法。
技术介绍
1、芯片扇出封装技术常用于一些高性能，高功耗的处理器，服务器芯片封装。常规的封装流程为芯片通过晶圆扇出封装或基板扇出封装技术实现多芯片的系统级集成，然后切割成单颗扇出集成颗粒，单颗扇出集成颗粒通过倒装回流方式贴装到有机基板上，最后在芯片背面涂覆散热胶水，完成金属散热片的背面贴装，实现了芯片的散热传导。
2、扇出封装集成芯片对比常规的单一硅芯片，因涉及多种材料的集成，譬如塑封料、多层金属线路、有机钝化层、硅芯片等。不同的材料具有不同的模量和热膨胀系数，导致集成封装的芯片存在一定的翘曲问题，影响散热胶水的涂覆和金属散热片表面贴装的质量。且散热片贴装的步骤在芯片到有机基板贴装之后，单颗作业，贴装后产品的一致性控制也会比较困难。
技术实现思路
1、本申请提供一种芯片封装及制作方法，能够简化芯片封装工艺流程，并提高芯片封装的散热性能。
2、本申请提供了一种芯片封装，包括：
3、塑封层，包括塑封板以及嵌设于所述塑封板中的至少一个芯片；
4、散热层，位于所述塑封层的一侧表面；以及
5、基板层，位于所述塑封层背离所述散热层的一侧表面，并与所述芯片电性连接；
6、其中，所述塑封板通过塑封工艺连接于所述散热层，使得所述散热层与所述塑封层一体化。
7、在一些实施例中，所述芯片封装还包括钝化层、引脚和金属走线；所述钝化层位于所述塑封层与所述基板之间，用于隔离
8、在一些实施例中，所述芯片包括芯板及位于所述芯板上的多个第一焊盘，其中所述第一焊盘与所述金属走线对应设置并电性连接；所述金属走线的一端与对应的所述第一焊盘电性连接，使得所述芯片与所述基板层电性连接。
9、在一些实施例中，所述塑封层还包括与多个所述第一焊盘对应设置的多个导电柱，所述导电柱连接于对应的所述第一焊盘，且所述导电柱远离所述
10、在一些实施例中，所述基板层包括基板及连接于所述基板上的第二焊盘，所述第二焊盘与所述引脚一一对应；所述引脚焊接于对应的所述第二焊盘上，使得所述芯片与所述基板层电性连接。
11、本申请实施例还提供一种芯片封装制作方法，包括以下步骤：
12、提供散热层；
13、在所述散热层的表面通过塑封工艺形成塑封层，所述塑封层与所述散热层形成散热晶圆，其中所述塑封层包括塑封板以及嵌设于所述塑封板中的至少一个芯片；
14、将所述散热晶圆通过倒装贴片连接于基板层上，且所述基板层与所述芯片电性连接。
15、在一些实施例中，所述在所述散热层的表面通过塑封工艺形成塑封层包括以下步骤：
16、在所述芯片的第一焊盘上焊接形成导电柱，其中所述芯片包括芯板及位于所述芯板上的第一焊盘；
17、将所述芯板背离所述第一焊盘的表面贴合于所述散热层上；
18、用塑封料涂覆于所述散热层上并包裹所述芯片及所述导电柱形成塑封板，所述塑封板与所述芯片形成塑封层。
19、在一些实施例中，所述用塑封料涂覆于所述散热层上并包裹所述芯片，所述塑封料与所述芯片形成塑封层之后还包括：
20、采用塑封减薄工艺削减所述塑封板，直至所述导电柱远离所述第一焊盘的一端露出；
21、在所述塑封板背离所述散热层的一侧形成第一绝缘层，其中所述第一绝缘层对应所述导电柱的区域形成第一通孔；
22、在所述第一绝缘层上形成金属走线，其中金属走线的一端伸入所述第一通孔中并与所述第一焊盘电性连接，另一端形成凸起形成引脚；
23、在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，所述引脚凸出于所述第二绝缘层，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层形成钝化层。
24、在一些实施例中，所述在所述散热层的表面通过塑封工艺形成塑封层之后还包括：
25、对所述散热晶圆边缘进行切割，形成散热芯片单元。
26、在一些实施例中，所述将所述散热晶圆通过倒装贴片连接于基板层上，且所述基板层与所述芯片电性连接包括以下步骤：
27、提供基板层，所述基板层包括基板及连接于所述基板上的第二焊盘，所述第二焊盘与所述引脚一一对应；
