抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆制造技术

技术编号:40065396 阅读:6 留言:0更新日期:2024-01-16 23:20
本技术公开了一种抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,包括内导体,内导体外部依次包覆发泡PFA挤包内绝缘层及二至三层PFA绕包外绝缘层,若干线径为0.15mm至1mm镀银铜丝并排螺旋缠绕在PFA绕包外绝缘层外部形成镀银铜丝缠绕内屏蔽层,镀银铜丝缠绕内屏蔽层外表面电镀形成镀锡外屏蔽层,镀锡外屏蔽层外部包覆有PFA挤包外护套,镀锡外屏蔽层与PFA挤包外护套之间形成有间隙。该同轴电缆抗弯曲性能更好,屏蔽层铜丝密合,有效规避屏蔽层龟裂及断丝发生,减少信号衰减,耐久使用。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电缆,特别涉及一种抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆


技术介绍

1、同轴电缆是电线电缆的主要品种之一。工业应用现场环境复杂,电磁噪声的辐射或传导(emi)可能会严重干扰设备的正常工作,而在这个过程中,电磁噪声传播的一类重要载体,就是产线设备中使用的各种电缆。在自动化工业制造生产线上,小型机器人及电子机器等电气连接及控制需要应用到同轴电缆,然而,一般的同轴电缆在正常工作条件下经受反复弯曲后,铜箔屏蔽层易于出现龟裂,或者采用铜线屏蔽层易于出现松散,造成屏蔽密度降低,抗干扰能力减弱,信号衰减量大,屏蔽性能不稳定,影响电气特性。


技术实现思路

1、本申请针对现有技术的不足,所要解决的技术问题是提供一种抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,抗弯曲性能更好,屏蔽层铜丝密合,有效规避屏蔽层龟裂及断丝发生,减少信号衰减,耐久使用。

2、本申请是通过以下技术方案使上述技术问题得以解决。

3、抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,包括内导体,所述内导体外部依次包覆发泡pfa挤包内绝缘层及二至三层pfa绕包外绝缘层,若干线径为0.15mm至1mm镀银铜丝并排螺旋缠绕在所述pfa绕包外绝缘层外部形成镀银铜丝缠绕内屏蔽层,所述镀银铜丝缠绕内屏蔽层外表面电镀形成镀锡外屏蔽层,所述镀锡外屏蔽层外部包覆有pfa挤包外护套,所述镀锡外屏蔽层与所述pfa挤包外护套之间形成有间隙。

4、作为优选,所述内导体为若干镀锡铜单丝绞合构成,所述镀锡铜单丝线径为0.04mm至0.3mm。

5、作为优选,所述内导体绞距为所述内导体外径的5至15倍。

6、作为优选,所述内导体外径不超过1.8mm。

7、作为优选,所述发泡pfa挤包内绝缘层厚度为1mm至2mm。

8、作为优选,所述pfa绕包外绝缘层为两至三层pfa树脂带互为逆向螺旋绕包结构。

9、作为优选,所述pfa绕包外绝缘层厚度为35μm至200μm。

10、作为优选,所述间隙的间隙距离不小于0.05mm且不超过0.1mm。

11、作为优选,所述镀锡外屏蔽层厚度为15μm至80μm。

12、作为优选,所述pfa挤包外护套厚度为0.45mm至1.2mm。

13、本申请的有益效果:

14、1.替代现有铜丝或镀锡铜丝屏蔽层,采用镀银铜丝缠绕结构的内屏蔽层导电率更高,电气特性更好,保证屏蔽效果的稳定性,通过镀锡外屏蔽层将并排螺旋缠绕的镀银铜丝进行密合连接成整体,大大提高抗弯曲性能,有效避免镀银铜丝松散及断丝情况发生,并能够规避原有铜箔层极易发生龟裂的情况,镀锡外屏蔽层能够有效填补镀银铜丝缠绕内屏蔽层形成的孔隙,保证更好的屏蔽密度,增强屏蔽性能,减少信号衰减量,提高抗干扰能力,确保稳定可靠的电气特性。

15、2.优化绝缘层结构,在原有的发泡pfa挤包内绝缘层外部,增加二至三层pfa绕包外绝缘层进行互为逆向绕包,提高电缆的柔韧性,增强抗弯曲性,减少镀银铜丝缠绕内屏蔽层的局部应力集中,同时,在镀锡外屏蔽层与pfa挤包外护套之间形成间隙,相比于无间隙结构,具有更高的特征阻抗,防止电缆反复弯曲时,屏蔽层和外护套层黏连,有助于降低屏蔽层的扭矩力,提高抗弯曲性,保护稳定的屏蔽效果,耐久使用。

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【技术保护点】

1.抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:包括内导体(1),所述内导体(1)外部依次包覆发泡PFA挤包内绝缘层(2)及二至三层PFA绕包外绝缘层(3),若干线径为0.15mm至1mm镀银铜丝并排螺旋缠绕在所述PFA绕包外绝缘层(3)外部形成镀银铜丝缠绕内屏蔽层(4),所述镀银铜丝缠绕内屏蔽层(4)外表面电镀形成镀锡外屏蔽层(5),所述镀锡外屏蔽层(5)外部包覆有PFA挤包外护套(6),所述镀锡外屏蔽层(5)与所述PFA挤包外护套(6)之间形成有间隙(7)。

2.根据权利要求1所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述内导体(1)为若干镀锡铜单丝绞合构成,所述镀锡铜单丝线径为0.04mm至0.3mm。

3.根据权利要求2所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述内导体(1)绞距为所述内导体(1)外径的5至15倍。

4.根据权利要求1所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述内导体(1)外径不超过1.8mm。

5.根据权利要求1所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述发泡PFA挤包内绝缘层(2)厚度为1mm至2mm。p>

6.根据权利要求1所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述PFA绕包外绝缘层(3)为两至三层PFA树脂带互为逆向螺旋绕包结构。

7.根据权利要求1所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述PFA绕包外绝缘层(3)厚度为35μm至200μm。

8.根据权利要求1所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述间隙(7)的间隙距离不小于0.05mm且不超过0.1mm。

9.根据权利要求1所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述镀锡外屏蔽层(5)厚度为15μm至80μm。

10.根据权利要求1所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述PFA挤包外护套(6)厚度为0.45mm至1.2mm。

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【技术特征摘要】

1.抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:包括内导体(1),所述内导体(1)外部依次包覆发泡pfa挤包内绝缘层(2)及二至三层pfa绕包外绝缘层(3),若干线径为0.15mm至1mm镀银铜丝并排螺旋缠绕在所述pfa绕包外绝缘层(3)外部形成镀银铜丝缠绕内屏蔽层(4),所述镀银铜丝缠绕内屏蔽层(4)外表面电镀形成镀锡外屏蔽层(5),所述镀锡外屏蔽层(5)外部包覆有pfa挤包外护套(6),所述镀锡外屏蔽层(5)与所述pfa挤包外护套(6)之间形成有间隙(7)。

2.根据权利要求1所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述内导体(1)为若干镀锡铜单丝绞合构成,所述镀锡铜单丝线径为0.04mm至0.3mm。

3.根据权利要求2所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述内导体(1)绞距为所述内导体(1)外径的5至15倍。

4.根据权利要求1所述的抗弯曲型密合屏蔽同轴电缆,其特征是:所述内...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄桂领王洪超邱金波王超姚汪宁
申请(专利权)人:浙江中大元通特种电缆有限公司
类型:新型
国别省市:

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