一种太赫兹防静电混频器及IQ混频器制造技术

技术编号:40029083 阅读:16 留言:0更新日期:2024-01-16 17:57
本发明专利技术涉及一种太赫兹防静电混频器及IQ混频器。其中,太赫兹防静电混频器包括依次相连的射频波导探针过渡电路、第一匹配电路、反向并联二极管对电路、第二匹配电路、本振低通滤波器、本振波导探针过渡电路、中频低通滤波器和中频输出电路;其中,射频波导探针过渡电路接收射频信号的输入,本振波导过渡电路接收本振信号的输入,中频输出电路输出中频信号;还包括防静电电路,防静电电路设置于中频输出电路的后端。由于防静电电路设置于中频输出电路的后端,使得外部静电从同轴线的内部导体进入,静电进入混频器后经过中频输出直接到达防静电电路,不会对内部的太赫兹二极管产生损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太赫兹,具体涉及一种太赫兹防静电混频器及iq混频器。


技术介绍

1、静电放电(electrostatic discharge,esd)是一种古老的自然现象,其本质是当两个具有不同静电位的物体互相靠近或接触时所产生的电荷转移。esd现象普遍存在于我们的日常生活中。所以,在集成电路制造,测试封装以及应用的过程中,esd现象也都无时无刻的在发生。一般来说,esd的持续时间较短,仅为几十至几百纳秒的数量级,但静电所产生的瞬时电压会很高,通常高达几百上千伏特。例如,干燥毛衣上所产生的静电可达上千伏特,人在干燥的地毯上行走是可能会产生上万伏的静电电压。虽然这些静电几乎不会对人体产生任何影响,但对于耐压只有几伏到几十伏特的半导体电路来说,esd可以轻易的击穿这些电路并引起较大的瞬态电流。

2、太赫兹电路技术作为太赫兹技术的核心之一,太赫兹系统的实现,也依赖于太赫兹电路性能的突破。近二十年来,在世界范围内关于各种太赫兹电路的研究正如火如荼的展开着,引发了广大科研工作者的高度关注和积极探索。太赫兹电路经过近些年的技术攻关和突破,无论是有源电路,如:本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太赫兹防静电混频器,包括依次相连的射频波导探针过渡电路、第一匹配电路、反向并联二极管对电路、第二匹配电路、本振低通滤波器、本振波导探针过渡电路、中频低通滤波器和中频输出电路;其中,射频波导探针过渡电路接收射频信号的输入,本振波导过渡电路接收本振信号的输入,中频输出电路输出中频信号;其特征在于,还包括防静电电路,所述防静电电路设置于中频输出电路的后端。

2.如权利要求1所述的太赫兹防静电混频器,其特征在于,所述防静电电路通过跳金丝连接到所述中频输出电路的输出端。

3.如权利要求1所述的太赫兹防静电混频器,其特征在于,所述防静电电路包括多个并联的二极管串和钳位...

【技术特征摘要】

1.一种太赫兹防静电混频器,包括依次相连的射频波导探针过渡电路、第一匹配电路、反向并联二极管对电路、第二匹配电路、本振低通滤波器、本振波导探针过渡电路、中频低通滤波器和中频输出电路;其中,射频波导探针过渡电路接收射频信号的输入,本振波导过渡电路接收本振信号的输入,中频输出电路输出中频信号;其特征在于,还包括防静电电路,所述防静电电路设置于中频输出电路的后端。

2.如权利要求1所述的太赫兹防静电混频器,其特征在于,所述防静电电路通过跳金丝连接到所述中频输出电路的输出端。

3.如权利要求1所述的太赫兹防静电混频器,其特征在于,所述防静电电路包括多个并联的二极管串和钳位二极管,对于任意一个二极管串,包括第一二极管d1和第二二极管d2,所述第一二极管d1的阳极接地,阴极与第二二极管d2的阳极之间的连接点作为中间节点,所述第二二极管d2的阴极连接到所述箝位二极管d3的阴极,所述箝位二极管d3的阳极接地;任意一个或几个所述中间节点连接到中频输出电路的后端。

4.如权利要求1所述的太赫兹防静电混频器,其特征在于,所述防静电电路包括多个并联的二极管串和npn三极管t,对于任意一个二极管串,包括第一二极管d1和第二二极管d2,所述第一二极管d1的阳极接地,...

【专利技术属性】
技术研发人员:张波牛中乾支炜孙明伟谢剑贾丰泽王媛
申请(专利权)人:重庆新曦通信技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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