温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源区域，在基底上；沟道层，在有源区域上且彼此间隔开，并且包括下沟道层和上沟道层；中间绝缘层，最上面的下沟道层与最下面的上沟道层之间；栅极，与有源区域交叉，并且包括围绕下沟道层的下栅电极和围绕上沟道...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。