用于红外探测器的盖帽结构及其形成方法技术

技术编号:40048442 阅读:13 留言:0更新日期:2024-01-16 20:49
本发明专利技术提供一种用于红外探测器的盖帽结构及其形成方法。该盖帽结构及其形成方法中,衬底的正面形成有第一凹槽,第一凹槽限定出间隔分布的多个第一信号接收柱,衬底的背面形成有第二凹槽,第二凹槽与第一凹槽位置对应,且第二凹槽限定出间隔分布的多个第二信号接收柱,环绕第一凹槽的侧墙结构形成于衬底正面上。本发明专利技术利用形成在衬底正面和背面的多个第一信号接收柱和多个第二信号接收柱替代传统的红外窗口薄膜,且在衬底正面上直接形成侧墙结构,可以降低盖帽结构的制作难度和提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装,特别涉及一种用于红外探测器的盖帽结构及其形成方法


技术介绍

1、红外探测器是将吸收的红外信号转变成电信号输出的器件。按照工作原理红外探测器可分为量子型和非致冷两大类。量子型红外探测器灵敏度高,一般需要致冷,价格较高。非致冷红外探测器灵敏度稍低,无需致冷,性价比较高。为了实现高性能,非致冷红外探测器需要真空封装。

2、传统的真空封装方法是将芯片划片后转接到另一基板再封装的封装技术。传统的真空封装分为金属壳封装及陶瓷封装,这两种封装方式的工艺步骤较多,且成本较高。晶圆级真空封装,即片级封装,是在完成对整个晶圆的真空封装后再切片,封装效率较高;而且,相较于传统的真空封装,器件尺寸得到减小,易满足高集成小型化的要求,且工艺简单,有利于降低封装成本,提高器件的成品率。

3、片级封装方法中,通常将上基板,或称为盖帽(cap)结构通过键合的方式集成到包括红外器件的下基板上来形成完整的封装结构。目前,形成盖帽结构的方法为:在一衬底的表面淀积红外窗口薄膜,再将衬底与墙体片结合形成盖帽结构。但是,由于墙体片的端面面积较小,衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于红外探测器的盖帽结构的形成方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述在所述衬底的正面上设置第一材料层,包括:

3.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述第一材料层与所述衬底之间形成有氧化硅键合层。

4.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述在所述衬底的正面上设置第一材料层,包括:

5.如权利要求4所述的形成方法,其特征在于,所述通过选择性外延工艺在所述衬底的正面上形成所述第一材料层,包括:

6.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述盖帽结构与包括红外探测器的下基板键合...

【技术特征摘要】

1.一种用于红外探测器的盖帽结构的形成方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述在所述衬底的正面上设置第一材料层,包括:

3.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述第一材料层与所述衬底之间形成有氧化硅键合层。

4.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述在所述衬底的正面上设置第一材料层,包括:

5.如权利要求4所述的形成方法,其特征在于,所述通过选择性外延工艺在所述衬底的正面上形成所述第一材料层,包括:

6.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述盖帽结构与包括红外探测器的下基板键合...

【专利技术属性】
技术研发人员:张花威夏长奉周国平
申请(专利权)人:无锡华润上华科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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