一种氧化镓纵向MOSFET器件的制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种氧化镓纵向MOSFET器件的制备方法。该方法包括：对N<supgt;+</supgt;型氧化镓衬底进行高温热氧化处理，得到在N<supgt;+</supgt;型氧化镓衬底上表面的第一N<supgt;‑</supgt;型氧化镓漂移层，以及在N<supgt;+</supgt;型氧化镓衬底下表面的第二N<supgt;‑</supgt;型氧化镓漂移层；对第一N<supgt;‑</supgt;型氧化镓漂移层进行离子注入，形成厚度小于第一N<supgt;‑</supgt;型氧化镓漂移层厚度的N<supgt;+</supgt;层；在N<supgt;+</supgt;层上表面制备源电极，并将源电极作为掩模进行刻蚀得到沟槽；在沟槽表面制备栅介质并在栅介质表面制备栅电极；将第二N<supgt;‑</supgt;型氧化镓漂移层进行去除以暴露出N<supgt;+</supgt;型氧化镓衬底的N<supgt;+</supgt;区域，在N<supgt;+</supgt;区域下表面制备漏电极。本发明专利技术能够有效解决外延法工艺复杂、成本较高的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种氧化镓纵向mosfet器件的制备方法。

技术介绍

1、氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被普遍关注并认可的已开启产业化的第四代半导体材料。与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的禁带宽度达到4.9ev，比碳化硅的3.25ev和氮化镓的3.4ev更高；其击穿场强理论上可达8ev/cm，是碳化硅的氮化镓击穿场强的2倍以上；而且，氧化镓材料的巴利伽优值是碳化硅的18倍，是氮化镓的4倍以上。因此，氧化镓是一种性能优异的适于制备功率器件和高压开关器件的宽禁带半导体材料。

2、然而，在使用氧化镓制备mosfet器件时，目前的制备方法大多需要先在氧化镓衬底上生长外延层，但该方法不仅生产成本较高，且工艺较为复杂。

技术实现思路

1、鉴于此，本专利技术提供一种氧化镓纵向mosfet器件的制备方法，该方法实现了在无需外延工艺的前提下制备氧化镓纵向mosfet器件，解决了外延法工艺复杂、成本较高的问题。

2、为解决以上技术问题，本专利技术提供一种氧化镓纵向m本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化镓纵向MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的氧化镓纵向MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述N+型氧化镓衬底内掺有Si或Sn元素，掺杂浓度大于1.0×1018cm-3；

3.如权利要求1或2所述的氧化镓纵向MOSFET器件的制备方法，其特征在于，对N+型氧化镓衬底采用干氧法进行高温热氧化处理，包括：

4.如权利要求3所述的氧化镓纵向MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为500～2200℃；

5.如权利要求1所述的氧化镓纵向MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种氧化镓纵向mosfet器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的氧化镓纵向mosfet器件的制备方法，其特征在于，所述n+型氧化镓衬底内掺有si或sn元素，掺杂浓度大于1.0×1018cm-3；

3.如权利要求1或2所述的氧化镓纵向mosfet器件的制备方法，其特征在于，对n+型氧化镓衬底采用干氧法进行高温热氧化处理，包括：

4.如权利要求3所述的氧化镓纵向mosfet器件的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为500～2200℃；

5.如权利要求1所述的氧化镓纵向mosfet器件的制备方法，其特征在于，所述第一n-型氧化镓漂移层和第二n-型氧化镓漂移层的厚度均为0.05～100μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭浩，吕元杰，刘宏宇，孙保瑞，王元刚，李保第，胡泽先，王冲，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：