集成薄膜太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术提供集成薄膜太阳能电池及其制造方法，该方法包括以下步骤：准备沟槽按照间隔有一定距离的方式形成的基板；通过第一导电性物质在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上形成第一电极层；在没有形成所述第一电极层的沟槽的部分区域和所述第一电极层上形成太阳能电池层；倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在所述太阳能电池层上以形成第二电极层；对形成在所述沟槽上的太阳能电池层进行蚀刻，以使所述第一电极层暴露；通过倾斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层上的方式形成导电层，以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成薄膜太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
太阳能电池作为将太阳光能直接转换为电力的半导体元件，根据其使用的材质分 为硅系、化合物系和有机物系。而且，硅系太阳能电池根据半导体相(phase)细分为单晶硅(singlecrystalline silicon ；c_Si)、多晶娃(polycrystalline silicon ；poly-Si)禾口 非晶娃(amorphous silicon ；a-Si:H)太阳能电池。另外，太阳能电池根据半导体厚度分为块(基板)型太阳能电池和薄膜型太阳能 电池，其中，薄膜型太阳能电池是半导体层厚度为数10 μ m 数μ m的太阳能电池。硅系太阳能电池中，单晶硅和多晶硅太阳能电池属于块型太阳能电池，非晶硅太 阳能电池属于薄膜型太阳能电池。另一方面，化合物系太阳能电池分为块型(例如，III- V族的GaAS(Gallium Arsenide)和 InP(Indium Phosphide)等)和薄膜型(例如，II - VI族的 CdTe (Cadmium Telluride)和 I - III - VI族的 CulnSe2 (CIS ；C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，该方法包括以下步骤：准备沟槽按照间隔有一定距离的方式形成的基板；利用第一导电性物质在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上形成第一电极层；在没有形成所述第一电极层的沟槽的部分区域和所述第一电极层上形成太阳能电池层；倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在所述太阳能电池层上以形成第二电极层；对形成在所述沟槽上的太阳能电池层进行蚀刻以使所述第一电极层暴露；通过倾斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层上的方式形成导电层，以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：林宏树，全振完，
申请(专利权)人：韩国铁钢株式会社，韩国科学技术院，
类型：发明
国别省市：KR