【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及谐振器的，尤其涉及一种谐振器及其制备方法。
技术介绍
1、无线通讯技术的超高速发展和通讯终端的多功能化，对工作在射频频段的频率器件提出了更高性能的要求，相对于传统的介质陶瓷滤波器和声表面波滤波器，谐振器具有非常大的优势。谐振器具有高频率，低损耗，低温飘特性，因此，谐振器占据了大部分无线通讯的应用领域。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种谐振器及其制备方法，通过设置防护栅结构，可以提升谐振器的结构稳定性，并保证谐振器整体性能更优。
2、第一方面，本专利技术实施例提供的一种谐振器，包括衬底结构、牺牲层结构、防护栅结构和谐振堆叠结构；
3、所述衬底结构包括衬底层和键合材料层，所述键合材料层位于所述衬底层的一侧；
4、所述牺牲层结构位于所述键合材料层远离所述衬底层的一侧，所述牺牲层结构包括空腔以及围绕所述空腔的牺牲层本体；所述牺牲层本体包括镂空区，所述镂空区围绕所述空腔；
5、所述防护栅结构包括第一防护栅和第二防护栅，所述防护栅位于所述镂空区并且围绕所述空腔，所述第二防护栅位于所述第一防护栅靠近所述键合材料层的中心，所述第二防护栅位于所述牺牲层本体靠近所述空腔的一侧；
6、所述堆叠谐振结构位于所述牺牲层结构远离所述键合材料层的一侧；所述堆叠谐振结构包括第一牺牲通道，所述第一牺牲通道贯穿所述堆叠谐振结构；沿所述衬底结构厚度方向，所述第一牺牲通道位于所述第二防护栅靠近所述键合材料层的中心，并且所述第一牺牲通道的
7、可选的，所述镂空区包括多个镂空子区，远离所述空腔的所述镂空子区围绕靠近所述空腔的所述镂空子区；所述第一防护栅包括至少一个第一防护子栅，所述第一防护子栅位于所述镂空子区。
8、可选的，所述第一防护栅包括n个第一防护子栅；
9、其中，1≤n≤9，n为正整数。
10、可选的，所述第一防护栅包括多个第一防护子栅，沿所述防护栅结构指向所述空腔的方向，相邻两个所述第一防护子栅之间间距相同；
11、沿所述防护栅结构指向所述空腔的方向，所述第二防护栅与相邻的所述第一防护子栅之间的间距与相邻两个所述第一防护子栅之间间距相同。
12、可选的，所述谐振器还包括种子层结构；所述种子层结构位于所述堆叠谐振结构靠近所述牺牲层结构的一侧。
13、可选的，所述谐振器还包括反射栅结构，所述反射栅结构位于所述谐振堆叠结构远离所述防护栅结构的一侧；
14、沿所述衬底结构厚度方向，所述反射栅结构的投影与所述防护栅结构的投影存在交叠。
15、可选的，所述牺牲层结构包括硅牺牲层；
16、所述防护栅结构包括耐硅腐蚀防护栅。
17、可选的，所述堆叠谐振结构包括第一电极、压电材料和第二电极；
18、所述第一电极位于所述牺牲层结构远离所述键合材料层的一侧，所述压电材料位于所述第一电极远离所述牺牲层结构的一侧，所述第二电极位于所述压电材料远离所述第一电极的一侧；
19、所述谐振器包括功能区，沿所述衬底结构的厚度方向，在所述功能区的投影分别与所述第一电极的投影、所述压电材料的投影和所述第二电极的投影均存在交叠；
20、沿所述衬底结构的厚度方向，所述空腔的投影覆盖所述功能区的投影。
21、可选的，所述压电材料包括第二镂空区，沿所述衬底结构的厚度方向，所述第二镂空区与所述第一电极存在交叠，所述第二镂空区与所述第二电极不交叠；
22、所述堆叠谐振结构还包括第一引脚和第二引脚；
23、所述第一引脚位于所述第二镂空区，并且所述第一引脚与所述第一电极电连接；所述第二引脚位于所述第二电极远离所述压电材料的一侧，并且所述第二引脚与所述第二电极电连接。
24、第二方面，本专利技术实施例提供一种谐振器的制备方法，用于制备第一方面所述的谐振器，所述制备方法包括：
25、提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底层和键合材料层，所述键合材料层位于所述衬底层的一侧；
26、提供牺牲层结构，所述牺牲层结构位于所述键合材料层远离所述衬底层的一侧；
27、刻蚀所述牺牲层结构并制备镂空区；
28、提供防护栅结构，所述防护栅结构位于所述镂空区；所述防护栅结构包括第一防护栅和第二防护栅，所述第一防护栅和所述第二防护栅位于所述镂空区，所述第二防护栅位于所述第一防护栅靠近所述键合材料层的中心；
29、提供堆叠谐振结构，所述堆叠谐振结构位于所述牺牲层结构远离所述键合材料层的一侧；
30、刻蚀所述堆叠谐振结构并制备第一牺牲通道，所述第一牺牲通道贯穿所述堆叠谐振结构，沿所述衬底结构的厚度方向，所述第一牺牲通道位于所述第二防护栅靠近所述键合材料层的中心；
