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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装领域,特别是涉及一种芯片封装散热层防剥离结构。
技术介绍
1、半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为:来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片(die),然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板(引线框架)架的小岛上,再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘(bond pad)连接到基板的相应引脚(lead),并构成所要求的电路;然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护,塑封之后还要进行一系列操作,封装完成后进行成品测试,通常经过入检incoming、测试test和包装packing等工序,最后入库出货。
2、目前,在半导体封装过程中的散热层制作时,一般使用的是真空溅镀屏蔽层的工艺和涂镀散热层的工艺。其中,溅镀工艺在超高真空环境中,通过等离子体放电,将靶材金属直接轰击到材料表面;而涂镀工艺,是通过涂镀机,将导电金属直接涂镀到材料表面。如图1和图2所示,在产品1’切割的过程中,由于切割刀片2’接触镀层3’产生的剪切力,会导致溅镀/涂镀剥离的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于,提供一种芯片封装散热层防剥离结构,以降低晶圆分割时产生剥离,提高产品的良品率。
2、为解决上述技术问题,本专利技术提供一种芯片封装散热层防剥离工艺,对晶圆表面进行清洗,去除半导体晶片表面的污染物;
3、对清洗后的晶圆进行干燥,去除半导体晶片表面的清洗液;
...【技术保护点】
1.一种芯片封装散热层防剥离工艺,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的芯片封装散热层防剥离工艺,其特征在于,采用去离子水对晶圆表面进行清洗。
3.如权利要求1所述的芯片封装散热层防剥离工艺,其特征在于,在对清洗后的晶圆进行干燥时,将晶圆放置在真空环境中,并驱动晶圆高速旋转,通过离心力去除晶圆表面水分。
4.如权利要求1所述的芯片封装散热层防剥离工艺,其特征在于,在晶圆表面通过真空溅镀屏蔽层工艺或涂镀散热层工艺进行镀膜。
5.如权利要求1所述的芯片封装散热层防剥离工艺,其特征在于,所述散热层位于所述半槽的底壁和侧壁上。
6.一种芯片封装散热层防剥离结构,其特征在于,包括晶圆、半槽以及散热层;
7.如权利要求6所述的芯片封装散热层防剥离结构,其特征在于,所述芯片单元阵列分布。
8.如权利要求6所述的芯片封装散热层防剥离结构,其特征在于,所述半槽截面呈矩形。
9.如权利要求6所述的芯片封装散热层防剥离结构,其特征在于,所述半槽通过半切工艺形成,且所述半槽的切割深度为80-120μm。<
...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装散热层防剥离工艺,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的芯片封装散热层防剥离工艺,其特征在于,采用去离子水对晶圆表面进行清洗。
3.如权利要求1所述的芯片封装散热层防剥离工艺,其特征在于,在对清洗后的晶圆进行干燥时,将晶圆放置在真空环境中,并驱动晶圆高速旋转,通过离心力去除晶圆表面水分。
4.如权利要求1所述的芯片封装散热层防剥离工艺,其特征在于,在晶圆表面通过真空溅镀屏蔽层工艺或涂镀散热层工艺进行镀膜。
5.如权利要求1所述的芯片封装散热层防剥离工艺,其特征在于,所述散热层位于所述半...
【专利技术属性】
技术研发人员:林鸿滢,
申请(专利权)人:池州鸿芯志半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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