一种TOPCon电池结构及其制备方法技术

本申请涉及一种TOPCon电池结构及其制备方法，其包括硅片，所述硅片的背面设置有自靠近硅片的一侧向远离硅片的一侧依次设置的隧穿氧化层、多晶硅层、ATO层和氮化硅层，所述硅片的背面还设置有背面金属电极，所述背面金属电极与ATO层形成欧姆接触；所述ATO层为铝掺杂氧化钛，所述多晶硅层为磷掺杂的多晶硅层；所述多晶硅层的厚度为30‑40nm；所述ATO层的厚度为5‑10nm。本申请具有提高TOPCon电池的效率，降低寄生吸收且提高钝化能力的效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池的，尤其是涉及一种topcon电池结构及其制备方法。

技术介绍

1、晶体硅（c-si）太阳能电池目前占据全球光伏市场的主导地位。这主要得益于其成本的持续降低和光电转换效率（pce）的逐步提升。多晶硅钝化接触是提升硅太阳能电池效率的重要技术之一，尤其是在推进硅太阳能电池接近理论效率极限（29.4%）的过程中。然而，在金属化过程中，硅表面钝化层会发生退化，这需要较厚的多晶硅层来避免退化，但这种厚硅层会导致透光率下降和沉积时间增加，且低带隙掺杂硅层的光吸收损耗较大，影响太阳能电池的性能。

2、目前，传统topcon电池背面采用“n型硅基底/二氧化硅/多晶硅/氮化硅”结构，poly-si层通常需要较厚（>100nm）才能保证钝化效果，但厚poly-si会导致光寄生吸收（尤其在近红外波段），从而降低电池短路电流（jsc）。此外，poly-si与后续金属化过程中电极间的接触电阻较高，通常需通过高温退火优化，但这样容易引发界面缺陷，限制效率提升。现有钝化材料（如三氧化二铝或氮化硅）对多晶硅的电子选择性钝化能力不足，难以平衡载流子传输本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TOPCon电池结构，包括硅片（1），其特征在于：所述硅片（1）的背面设置有自靠近硅片（1）的一侧向远离硅片（1）的一侧依次设置的隧穿氧化层（2）、多晶硅层（3）、ATO层（4）和氮化硅层（5），所述硅片的背面还设置有背面金属电极（6），所述背面金属电极（6）与ATO层（4）形成欧姆接触；所述ATO层（4）为铝掺杂氧化钛，所述多晶硅层（3）为磷掺杂的多晶硅层；

2.根据权利要求1所述的一种TOPCon电池结构，其特征在于：所述ATO层（4）中，铝在氧化钛中的掺杂占比为4-6%，所述ATO层（4）的制备方法包括：采用原子层沉积的方式，以三甲基铝为铝源，以四异丙基钛为钛源...

【技术特征摘要】

1.一种topcon电池结构，包括硅片（1），其特征在于：所述硅片（1）的背面设置有自靠近硅片（1）的一侧向远离硅片（1）的一侧依次设置的隧穿氧化层（2）、多晶硅层（3）、ato层（4）和氮化硅层（5），所述硅片的背面还设置有背面金属电极（6），所述背面金属电极（6）与ato层（4）形成欧姆接触；所述ato层（4）为铝掺杂氧化钛，所述多晶硅层（3）为磷掺杂的多晶硅层；

2.根据权利要求1所述的一种topcon电池结构，其特征在于：所述ato层（4）中，铝在氧化钛中的掺杂占比为4-6%，所述ato层（4）的制备方法包括：采用原子层沉积的方式，以三甲基铝为铝源，以四异丙基钛为钛源。

3.根据权利要求1所述的一种topcon电池结构，其特征在于：所述硅片（1）背面的氮化硅层（5）厚度为67-91nm，所述氮化硅层（5）为氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的叠加层结构。

4.根据权利要求1所述的一种topcon电池结...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋灿，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：