【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是指一种卧式炉和硅片热处理方法。
技术介绍
1、现有硅片热处理工艺中，使用的通用型的卧式炉内包括晶舟(可以是石英、碳化硅或者硅材质)和碳化硅材质的桨，在使用时，是将硅片装载在晶舟内，晶舟被放置在一个直条状的碳化硅材质的桨上，碳化硅材质的桨进入卧式炉内，在卧式炉内，桨的一端处于悬空状态，另一端连接移动机构和工艺过程用密封炉盖。
2、上述卧式炉结构还需要将机械手或者夹持机构在晶舟上取放硅片，在机械手或者夹持机构取放硅片时需要精准的位置控制(晶舟的硅片支撑梁需要保持在水平面上)才能保证硅片的成功取放。
3、但是现有的晶舟上一旦放置的硅片数量过多，硅片和晶舟的总体重量会导致碳化硅桨悬空端下垂，进而导致碳化硅桨会有折断的风险，若碳化硅桨折断会影响工艺进程和工艺效果，以及，硅片和晶舟的总体重量导致晶舟在垂直方向上形变，进一步导致取放硅片的精度降低，从而影响卧式炉外的自动化上下料的过程，并且由于碳化硅桨的下垂，会使得碳化硅桨出现歪斜，无法保证硅片处于炉管的正中间位置，导致硅片无法均匀受热，影响硅片热处理品质。
4、因此，现有的卧式炉内的晶舟和碳化硅桨的设计，具有无法承载数量过多的硅片以及热处理效果差的问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种卧式炉和硅片热处理方法，用以解决现有的卧式炉具有无法承载数量过多的硅片以及热处理效果差的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：
3、第
4、形成为圆柱状的卧式炉本体，所述卧式炉本体的第一端面为封闭端面，所述卧式炉本体的第二端面为开口端面；
5、晶舟，所述晶舟包括晶舟本体和与所述晶舟本体固定连接的第一炉盖，所述晶舟本体能够在所述卧式炉本体内部移动，在所述晶舟本体与所述第一端面之间的距离最短时，所述第一炉盖盖合所述第二端面；
6、其中，所述晶舟本体包括气流板、与所述气流板固定连接的硅片承载结构，所述气流板上开设有至少一个气流孔，所述硅片承载结构用于承载硅片；
7、所述晶舟本体在所述卧式炉本体内部移动时，所述气流板位于所述硅片承载结构和所述第一端面之间。
8、一些实施例中，所述晶舟本体的底部设置有两个滚轮；
9、所述卧式炉本体内部设置有由所述第一端面延伸至所述第二端面的两个凸台，两个所述凸台互相平行；
10、所述晶舟本体能够通过两个所述滚轮在所述卧式炉本体内部沿所述两个凸台移动。
11、一些实施例中，还包括：
12、设置于所述第二端面侧的两个延伸轨道以及与两个所述延伸轨道分别连接的升降机构；
13、两个所述延伸轨道之间的距离与两个所述凸台之间的距离相等；
14、所述升降机构用于驱动两个所述延伸轨道分别在两个所述凸台的上表面和所述卧式炉本体的下方之间升降。
15、一些实施例中，所述延伸轨道上设置有轨道槽，所述轨道槽用于容置所述滚轮。
16、一些实施例中，所述滚轮为碳化硅轴承。
17、一些实施例中，所述硅片承载结构包括至少两个支撑支架；
18、每个所述支撑支架的内侧开设有至少一个容置槽；
19、通过至少两个所述支撑支架上相应的容置槽共同作用承载一个所述硅片。
20、一些实施例中，所述硅片承载结构包括四个所述支撑支架；
21、每个所述支撑支架上的容置槽均作用在所述硅片的下半部对所述硅片进行承载。
22、一些实施例中，所述第一端面上开设有向外凸出的进气口；
23、所述卧式炉本体的侧面开设有向外凸出的排气口。
24、一些实施例中，还包括：
25、设置于所述卧式炉本体一侧的第二炉盖，所述第二炉盖能够盖合所述第二端面或打开所述第二端面。
26、一些实施例中，所述卧式炉本体采用石英材料制成。
27、第二方面，本专利技术实施例还提供一种硅片热处理方法，应用于如第一方面中任一项所述的卧式炉，所述方法包括：
28、控制所述晶舟本体在所述卧式炉本体内朝向所述第一端面移动，直至所述第一炉盖盖合所述第二端面；
29、对所述晶舟本体上的硅片承载结构承载的硅片进行热处理；
30、在所述卧式炉本体内的温度至预设温度时，控制所述晶舟本体在所述卧式炉本体内朝向所述第二端面移动，直至所述晶舟本体移动出所述卧式炉本体内部。
