【技术实现步骤摘要】
本公开涉及三维(3d)铁电存储器件。
技术介绍
1、根据相关技术的硬盘已被固态驱动器(ssd)取代，因此，作为非易失性存储器件的nand闪速存储器件已商业化。近来，由于紧凑尺寸和高集成的趋势，已经开发了具有在垂直方向上堆叠在衬底上的多个存储单元的三维(3d)nand闪速存储器件。
2、此外，目前正在进行将具有低操作电压和高编程速率的铁电场效应晶体管(fefet)应用于三维nand闪速存储器件的研究。
技术实现思路
1、提供了三维(3d)铁电存储器件。
2、另外的方面将部分地在以下描述中阐述，并将部分地自该描述明显，或者可以通过实践本公开的呈现的实施方式而获知。
3、根据实施方式，一种3d铁电存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的多个栅电极、与所述多个栅电极接触的多个铁电层、与所述多个铁电层接触的多个中间电极、与所述多个中间电极接触的栅极绝缘层、以及与栅极绝缘层接触的沟道层。所述多个中间电极中的每个的宽度可以大于所述多个铁电层中的每个与所述多个中间电极中的相...
【技术保护点】
1.一种三维铁电存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，其中
3.根据权利要求2所述的三维铁电存储器件，其中
4.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，其中所述多个铁电层中的每个与所述多个中间电极中的相应一个接触的面积小于所述栅极绝缘层与所述多个中间电极中的每个接触的面积。
5.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，其中所述多个中间电极中的每个的所述宽度是所述多个铁电层中的每个与所述多个中间电极中的相应一个接触的所述宽度的1.2倍至5倍。
6.根据权利要求5所述的三维铁电存储器件，其中所述...
【技术特征摘要】
1.一种三维铁电存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，其中
3.根据权利要求2所述的三维铁电存储器件，其中
4.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，其中所述多个铁电层中的每个与所述多个中间电极中的相应一个接触的面积小于所述栅极绝缘层与所述多个中间电极中的每个接触的面积。
5.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，其中所述多个中间电极中的每个的所述宽度是所述多个铁电层中的每个与所述多个中间电极中的相应一个接触的所述宽度的1.2倍至5倍。
6.根据权利要求5所述的三维铁电存储器件，其中所述多个中间电极中的每个的所述宽度是15nm至100nm。
7.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，其中所述多个栅电极中的每个和所述多个中间电极中的每个独立地包括w、tin、tan、wn、nbn、mo、ru、ir、ruo、iro和多晶硅中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的三维铁电存储器件，其中所述多个第一绝缘层包括sio、sioc和sion中的至少一种。
10.根据权利要求8所述的三维铁电存储器件，其中所述多个第一绝缘层中的每个具有7nm至100nm的厚度。
11.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，其中所述多个铁电层包括基于萤石的材料、基于氮化物的材料或钙钛矿。
12.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，其中所述多个铁电层中的每个具有3nm至20nm的厚度。
13.根据权利要求1所述的三维铁电存储器件，进一步包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：许镇盛，文泰欢，南胜杰，李泫宰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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