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一种三维(3D)铁电存储器件可以包括堆叠在衬底上的多个栅电极、与所述多个栅电极接触的多个铁电层、与所述多个铁电层接触的多个中间电极、与所述多个中间电极接触的栅极绝缘层、以及与栅极绝缘层接触的沟道层。中间电极的宽度可以大于铁电层与中间电极接触...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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