【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于微电子领域的陶瓷复合基板。
技术介绍
随着微电子技术的不断进步，低温共烧陶瓷基板由于布线层数高、布线导体方阻 小、介电常数低、烧结温度低、具有良好的高频特性和高速传输特性等优点而成为一种理想 的MCM用基板。但由于普通低温共烧陶瓷基板导热性差，热导率一般为2 3w/m k，当电 路中存在功率元器件时，很容易引起模块内温度升高，引起或加快元器件的失效。现有解决 低温共烧陶瓷等陶瓷基板散热的方法主要是通过AuSn共晶焊焊接一金属热沉板。AuSn焊 接的方法需要在LTCC表面进行厚膜金层金属化或电镀，这不仅增加了工艺的复杂性，而且 由于采用了厚膜Au层和AuSn焊料等Au系材料而大大提高了成本，且工作温度只能小于 400°C，工作温度不高。
技术实现思路
本专利技术针对现有陶瓷基板的不足，提供了一种不仅具有普通陶瓷基板多层布线等 特性，而且具有金属基板高导热性、高强度的陶瓷金属复合基板。本专利技术是通过以下技术方案实现的一种陶瓷复合基板，包括有陶瓷基板本体，所述的陶瓷基板本体层粘接有一层金 属基片。一种陶瓷复合基板，在所述陶瓷基板本体与金属基片之间设有用于将两者结合固 定在一起的过渡层。一种陶瓷复合基板，所述的金属基片的材质为CuMoCu。本专利技术将陶瓷基板与金属结合于一起，做成陶瓷金属复合基板，该基板不仅具有 低温共烧陶瓷基板的多层布线等特性，而且具有金属基板高导热性、高强度的特性。解决了 普通低温共烧陶瓷基板导热性差、强度低等的不足，提高了低温共烧陶瓷基板性能，可扩大 低温共烧陶瓷基板的应用领域，并且这种陶瓷金属复合基板的生产加工成本...
【技术保护点】
一种陶瓷复合基板，包括有陶瓷基板本体，其特征在于所述的陶瓷基板本体层粘接有一层金属基片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李建辉，沐方清，王正义，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十三研究所，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]
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