【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体封装，更具体地，涉及一种包括连接柱和插入层的半导体封装。
技术介绍
1、响应于电子产业的快速发展和用户需求，电子产品变得越来越小型化和多功能化。对用于电子产品的半导体器件的小型化和多功能化的需求也越来越大。
2、近期，已经开发了封装，其中堆叠半导体芯片以增加存储容量和数据处理速度。这种封装需要密集地堆叠半导体芯片。
技术实现思路
1、一个方面是提供一种具有增加的可靠性和改进的电性能的半导体封装。
2、根据一些实施方式的一方面，一种半导体封装可以包括：第一下再分布层；在第一下再分布层之上的第一上再分布层；在第一下再分布层和第一上再分布层之间的第一半导体芯片；第一连接柱，与第一半导体芯片间隔开并且将第一下再分布层连接到第一上再分布层；在第一上再分布层上的第一插入层；在第一插入层上的第二插入层；在第二插入层上的第二下再分布层；在第二下再分布层之上的第二上再分布层；在第二下再分布层和第二上再分布层之间的第二半导体芯片；以及第二连接柱，与第二半导体芯片间隔开并且将第二下再分布层连接到第二上再分布层。
3、根据一些实施方式的另一方面，一种半导体封装可以包括：第一下再分布层；在第一下再分布层上的第一上再分布层；在第一下再分布层和第一上再分布层之间的第一半导体芯片；在第一上再分布层上的第一插入层；在第一插入层上的第二插入层；在第二插入层上的第二下再分布层；在第二下再分布层上的第二上再分布层；以及在第二下再分布层与第二上再分布层之间的第二半导体
4、根据一些实施方式的又一方面，一种半导体封装可以包括：焊料球；在焊料球上的第一下再分布层；在第一下再分布层上的第一管芯附接膜；在第一管芯附接膜上的第一半导体芯片；在第一半导体芯片上的第一模制层；在第一模制层上的第一上再分布层；第一连接柱，将第一下再分布层连接到第一上再分布层；第一芯片柱，将第一半导体芯片连接到第一上再分布层；在第一上再分布层上的第一插入层；在第一插入层上的第二插入层；在第二插入层上的第二下再分布层；在第二下再分布层上的第二模制层；在第二模制层上的第二半导体芯片；在第二半导体芯片上的第二管芯附接膜；在第二管芯附接膜上的第二上再分布层；第二连接柱，将第二下再分布层连接到第二上再分布层；以及第二芯片柱，将第二半导体芯片连接到第二下再分布层。第一连接柱可以垂直重叠第二半导体芯片。第二连接柱可以垂直重叠第一半导体芯片。
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1.一种半导体封装，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装，还包括：
3.如权利要求1所述的半导体封装，其中：
4.如权利要求1所述的半导体封装，其中：
5.如权利要求1所述的半导体封装，其中：
6.如权利要求1所述的半导体封装，还包括连接到所述第一下再分布层的焊料球。
7.如权利要求1所述的半导体封装，还包括将所述第一半导体芯片连接到所述第一上再分布层的第一芯片柱。
8.如权利要求7所述的半导体封装，还包括将所述第二半导体芯片连接到所述第二下再分布层的第二芯片柱。
9.如权利要求7所述的半导体封装，其中：
10.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一下再分布层、所述第一上再分布层、所述第二下再分布层和所述第二上再分布层中的每个包括再分布图案和围绕所述再分布图案的再分布电介质层，
11.一种半导体封装，包括：
12.如权利要求11所述的半导体封装，还包括：
13.如权利要求12所述的半导体封装，其中：
14.如权利要求1
15.如权利要求11所述的半导体封装，还包括将所述第一半导体芯片连接到所述第一上再分布层的第一芯片柱，
16.如权利要求15所述的半导体封装，其中所述第一芯片柱包括铜。
17.如权利要求15所述的半导体封装，还包括将所述第二半导体芯片连接到所述第二下再分布层的第二芯片柱，
18.如权利要求11所述的半导体封装，还包括：
19.如权利要求11所述的半导体封装，其中所述第一插入层和所述第二插入层中的每个包括导电结构和围绕所述导电结构的插入电介质层，
20.一种半导体封装，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装，还包括：
3.如权利要求1所述的半导体封装，其中：
4.如权利要求1所述的半导体封装，其中：
5.如权利要求1所述的半导体封装，其中：
6.如权利要求1所述的半导体封装，还包括连接到所述第一下再分布层的焊料球。
7.如权利要求1所述的半导体封装，还包括将所述第一半导体芯片连接到所述第一上再分布层的第一芯片柱。
8.如权利要求7所述的半导体封装，还包括将所述第二半导体芯片连接到所述第二下再分布层的第二芯片柱。
9.如权利要求7所述的半导体封装，其中：
10.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一下再分布层、所述第一上再分布层、所述第二下再分布层和所述第二上再分布层中的每个包括再分布图案和围绕所述再分布图案的...
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