【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、可以通过使用“晶片接合”技术将两个或两个以上晶片彼此接合来构建三维集成组合件。在美国专利第9,666,573号和第10,103,053号中描述了示例晶片接合过程，所述美国专利均转让给了美光科技公司(micron technology，inc.)，并且都将mitsunarisukekawa列为专利技术人。
2、在晶片接合期间可能会遇到问题，所述问题可能导致晶片相对于彼此未对准。为了补偿在平版印刷(例如光刻)过程期间发生的潜在对准误差，已经投入了大量的努力。然而，晶片接合期间产生的对准误差可能比光刻过程期间产生的对准误差大得多。因此，期望研发出专门补偿在晶片接合期间出现的相对较大的未对准的方法。
3、晶片接合技术的潜在应用涉及存储器的制造。在一些应用中，接合的晶片之一可以包括具有常规存储器电路(例如，字线、位线等)的存储器阵列，而接合的晶片中的另一个可以包括常规外围电路(即，与存储器阵列结合使用但通常向存储阵列提供外围设备的电路；如例如，字线驱动器电路、感测放大器电路...
【技术保护点】
1.一种形成集成结构的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组件包含第一组所述第二组件和第二组所述第二组件；其中所述第一组所述第二组件与所述第一半导体晶片的第一侧相邻；其中所述第二组所述第二组件与所述第一半导体晶片的第二侧相邻，所述第一半导体晶片的所述第二侧与所述第一半导体晶片的所述第一侧处于相对关系；其中所述第一组的所述第二组件沿着节距2P；其中所述第二组的所述第二组件沿着所述节距2P；其中所述第一组件包括电连接到所述第一组的所述第二组件的第三组，并且包括电连接到所述第二组的所述第二组件的第四组；并且其中所述第三组的所述第一组件与所述...
【技术特征摘要】
1.一种形成集成结构的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组件包含第一组所述第二组件和第二组所述第二组件；其中所述第一组所述第二组件与所述第一半导体晶片的第一侧相邻；其中所述第二组所述第二组件与所述第一半导体晶片的第二侧相邻，所述第一半导体晶片的所述第二侧与所述第一半导体晶片的所述第一侧处于相对关系；其中所述第一组的所述第二组件沿着节距2p；其中所述第二组的所述第二组件沿着所述节距2p；其中所述第一组件包括电连接到所述第一组的所述第二组件的第三组，并且包括电连接到所述第二组的所述第二组件的第四组；并且其中所述第三组的所述第一组件与所述第四组的所述第一组件交替。
3.根据权利要求1所述的方法，其中：
4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中在将所述第一半导体晶片接合到所述第二半导体晶片之前形成所述第一组件。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组件是字线。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组件是位线。
8.一种形成集成结构的方法，其包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其包括形成所述冗余字线组件。
10.根据权利要求8所述的方法，其包括形成所述冗余位线组件。
11.根据权利要求8...
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