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本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种氧化镓纵向MOSFET器件的制备方法。该方法包括：对N<supgt;+</supgt;型氧化镓衬底进行高温热氧化处理，得到在N<supgt;+</supgt;型氧化镓衬底上表面的...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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