【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光学器件，具体而言，涉及一种光学器件的制备方法及光学器件。
技术介绍
1、随着新型微纳光学器件的发展，传统的加工方法已无法满足三维微纳结构的加工需求，目前常用的三维微纳结构加工技术加工成本较高，工艺较复杂，加工周期较长。
技术实现思路
1、为了至少克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种光学器件的制备方法及光学器件。
2、第一方面，本申请实施例提供一种光学器件的制备方法，所述光学器件的制备方法包括：
3、提供一基板；
4、在所述基板的一侧制备光刻胶膜层；
5、对所述光刻胶膜层进行激光直写曝光和显影处理，形成至少一个由多级阶梯结构组成的半球形的凹陷区域；
6、对所述光刻胶膜层进行烘烤处理，以将所述阶梯结构热熔为平滑结构。
7、在一种可能的实现方式中，所述形成至少一个由多级阶梯结构组成的半球形的凹陷区域的步骤，包括：
8、形成多个由多级阶梯结构组成的半球形的凹陷区域；
9、优选地，所述凹陷区域在所述光刻胶膜层上呈阵列分布。
10、在一种可能的实现方式中，所述对所述光刻胶膜层进行激光直写曝光和显影处理的步骤，包括：
11、对所述光刻胶膜层进行激光直写曝光处理；
12、对曝光后的所述光刻胶膜层进行多次显影处理。
13、在一种可能的实现方式中，所述对曝光后的所述光刻胶膜层进行多次显影处理的步骤，包括：
14、对曝光后的
15、在一种可能的实现方式中，所述对所述光刻胶膜层进行烘烤处理的步骤，包括：
16、对所述光刻胶膜层进行多次烘烤处理。
17、在一种可能的实现方式中，所述对所述光刻胶膜层进行多次烘烤处理的步骤，包括：
18、对所述光刻胶膜层进行三次烘烤处理；第一次烘烤的温度为50℃，时间为15min，第二次烘烤的温度为125℃，时间为40min，第三次烘烤的温度175℃，时间为30min。
19、在一种可能的实现方式中，所述对所述光刻胶膜层进行激光直写曝光的步骤，包括：
20、制作曝光版图；
21、将所述曝光版图导入转换电脑，形成灰度图；其中，每个像素的灰度值与该像素的曝光量对应；
22、由激光直写曝光设备根据所述灰度图对所述光刻胶膜层进行激光直写曝光，其中，激光束对所述光刻胶膜层上的每个点的曝光量与所述灰度图上的对应像素点的灰度值相对应。
23、在一种可能的实现方式中，所述阶梯结构沿所述凹陷区域的中心位置对称分布。
24、在一种可能的实现方式中，所述光刻胶膜层为正性光刻胶。
25、第二方面，本申请实施例还提供一种光学器件，所述光学器件由上述任一方面所述的光学器件的制备方法制成。
26、基于上述任意一个方面，本申请实施例提供的光学器件的制备方法及光学器件，首先对光刻胶膜层进行一次曝光显影处理以形成由多级阶梯结构组成的半球形的凹陷区域，然后对光刻胶膜层进行烘烤处理得到平滑结构。该方法工艺灵活，成本较低，能够形成高精度的三维微纳结构。
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1.一种光学器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的光学器件的制备方法，其特征在于，所述形成至少一个由多级阶梯结构组成的半球形的凹陷区域的步骤，包括：
3.根据权利要求1所述的光学器件的制备方法，其特征在于，对所述光刻胶膜层进行激光直写曝光和显影处理的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的光学器件的制备方法，其特征在于，所述对所述曝光后的所述光刻胶膜层进行多次显影处理的步骤，包括：
5.根据权利要求1所述的光学器件的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶膜层进行烘烤处理的步骤，包括：
6.根据权利要求5所述的光学器件的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶膜层进行多次烘烤处理的步骤，包括：
7.根据权利要求1所述的光学器件的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶膜层进行激光直写曝光的步骤，包括：
8.根据权利要求1所述的光学器件的制备方法，其特征在于，所述阶梯结构沿所述凹陷区域的中心位置对称分布。
9.根据权利要求1所述的光学器件的制备方法，其特征在于，所述
10.一种光学器件，其特征在于，所述光学器件由权利要求1-9任意一项所述的光学器件的制备方法制成。
...【技术特征摘要】
1.一种光学器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的光学器件的制备方法，其特征在于，所述形成至少一个由多级阶梯结构组成的半球形的凹陷区域的步骤，包括：
3.根据权利要求1所述的光学器件的制备方法，其特征在于，对所述光刻胶膜层进行激光直写曝光和显影处理的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的光学器件的制备方法，其特征在于，所述对所述曝光后的所述光刻胶膜层进行多次显影处理的步骤，包括：
5.根据权利要求1所述的光学器件的制备方法，其特征在于，所述对所述光刻胶膜层进行烘烤处理的步骤，包括：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗先刚，周全，向遥，高平，庞庆，王璞，
申请(专利权)人：天府兴隆湖实验室，
类型：发明
国别省市：
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