31、通过所述第一牺牲通道去除部分所述牺牲层结构并制备空腔，所述牺牲层包括所述空腔以及围绕所述空腔的牺牲层本体。
32、本专利技术实施例提供一种谐振器，谐振器的衬底结构包括衬底层和键合材料层，谐振器的牺牲层结构包括空腔以及围绕空腔的牺牲层本体，并且在牺牲层本体处设置围绕空腔的镂空区，谐振器在镂空区设置防护栅，防护栅结构包括第一防护栅和第二防护栅，第二防护栅位于第一防护栅靠近键合材料层的中心，第二防护栅位于牺牲层本体靠近空腔的一侧。进一步的，谐振器还包括堆叠谐振结构，堆叠谐振结构包括第一牺牲通道，沿衬底结构厚度方向，第一牺牲通道的位于第二防护栅靠近键合材料层的中心，并且第一牺牲通道的投影与空腔的投影重合。设置的第一牺牲通道用于传输腐蚀气体或者腐蚀液体，将原本在空腔处的牺牲层本体去除，从而形成空腔。通过设置防护栅，可以限定腐蚀气体或者腐蚀液体的流动范围，保证空腔的稳定形成，并且不会影响到其他区域，保证谐振器的结构稳定，同时利用防护栅可以保证谐振器整体的声波反射效果，并且减弱温度漂移的情况，从而保证谐振器整体性能更优。
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1.一种谐振器，其特征在于，包括衬底结构、牺牲层结构、防护栅结构和谐振堆叠结构；
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述镂空区包括多个镂空子区，远离所述空腔的所述镂空子区围绕靠近所述空腔的所述镂空子区；所述第一防护栅包括至少一个第一防护子栅，所述第一防护子栅位于所述镂空子区。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述第一防护栅包括n个第一防护子栅；
4.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述第一防护栅包括多个第一防护子栅，沿所述防护栅结构指向所述空腔的方向，相邻两个所述第一防护子栅之间间距相同；
5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述谐振器还包括种子层结构；所述种子层结构位于所述堆叠谐振结构靠近所述牺牲层结构的一侧。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述谐振器还包括反射栅结构，所述反射栅结构位于所述谐振堆叠结构远离所述防护栅结构的一侧；
7.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述牺牲层结构包括硅牺牲层；
8.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于
9.根据权利要求8所述的谐振器，其特征在于，所述压电材料包括第二镂空区，沿所述衬底结构的厚度方向，所述第二镂空区与所述第一电极存在交叠，所述第二镂空区与所述第二电极不交叠；
10.一种谐振器的制备方法，用于制备权利要求1-8任一项所述的谐振器，其特征在于，所述制备方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种谐振器，其特征在于，包括衬底结构、牺牲层结构、防护栅结构和谐振堆叠结构；
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述镂空区包括多个镂空子区，远离所述空腔的所述镂空子区围绕靠近所述空腔的所述镂空子区；所述第一防护栅包括至少一个第一防护子栅，所述第一防护子栅位于所述镂空子区。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述第一防护栅包括n个第一防护子栅；
4.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述第一防护栅包括多个第一防护子栅，沿所述防护栅结构指向所述空腔的方向，相邻两个所述第一防护子栅之间间距相同；
5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述谐振器还包括种子层结构；所述种子层结构位于所述堆叠谐...
【专利技术属性】
技术研发人员：谷曦宇，刘炎，温志伟，汪泽凯，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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