【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及谐振器，具体而言，涉及一种谐振器及其制备方法。
技术介绍
1、近年来，随着通信技术的发展，体声波谐振器因具有尺寸小、工作频率高、功耗低、品质因数高、与cmos工艺兼容等特点，在无线通信领域发挥着重要作用。其中，目前的体声波谐振器的研发10和制备已经从硅基逐渐过渡到非硅基，如蓝宝石衬底和碳化硅衬底。由于蓝宝石衬底和碳化硅衬底在形成准单晶压电薄膜方面有显著的优势，因此它们被视为提升体声波谐振器性能的重要手段之一。
2、受限于刻蚀工艺的复杂性和成本过高的问题，现有技术中如何在蓝宝石衬底或碳化硅衬底上形成空腔，如何在生长压电薄膜后去除蓝宝石衬底或碳化硅衬底等问题上难以找到合适的解决方案；且在简化生产工艺的前提下如何有效提高谐振器的性能也是目前关注的技术难点。因此，如何采用一种简单的制备工艺得到具有高性能的体声波谐振器是目前亟待解决的技术难题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种谐振器及其制备方法，该谐振器的制备方法制备工艺简单，且能够提高器件的q值并能一定程度
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1.一种谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述凹槽结构在所述单晶材料层上的正投影呈环形设置。
3.根据权利要求2所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述凹槽结构的深度在10nm至500nm之间。
4.根据权利要求2或3所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述凹槽结构的宽度在0.5μm至10μm之间。
5.根据权利要求1所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述自所述单晶材料层刻蚀有所述凹槽结构的一面进行离子注入，以在所述单晶材料层内形成损伤层，包括：
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【技术特征摘要】
1.一种谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述凹槽结构在所述单晶材料层上的正投影呈环形设置。
3.根据权利要求2所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述凹槽结构的深度在10nm至500nm之间。
4.根据权利要求2或3所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述凹槽结构的宽度在0.5μm至10μm之间。
5.根据权利要求1所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述自所述单晶材料层刻蚀有所述凹槽结构的一面进行离子注入，以在所述单晶材料层内形成损伤层，包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：林炳辉，蔡耀，高超，周杰，邹杨，王雅馨，杨婷婷，汪泽凯，孙博文，孙成亮，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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