28、将所述散热芯片单元倒装贴片到基板上，所述引脚焊接于对应的所述第二焊盘上，使得所述芯片与所述基板层电性连接。
29、申请实施实例提供的芯片封装制作方法，通过散热层与塑封层一体成型，使得固定于散热层上的芯片无须考虑塑封层材料不同产生的翘曲问题，以确保芯片可靠性。同时，可确保芯片与散热层充分贴合，提高芯片的散热性能。
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1.一种芯片封装，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装，其特征在于，所述芯片封装还包括钝化层、引脚和金属走线；所述钝化层位于所述塑封层与所述基板之间，用于隔离所述塑封层与所述基板层；所述引脚位于所述钝化层背离所述塑封层的表面，用于与所述基板电性连接；所述金属走线部分位于所述钝化层中，且所述金属走线的一端与所述芯片电性连接、另一端与所述引脚电性连接。
3.根据权利要求2所述的芯片封装，其特征在于，所述芯片包括芯板及位于所述芯板上的多个第一焊盘，其中所述第一焊盘与所述金属走线对应设置并电性连接；所述金属走线的一端与对应的所述第一焊盘电性连接，使得所述芯片与所述基板层电性连接。
4.根据权利要求3所述的芯片封装，其特征在于，所述塑封层还包括与多个所述第一焊盘对应设置的多个导电柱，所述导电柱连接于对应的所述第一焊盘，且所述导电柱远离所述第一焊盘的一端与所述塑封板表面齐平。
5.根据权利要求2-4任一项所述的芯片封装，其特征在于，所述基板层包括基板及连接于所述基板上的第二焊盘，所述第二焊盘与所述引脚一一对应；所述引脚焊接于对应
6.一种芯片封装制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的芯片封装制作方法，其特征在于，所述在所述散热层的表面通过塑封工艺形成塑封层包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的芯片封装制作方法，其特征在于，所述用塑封料涂覆于所述散热层上并包裹所述芯片，所述塑封料与所述芯片形成塑封层之后还包括：
9.根据权利要求8所述的芯片封装制作方法，其特征在于，所述在所述散热层的表面通过塑封工艺形成塑封层之后还包括：
10.根据权利要求9所述的芯片封装制作方法，其特征在于，所述将所述散热晶圆通过倒装贴片连接于基板层上，且所述基板层与所述芯片电性连接包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片封装，其特征在于，所述芯片封装还包括钝化层、引脚和金属走线；所述钝化层位于所述塑封层与所述基板之间，用于隔离所述塑封层与所述基板层；所述引脚位于所述钝化层背离所述塑封层的表面，用于与所述基板电性连接；所述金属走线部分位于所述钝化层中，且所述金属走线的一端与所述芯片电性连接、另一端与所述引脚电性连接。
3.根据权利要求2所述的芯片封装，其特征在于，所述芯片包括芯板及位于所述芯板上的多个第一焊盘，其中所述第一焊盘与所述金属走线对应设置并电性连接；所述金属走线的一端与对应的所述第一焊盘电性连接，使得所述芯片与所述基板层电性连接。
4.根据权利要求3所述的芯片封装，其特征在于，所述塑封层还包括与多个所述第一焊盘对应设置的多个导电柱，所述导电柱连接于对应的所述第一焊盘，且所述导电柱远离所述第一焊盘的一端与所述塑封板表面齐平。
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【专利技术属性】
技术研发人员：金国庆，
申请(专利权)人：江苏晶凯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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