【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及滤波器，尤其涉及一种声波滤波器及其制备方法。
技术介绍
1、基于薄膜体声波器件的射频前端滤波器、双工器、多工器，因其体积小、插损低、快速滚降、功耗低，被广泛使用于智能手机、通信终端、以及通信基站中。典型的薄膜体声波滤波器由薄膜体声波谐振器以串联和并联的形式构成；滤波器的通带内，串联薄膜体声波谐振器呈现低阻特性，并联薄膜体声波谐振器呈现高阻特性，因此通带损耗小；滤波器的通带外，串联薄膜体声波谐振器呈现高阻特性，并联薄膜体声波谐振器呈现低阻特性，实现带外抑制。
2、随着无线技术的不断发展，通信频段不断增加，信号变得越来越拥挤，保护带宽越来越窄，这对滤波器的滚降特性提出了新的要求。目前增大薄膜体声波滤波器滚降特性的方法主要包括提高谐振器的q值和增加薄层质量负载。其中增加谐振器q值多采用边界环、空气桥和空气翼的方法，这几种方法对q值的提升都有一定的限制，且仅靠q值的提升很难满足滤波器的滚降要求，往往需要同时增加薄层质量负载来实现。但质量负载较薄时，由于沉积时间过短，很难精准的控制厚度，不利于量产。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种一种声波滤波器及其制备方法，以解决现有技术中存在的问题，改善声波滤波器两侧近带的带外抑制。
2、第一方面，本专利技术提供了一种声波滤波器，其特征在于，包括：
3、soi衬底；所述soi衬底的一侧设置有多个空腔；所述空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔；
4、位于所述soi衬底一侧的堆叠结构；
5、所述堆叠结构包括种子层；所述第一堆叠结构中的所述种子层的厚度小于所述第二堆叠结构中的所述种子层的厚度；
6、其中，所述第一空腔与所述第一堆叠结构构成第一谐振器；所述第二空腔与所述第二堆叠结构构成第二谐振器。
7、可选的，所述空腔还包括至少一个第三空腔；
8、所述堆叠结构部还包括至少一个与所述第三空腔一一对应的第三堆叠结构；
9、所述第三空腔与所述第三堆叠结构构成第三谐振器。
10、可选的，所述堆叠结构还包括：
11、位于所述种子层背离所述soi衬底一侧的底电极；所述底电极包括第一电极、第二电极和第三电极；
12、位于所述底电极背离所述种子层一侧的压电层；
13、位于所述压电层背离所述底电极一侧的质量负载层；所述质量负载层包括至少一个第一质量负载结构；所述第一质量负载结构与所述第三空腔一一对应设置；以及，
14、位于所述压电层背离所述底电极层一侧的顶电极；所述顶电极包括第四电极、第五电极和第六电极；
15、所述种子层、所述第一电极、所述压电层和所述第四电极构成所述第一堆叠结构；所述种子层、所述第二电极、所述压电层和所述第五电极构成所述第二堆叠结构；所述种子层、所述第三电极、所述压电层、所述第一质量负载结构和所述第六电极构成所述第三堆叠结构。
16、可选的，所述质量负载层还包括至少一个与所述第一空腔一一对应设置的第二质量负载结构；所述第二质量负载结构位于所述压电层与所述第四电极之间。
17、可选的，所述第二电极与所述第三电极电连接；
18、所述第四电极与所述第五电极连接；
19、所述第六电极接地。
20、可选的，所述第四电极与所述第五电极连接；
21、所述第二电极与所述第三电极电连接；
22、所述第一电极与所述第六电极均接地。
23、可选的，所述的声波滤波器，其特征在于，还包括：与多个所述空腔一一对应的多个保护墙；所述保护墙位于所述soi衬底内且围绕所述空腔设置。
24、可选的，所述的声波滤波器，还包括：贯穿所述堆叠结构多个释放通道；各所述释放通道分别与各所述空腔连通。
25、可选的，所述的声波滤波器，还包括：钝化层；所述钝化层设置于所述堆叠结构背离所述soi衬底的一侧。
26、第二方面，本专利技术还提供一种声波滤波器的制备方法，用于制备上述任一项所述的声波滤波器，包括：
27、提供soi衬底；所述soi衬底的一侧设置有多个空腔；所述空腔包括至少一个第一空腔和至少一个第二空腔；
28、在所述soi衬底的一侧形成堆叠结构；所述堆叠结构包括至少一个与所述第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与所述第二空腔一一对应的第二堆叠结构；所述第一堆叠结构在所述soi衬底上的正投影位于所述第一空腔所在区域内；
29、所述堆叠结构包括种子层；所述第一堆叠结构中的所述种子层的厚度小于所述第二堆叠结构中的所述种子层的厚度。
30、本专利技术的技术方案，通过使声波滤波器包括soi衬底和位于soi衬底一侧的堆叠结构，soi衬底的一侧设置有多个空腔，堆叠结构包括至少一个与第一空腔一一对应的第一堆叠结构，以及至少一个与第二空腔一一对应的第二堆叠结构，且第一堆叠结构在soi衬底上的正投影位于第一空腔所在区域内，使得第一空腔与第一堆叠结构构成第一谐振器，第二空腔与第二堆叠结构构成第二谐振器，通过使第一堆叠结构中的种子层的厚度小于第二堆叠结构中的种子层的厚度，使得当第一谐振器为串联谐振器时，第一谐振器具有第二反谐振频率值，以在声波滤波器的右侧产生第二传输零点，增大声波滤波器的右侧滚降特性，从而改善声波滤波器右侧的近带抑制，相应的，当第一谐振器为并联谐振器时，第一谐振器具有第二谐振频率值，以在声波滤波器的左侧产生第二传输零点，增大声波滤波器的左滚降特性，从而改善声波滤波器左侧的近带抑制。
31、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种声波滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声波滤波器，其特征在于，所述空腔还包括至少一个第三空腔；
3.根据权利要求2所述的声波滤波器，其特征在于，所述堆叠结构还包括：
4.根据权利要求3所述的声波滤波器，其特征在于，所述质量负载层还包括至少一个与所述第一空腔一一对应设置的第二质量负载结构；所述第二质量负载结构位于所述压电层与所述第四电极之间。
5.根据权利要求3所述的声波滤波器，其特征在于，所述第二电极与所述第三电极电连接；
6.根据权利要求4所述的声波滤波器，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的声波滤波器，其特征在于，还包括：与多个所述空腔一一对应的多个保护墙；所述保护墙位于所述SOI衬底内且围绕所述空腔设置。
8.根据权利要求7所述的声波滤波器，其特征在于，还包括：贯穿所述堆叠结构多个释放通道；各所述释放通道分别与各所述空腔连通。
9.根据权利要求1所述的声波滤波器，其特征在于，还包括：钝化层；所述钝化层设置于所述堆叠结构背离所述SOI衬底的一侧。
...【技术特征摘要】
1.一种声波滤波器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的声波滤波器，其特征在于，所述空腔还包括至少一个第三空腔；
3.根据权利要求2所述的声波滤波器，其特征在于，所述堆叠结构还包括：
4.根据权利要求3所述的声波滤波器，其特征在于，所述质量负载层还包括至少一个与所述第一空腔一一对应设置的第二质量负载结构；所述第二质量负载结构位于所述压电层与所述第四电极之间。
5.根据权利要求3所述的声波滤波器，其特征在于，所述第二电极与所述第三电极电连接；
6.根据权利要求4所述的声波滤波器...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹杨，谢英，蔡耀，丁志鹏，刘炎，丁嘉祺，孙博文，孙成亮，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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