【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种腔室加热器的温度分布检测方法及装置。
技术介绍
1、在半导体加工工艺例如薄膜沉积工艺中，腔体底部的温度会略低于腔体其他地方的温度，是整个真空腔室中温度较低的区域，因此也是颗粒物容易聚集的区域之一。
2、为了避免颗粒物聚集影响沉积工艺效果，通常会在反应腔室的底部设置腔室加热器，用于给腔体底部加热，该加热过程需要精确控制腔室加热器上的温度分布梯度，从而保护覆盖在其上的陶瓷件，避免由于温差过大而引起开裂等问题。
3、现有技术通常采用测温贴片或者大气环境下粘贴热偶以研究腔室加热器的温度分布情况。然而，容易理解地，该些方式测出的温度分布与实际工况条件相差较大，且现有的测量方式是根据测温点的分布测量温度数据，使得腔室加热器的温度及温区分布精度不够准确，无法有效地得到加热器的温度分布情况进而无法精确控温，为工艺带来隐患。
4、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种腔室加热器的温度分布检测方法及装置，用于在真空环境中改变不同的环境参数例如压力、气流及热负载等因素，以模...
【技术保护点】
1.一种腔室加热器的温度分布检测方法，所述腔室加热器在半导体工艺中设于反应腔室的底部从而为反应腔室进行加热，所述温度分布检测方法包括：
2.如权利要求1所述的温度分布检测方法，其特征在于，所述多个红外测温装置设于所述密闭腔室的顶盖上，所述多个红外测温装置的数量与排布配置以使其测温范围全面覆盖所述腔室加热器以获取所述腔室加热器上温度变化的梯度分布。
3.如权利要求2所述的温度分布检测方法，其特征在于，在改变所述密闭腔体的环境参数过程中，所述多个红外测温装置连续检测所述腔室加热器的温度变化，从而获得所述腔室加热器温度分布随一个或多个所述环境参数的改
【技术特征摘要】
1.一种腔室加热器的温度分布检测方法，所述腔室加热器在半导体工艺中设于反应腔室的底部从而为反应腔室进行加热，所述温度分布检测方法包括：
2.如权利要求1所述的温度分布检测方法，其特征在于，所述多个红外测温装置设于所述密闭腔室的顶盖上，所述多个红外测温装置的数量与排布配置以使其测温范围全面覆盖所述腔室加热器以获取所述腔室加热器上温度变化的梯度分布。
3.如权利要求2所述的温度分布检测方法，其特征在于，在改变所述密闭腔体的环境参数过程中，所述多个红外测温装置连续检测所述腔室加热器的温度变化，从而获得所述腔室加热器温度分布随一个或多个所述环境参数的改变而变化的情况。
4.如权利要求1所述的温度分布检测方法，其特征在于，所述密闭腔体上设有气体输入口，用于向所述密闭腔体内通入不同流量的气体。
5.如权利要求4所述的温度分布检测方法，其特征在于，所述环境参数包括所述密闭腔体内的压力值，所述密闭腔体上还设有压力检测器，用于检测通入不同流量气体后所述密闭腔体内的压...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑旭东，魏有雯，吴凤丽，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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