【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及谐振器，尤其涉及一种体声波谐振器及其制备方法。
技术介绍
1、体声波谐振器包括一个声反射结构和两个电极，以及位于两个电极之间的被称作压电激励的压电层。现有技术中为了电极以及压电层在声反射结构上的沉积质量，采用绝缘衬底上的硅(silicon-on-insulator，soi)衬底并采用在soi衬底设置保护墙来定义空腔范围，利用释放气体释放硅的原理形成空腔。
2、而在soi衬底上形成保护墙的过程中，由于生长工艺的原因保护墙容易出现空洞、台阶、裂缝等缺陷，导致生长薄膜的质量变差；还可能使得后续在释放气体释放空腔的过程中容易通过裂缝腐蚀电极，引起体声波谐振器失效或者降低体声波谐振器q值的问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种体声波谐振器及其制备方法，以解决现有技术中因保护墙的空洞、台阶、裂缝缺陷，影响导致生长薄膜的质量和可靠性的问题。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种体声波谐振器，其中包括：衬底、换能器堆叠结构、保护墙和第一保护层，换能器堆叠结构
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底、换能器堆叠结构、保护墙和第一保护层，所述换能器堆叠结构位于所述衬底一侧；
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一保护层的热膨胀系数与所述衬底的热膨胀系数之间的差值小于所述保护墙的热膨胀系数与所述衬底的热膨胀系数之间的差值。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器还包括种子层；所述种子层和所述第一保护层的材料不同，且所述种子层的晶格与所述换能器堆叠结构的晶格匹配；
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述换能器堆叠结构包括叠层设
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底、换能器堆叠结构、保护墙和第一保护层，所述换能器堆叠结构位于所述衬底一侧；
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一保护层的热膨胀系数与所述衬底的热膨胀系数之间的差值小于所述保护墙的热膨胀系数与所述衬底的热膨胀系数之间的差值。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器还包括种子层；所述种子层和所述第一保护层的材料不同，且所述种子层的晶格与所述换能器堆叠结构的晶格匹配；
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述换能器堆叠结构包括叠层设置的底电极层；
5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述换能器堆叠结构包括叠层设置的底电极层、压电层和顶电极层，所述顶电极层位于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁志鹏，谢英，邹杨，刘炎，蔡耀，孙成亮，孙博文，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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