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本发明提供了一种腔室加热器的温度分布检测方法及装置，该腔室加热器在半导体工艺中设于反应腔室的底部从而为反应腔室进行加热，该温度分布检测方法包括：将该腔室加热器密封连接于一个罩壳的底面，以使该腔室加热器与该罩壳构成一个密闭腔体；将该密闭腔体抽...
该专利属于拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司授权不得商用。

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