【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电池领域，具体而言，涉及一种单面钝化接触异质结电池及其制备方法。
技术介绍
1、目前，perc电池已接近理论极限效率，以topcon、hjt、xbc为代表的n型技术快速渗透。在n型光伏技术中，异质结(hjt)电池具有高效率、高可靠性、可双面发电、低温工艺制程、薄硅片应用、温度特性好、无lid与pid效应等优点，受到国内外众多光伏企业密切关注。
2、异质结(hjt)电池具备对称双面电池结构，中间为n型晶体硅。正面依次沉积本征非晶硅薄膜和p型非晶硅薄膜，从而形成p-n结。背面则依次沉积本征非晶硅薄膜和n型非晶硅薄膜，以形成背表面场。鉴于非晶硅的导电性比较差，因此在电池两侧沉积透明导电薄膜(tco)进行导电，最后采用丝网印刷技术形成双面电极。
3、现有技术中的异质结(hjt)电池，p型掺杂层为掺b的非晶硅(p)a-si:b:h，但是受掺杂量极限限制，使得p型掺杂层的掺杂效率较低，电池背面pn结的电场减弱，pn结对光生载流子的分离作用减弱，导致光生载流子的复合增加，最终造成电池效率较低。为克服p型非晶硅的缺...
【技术保护点】
1.一种单面钝化接触异质结电池，其特征在于，以n型晶硅为基底，其正面依次设置正面本征非晶硅层、n型掺杂非晶硅层、正面透明导电层、正面金属电极；
2.根据权利要求1所述的一种单面钝化接触异质结电池，其特征在于，所述隧穿介质层为SiOx层，其厚度为1-2nm；所述p型掺杂多晶硅层厚度为100-200nm，掺杂浓度控制在1e20-1e21cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种单面钝化接触异质结电池，其特征在于，所述金属导电层为Al、Ti、Ni或其合金中的一种或多种组合。
4.根据权利要求1所述的一种单面钝化接触异质结电池，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种单面钝化接触异质结电池，其特征在于，以n型晶硅为基底，其正面依次设置正面本征非晶硅层、n型掺杂非晶硅层、正面透明导电层、正面金属电极；
2.根据权利要求1所述的一种单面钝化接触异质结电池，其特征在于，所述隧穿介质层为siox层，其厚度为1-2nm；所述p型掺杂多晶硅层厚度为100-200nm，掺杂浓度控制在1e20-1e21cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种单面钝化接触异质结电池，其特征在于，所述金属导电层为al、ti、ni或其合金中的一种或多种组合。
4.根据权利要求1所述的一种单面钝化接触异质结电池，其特征在于，所述背面金属电极采用的浆料为含银、银包铜、银包铝、银包玻璃和银包石墨中一种的低温金属浆料。
5.根据权利要求1所述的一种单面钝化接触异质结电池，其特征在于，所述背面减反射层为sinx、sioxny、siox中的一种或多种组合，其厚度为70-150nm。
6.一种根据权利要求1-5任一项所述单面钝化接触异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：毛卫平，周晓炜，金竹，陈桂栋，邓日尧，杨阳，潘利民，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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