一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器制造技术

技术编号:40027268 阅读:8 留言:0更新日期:2024-01-16 17:41
本技术涉及一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,包括上盖、石英芯片和基座,所述的基座具有一内腔,该内腔底部安装有石英芯片,所述的基座上端通过上盖封住,该基座底部设有多个与石英芯片相连的底面电极,所述的底面电极的下端围绕着边缘设有一圈环形凸台,该环形凸台的内壁与底面电极的下端面包围形成中部向内凹陷的抗锡裂凹槽。本技术化了现有PAD的结构,全新设计出了底面电极的结构,相对于原先的平面型PAD结构的谐振器,本实用的谐振器其抗锡裂能力提高20%以上。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及石英晶体频率组件,特别是涉及一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器


技术介绍

1、汽车电气产品的使用具有特殊的要求,往往会处在比较严苛的环境中,比如极端的温度环境,并且温度处于循环的变化之中。根据各种材料的特性,不同的热膨胀系数,材料的收缩率不同,不可避免产生应力(应变)。焊锡材料由于应力的存在,随着时间的推移会不同程度的发生蠕变的现象,有于蠕变的存在,经过时间的推移,就导致材料的劣化。特定温度循环下,产品蠕变的大小,材料抗冷热冲击的能力,不仅仅跟温度的循环,材料的物理特性有关,而且取决于pad接触面的结构。通常情况下pad的大小是伴随着产品大小而存在,而优化的pad结构能够使蠕变的时间延长,增加焊锡的抗劣化能力,从而提高焊锡的抗锡裂性能。


技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题是提供一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,化了现有pad的结构,全新设计出了底面电极的结构,相对于原先的平面型pad结构的谐振器,本实用的谐振器其抗锡裂能力提高20%以上。

2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,包括上盖、石英芯片和基座,所述的基座具有一内腔,该内腔底部安装有石英芯片,所述的基座上端通过上盖封住,该基座底部设有多个与石英芯片相连的底面电极,所述的底面电极的下端围绕着边缘设有一圈环形凸台,该环形凸台的内壁与底面电极的下端面包围形成中部向内凹陷的抗锡裂凹槽。

3、作为对本技术所述的技术方案的一种补充,所述的内腔的底部通过导电银胶与石英芯片相连。

4、作为对本技术所述的技术方案的一种补充,所述的基座上端通过金属焊封环与上盖相连。

5、作为对本技术所述的技术方案的一种补充,所述的环形凸台与底面电极采用一体成型。

6、作为对本技术所述的技术方案的一种补充,所述的环形凸台的宽度为d1,d1的尺寸范围为0.1mm~0.5mm,所述的环形凸台的高度为d2,d2的尺寸范围为0mm~0.06mm。

7、作为对本技术所述的技术方案的一种补充,所述的d1最佳的尺寸为0.25mm,所述的d2最佳尺寸为0.02mm。

8、作为对本技术所述的技术方案的一种补充,所述的环形凸台下端面与底面电极下端面之间的间距为d3,d3的尺寸范围为0mm~0.052mm。

9、有益效果:本技术涉及一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,优化了现有pad的结构,全新设计出了底面电极的结构,相对于原先的平面型pad结构的谐振器,本实用的谐振器其抗锡裂能力提高20%以上;还完善了生产所需的外形条件,便于大量生产,并且品质一致。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,包括上盖(1)、石英芯片(4)和基座(5),其特征在于:所述的基座(5)具有一内腔,该内腔底部安装有石英芯片(4),所述的基座(5)上端通过上盖(1)封住,该基座(5)底部设有多个与石英芯片(4)相连的底面电极(6),所述的底面电极(6)的下端围绕着边缘设有一圈环形凸台(7),该环形凸台(7)的内壁与底面电极(6)的下端面包围形成中部向内凹陷的抗锡裂凹槽。

2.根据权利要求1所述的一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,其特征在于:所述的内腔的底部通过导电银胶(3)与石英芯片(4)相连。

3.根据权利要求1所述的一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,其特征在于:所述的基座(5)上端通过金属焊封环(2)与上盖(1)相连。

4.根据权利要求1所述的一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,其特征在于:所述的环形凸台(7)与底面电极(6)采用一体成型。

5.根据权利要求1所述的一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,其特征在于:所述的环形凸台(7)的宽度为d1,d1的尺寸范围为0.1mm~0.5mm,所述的环形凸台(7)的高度为d2,d2的尺寸范围为0mm~0.06mm。

6.根据权利要求5所述的一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,其特征在于:所述的d1的尺寸为0.25mm,所述的d2的尺寸为0.02mm。

7.根据权利要求1所述的一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,其特征在于:所述的环形凸台(7)下端面与底面电极(6)下端面之间的间距为d3,d3的尺寸范围为0mm~0.052mm。

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【技术特征摘要】

1.一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,包括上盖(1)、石英芯片(4)和基座(5),其特征在于:所述的基座(5)具有一内腔,该内腔底部安装有石英芯片(4),所述的基座(5)上端通过上盖(1)封住,该基座(5)底部设有多个与石英芯片(4)相连的底面电极(6),所述的底面电极(6)的下端围绕着边缘设有一圈环形凸台(7),该环形凸台(7)的内壁与底面电极(6)的下端面包围形成中部向内凹陷的抗锡裂凹槽。

2.根据权利要求1所述的一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,其特征在于:所述的内腔的底部通过导电银胶(3)与石英芯片(4)相连。

3.根据权利要求1所述的一种抗锡裂性能良好的石英晶体谐振器,其特征在于:所述的基座(5)上端通过金属焊封环(2)与上盖(1)相连。

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【专利技术属性】
技术研发人员:张代红许碧琴吴中林班建珍金凯
申请(专利权)人:宁波晶创科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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