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一种谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域。该谐振器的制备方法包括：对单晶材料层进行刻蚀以形成凹槽结构；自单晶材料层刻蚀有凹槽结构的一面进行离子注入，以在单晶材料层内形成损伤层；在单晶材料层刻蚀有凹槽结构的一面形成键合层，并刻蚀键合层以形成...
该专利属于武汉敏声新技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉敏声新技术有限公司授权不得商用。

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