【技术实现步骤摘要】
实施例涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、随着对半导体装置的高性能、高速和/或多功能性的需求增加，半导体装置的集成度正在增加。为了克服由于平面金属氧化物半导体场效应晶体管(fet)的尺寸减小而引起的对操作特性的限制，正在致力于开发包括具有鳍状沟道的finfet、具有被栅极围绕的纳米片的全环绕栅极场效应晶体管(gaafet)等的半导体装置。
技术实现思路
1、根据实施例的一方面，半导体装置包括：有源区域，在基底上沿第一水平方向延伸；多个沟道层，在有源区域上堆叠并且彼此间隔开，多个沟道层包括下沟道层和在下沟道层上的上沟道层；中间绝缘层，在下沟道层中的最上面的下沟道层与上沟道层中的最下面的上沟道层之间；栅极结构，在基底上与有源区域和多个沟道层交叉，在第二水平方向上延伸并且包括围绕多个沟道层的栅电极，栅电极包括围绕下沟道层的下栅电极和围绕上沟道层的上栅电极；绝缘图案，在中间绝缘层的在第二水平方向上的第一侧上位于上栅电极与下栅电极之间；源/漏区，在栅极结构的至少一侧上，并且包括连接到下沟道层的下源/漏区以及在下源/漏区上连接到上沟道层的上源/漏区；以及接触插塞，包括水平延伸部和竖直延伸部，水平延伸部连接到下源/漏区中的每个并且在与基底平行的水平方向上延伸，竖直延伸部连接到水平延伸部并且在与基底的上表面垂直的竖直方向上延伸。
2、根据实施例的一方面，半导体装置包括：有源区域，在基底上沿第一水平方向彼此平行地延伸；多个晶体管结构，在基底上在第二水平方向上彼此间隔开；以及栅极隔离图案，
3、根据实施例的一方面，半导体装置包括：有源区域，在基底上沿第一水平方向延伸；多个沟道层，在有源区域上堆叠以彼此间隔开，多个沟道层包括下沟道层和在下沟道层上的上沟道层；栅极结构，在基底上与有源区域和多个沟道层交叉，在第二水平方向上延伸，并且包括围绕多个沟道层的栅电极，栅电极包括围绕下沟道层的下栅电极和围绕上沟道层的上栅电极；绝缘图案，在上栅电极与下栅电极之间；源/漏区，在栅极结构的至少一侧上，并且包括连接到下沟道层的下源/漏区以及在下源/漏区上连接到上沟道层的上源/漏区；以及接触插塞，包括竖直延伸部和水平延伸部，竖直延伸部连接到水平延伸部并且在与基底的上表面垂直的竖直方向上延伸，水平延伸部连接到下源/漏区中的每个并且在与基底平行的水平方向上延伸，其中，下栅电极具有与上栅电极接触的部分，绝缘图案在竖直方向上不与多个沟道层叠置，并且绝缘图案的至少一部分处于与水平延伸部的至少一部分的水平相同的水平。
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，绝缘图案的至少一部分处于与水平延伸部的至少一部分的水平相同的水平。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，中间绝缘层的第一厚度大于绝缘图案的第二厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在与中间绝缘层的与所述第一侧相对的第二侧相邻的区域中，上栅电极具有接触下栅电极的区域。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，水平延伸部的第三厚度比中间绝缘层的第一厚度薄。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第三厚度与绝缘图案的第二厚度相同。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，水平延伸部的上表面处于比中间绝缘层的上表面的水平低的水平。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在基底下方的下互连件，
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极结构还包括在沟道
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，绝缘图案通过栅极介电层与中间绝缘层间隔开。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上栅电极包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，在第一上栅电极中，第一部分的上端位于比第二部分的上端的水平低的水平处。
15.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置，所述半导体装置还包括接触插塞，接触插塞连接到第一源/漏区的下源/漏区，接触插塞包括在与基底的上表面垂直的竖直方向上延伸的竖直延伸部以及在与基底平行的水平方向上延伸的水平延伸部，接触插塞的水平延伸部具有在第一水平方向上与第一绝缘图案叠置的部分。
17.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，第一绝缘图案的上表面和下表面与第一栅电极接触，第一绝缘图案的一个侧表面与栅极隔离图案接触。
18.根据权利要求15所述的半导体装置，其中：
19.根据权利要求15所述的半导体装置，其中：
20.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，绝缘图案的至少一部分处于与水平延伸部的至少一部分的水平相同的水平。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，中间绝缘层的第一厚度大于绝缘图案的第二厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在与中间绝缘层的与所述第一侧相对的第二侧相邻的区域中，上栅电极具有接触下栅电极的区域。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，水平延伸部的第三厚度比中间绝缘层的第一厚度薄。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第三厚度与绝缘图案的第二厚度相同。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，水平延伸部的上表面处于比中间绝缘层的上表面的水平低的水平。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在基底下方的下互连件，
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极结构还包括在沟道层与栅电极之间的栅极介电层，...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋昇珉，姜明一，金孝真，崔道永，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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