31、一些实施例中，控制所述晶舟本体在所述卧式炉本体内朝向所述第二端面移动，直至所述晶舟本体移动出所述卧式炉本体内部，包括：
32、控制升降机构驱动两个延伸轨道分别上升至两个凸台的上表面；
33、控制所述晶舟本体在所述卧式炉本体内朝向所述第二端面移动，直至所述晶舟本体移动出所述卧式炉本体内部，进入两个所述延伸轨道；
34、控制所述升降机构驱动两个延伸轨道分别下降至所述卧式炉本体的下方。
35、一些实施例中，在控制所述晶舟本体在所述卧式炉本体内朝向所述第二端面移动，直至所述晶舟本体移动出所述卧式炉本体内部之后，所述方法还包括：
36、控制第二炉盖盖合所述第二端面。
37、本专利技术的实施例具有以下有益效果：
38、本专利技术实施例提供的卧式炉，通过设计承载硅片的晶舟能够直接在卧式炉本体内移动，且在晶舟本体与所述第一端面之间的距离最短时，与晶舟本体连接的第一炉盖盖合第二端面，由晶舟本体承载硅片，并设计晶舟本体能够在卧式炉本体内移动，在保证了硅片承载数量的同时，避免在卧式炉本体内部使用碳化硅桨承载晶舟而导致的晶舟承载数量过多时，碳化硅桨具有折断的风险的问题，进而保证了工艺进程和工艺效果，且晶舟本体包括气流板，气流板上开设有气流孔，让卧式炉本体内的气流更均匀，从而提升硅片的热处理工艺效果。
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1.一种卧式炉，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的卧式炉，其特征在于，所述晶舟本体的底部设置有两个滚轮；
3.根据权利要求2所述的卧式炉，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的卧式炉，其特征在于，所述延伸轨道上设置有轨道槽，所述轨道槽用于容置所述滚轮。
5.根据权利要求2或4所述的卧式炉，其特征在于，所述滚轮为碳化硅轴承。
6.根据权利要求1所述的卧式炉，其特征在于，所述硅片承载结构包括至少两个支撑支架；
7.根据权利要求6所述的卧式炉，其特征在于，所述硅片承载结构包括四个所述支撑支架；
8.根据权利要求1所述的卧式炉，其特征在于，所述第一端面上开设有向外凸出的进气口；
9.根据权利要求1所述的卧式炉，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的卧式炉，其特征在于，所述卧式炉本体采用石英材料制成。
11.一种硅片热处理方法，其特征在于，应用于如权利要求1至权利要求9中任一项所述的卧式炉，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在控制所述晶舟本体在所述卧式炉本体内朝向所述第二端面移动，直至所述晶舟本体移动出所述卧式炉本体内部之后，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种卧式炉，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的卧式炉，其特征在于，所述晶舟本体的底部设置有两个滚轮；
3.根据权利要求2所述的卧式炉，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的卧式炉，其特征在于，所述延伸轨道上设置有轨道槽，所述轨道槽用于容置所述滚轮。
5.根据权利要求2或4所述的卧式炉，其特征在于，所述滚轮为碳化硅轴承。
6.根据权利要求1所述的卧式炉，其特征在于，所述硅片承载结构包括至少两个支撑支架；
7.根据权利要求6所述的卧式炉，其特征在于，所述硅片承载结构包括四个所述支撑支架；
8.根据权利要求1所述的卧式炉，其特征在于，所述第一端...
【专利技术属性】
技术研发人员：王阳，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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