【技术实现步骤摘要】
本申请属于二维材料等半导体薄膜材料加工制备,具体涉及一种二维材料转移装置。
技术介绍
1、二维材料是指电子仅可在两个维度的纳米尺度上自由运动(平面运动)的材料,如纳米薄膜、超晶格、量子阱。二维材料因自身优异的理化特性,使其在电子、光电及传感领域都具备巨大的应用潜力,如今,二维材料已然成为了产业与学术的“宠儿”。
2、在对二维材料进行光刻、刻蚀等工艺前需将其从生长基底转移至目标衬底上。但目前产业上相关工艺与装置严重缺失,现有的方案多为实验室用于实验的转移方法,转移效率低且转移面积小,易损坏二维材料,无法实现产业上所需的高效率、晶圆级的转移。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种二维材料转移装置,能够解决二维材料转移效率低、工业化程度低的技术问题,可以实现二维材料的高精度堆叠和高精度的多次转移。
2、本申请实施例提供一种二维材料转移装置,包括
3、第一承载模块,用于承载基底,
4、第二承载模块,用于承载目标衬底;
5、第一承载模块可
...【技术保护点】
1.一种二维材料转移装置,其特征在于:包括
2.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于:还包括用于产生真空环境的真空箱,所述贴合工位位于所述真空箱内,
3.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于:还包括用于承载所述能量源的第三承载模块。
4.根据权利要求3所述的二维材料转移装置,其特征在于:所述能量源是光源,所述光源能够发出宽光谱脉冲光。
5.根据权利要求4所述的二维材料转移装置,其特征在于:所述第三承载模块与所述真空箱相邻设置,所述真空箱的与所述第一承载模块相邻的侧壁设有可透过光线的透光区域,承载在
...【技术特征摘要】
1.一种二维材料转移装置,其特征在于:包括
2.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于:还包括用于产生真空环境的真空箱,所述贴合工位位于所述真空箱内,
3.根据权利要求1所述的二维材料转移装置,其特征在于:还包括用于承载所述能量源的第三承载模块。
4.根据权利要求3所述的二维材料转移装置,其特征在于:所述能量源是光源,所述光源能够发出宽光谱脉冲光。
5.根据权利要求4所述的二维材料转移装置,其特征在于:所述第三承载模块与所述真空箱相邻设置,所述真空箱的与所述第一承载模块相邻的侧壁设有可透过光线的透光区域,承载在所述第三承载模块上的光源发出的光能够透过所述透光区域照射到所述真空箱内部。
6.根据权利要求2所述的二维材料转移装置,其特征在于:所述第一承载模块包括用于将基底运送至贴合工位的第一移动组件,所述第一移动组件上具有用于吸附所述基底的第一吸附面,所述第一吸附面朝向所述第二承载模块所在的方向。
7.根据权利要求6所述的二维材料转移装置,其特征在于:
8.根据权利要求6所述的二维材料转移装置,其特征在于:所述第一吸附面通过负压吸附基底,在所述第一移动组件内设置有与第一吸附面连通的用于产生负压的第一气路。
9.根据权利要求2所述的二维材料转移装置,其特征在于:所述第二承载模块包括用于承载目标衬底的第二载台,所述第二载台具有用于吸附目标衬底的第二吸附面。
10.根据权利要求9所述的二维材料转移装置,其特征在于:所述第二吸附面通过负压吸附目标衬底,在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗先刚,刘吉夫,李雄,张仁彦,
申请(专利权)人:天府兴隆湖实验室,
类型:发明
国别省市:
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