【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体结构及其制作方法。
技术介绍
1、在半导体结构中，为了实现半导体器件之间的导通，晶体管的源极和漏极分别通过源极接触插塞和漏极接触插塞与外部电路形成电连接。随着晶体管的尺寸缩小，源极接触插塞、漏极接触插塞和晶体管的接触面积减小，导致晶体管的接触电阻增大至难以支持晶体管的电流要求。但是增加源极接触插塞、漏极接触插塞和晶体管的接触面积，可能增加源极接触插塞、漏极接触插塞和晶体管之间的耦合电容，降低晶体管的响应速度，造成晶体管延迟。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开提供了一种半导体结构及其制作方法。
3、根据本公开的第一个方面，提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：
4、衬底，具有有源区，所述有源区包括源区和漏区；
5、栅极，所述栅极设置于所述有源区上，位于所述源区和所述漏区之间，在平行于所述衬底的平面上，所述栅极具有第一延伸方向和第二延伸方向，所述第一延伸方向与所述第二延伸方向垂直；
6、源极接触插塞，与所述源区连接；
7、漏极接触插塞，与所述漏区连接；
8、所述源极接触插塞靠近所述栅极的一侧在所述第二延伸方向上的投影尺寸小于所述源极接触插塞在所述第一延伸方向上的投影尺寸，和/或，所述漏极接触插塞靠近所述栅极的一侧在所述第二延伸方向上的投影尺寸小于所述漏极接触插塞在所述第一延伸方向上的投影
9、其中，所述源极接触插塞包括：
10、至少一个第一源极接触部，所述第一源极接触部的延伸方向和所述第二延伸方向之间具有夹角。
11、其中，所述第一源极接触部的延伸方向和所述第二延伸方向之间的夹角为90°。
12、其中，每个所述第一源极接触部包括靠近所述栅极的第一侧面，所述第一侧面和所述栅极之间的水平距离相同。
13、其中，每个所述第一源极接触部包括靠近所述栅极的第一侧面，所述第一侧面和所述栅极之间的水平距离不同。
14、其中，所述第一源极接触部在所述衬底上的投影呈条形或者梯形；
15、所述第一源极接触部在所述衬底上的投影呈梯形时，所述第一侧面在所述衬底上形成的投影对应所述梯形的短边。
16、其中，所述源极接触插塞包括：
17、至少一个第二源极接触部，所述第二源极接触部的延伸方向和所述第二延伸方向之间的夹角为90°，所述第二源极接触部设置于所述第一源极接触部的远离所述栅极的一侧，至少一个所述第一源极接触部与至少一个所述第二源极接触部连接。
18、其中，所述第二源极接触部在所述衬底上的投影位于所述源区内。
19、其中，所述第二源极接触部在所述衬底上的投影部分覆盖所述源区的部分顶面，另一部分覆盖所述源区相邻的所述衬底。
20、其中，所述漏极接触插塞包括至少一个第一漏极接触部，至少一个所述第一漏极接触部和至少一个所述第一源极接触部相对所述栅极对称设置。
21、其中，所述漏极接触插塞包括至少一个第一漏极接触部，以及至少一个第二漏极接触部，至少一个所述第一漏极接触部和至少一个所述第一源极接触部相对所述栅极对称设置，至少一个所述第二漏极接触部和至少一个所述第二源极接触部相对所述栅极对称设置。
22、根据本公开的第二个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：
23、提供初始结构，所述初始结构包括衬底和栅极，所述衬底包括具有有源区，所述有源区包括源区和漏区，所述栅极设置于所述有源区上，位于所述源区和所述漏区之间，在平行于所述衬底的平面上，所述栅极具有第一延伸方向和第二延伸方向，所述第一延伸方向与所述第二延伸方向垂直；
24、形成源极接触插塞，与所述源区连接；
25、形成漏极接触插塞，与所述漏区连接；
26、所述源极接触插塞靠近所述栅极的一侧在所述第二延伸方向上的投影尺寸小于所述源极接触插塞在所述第一延伸方向上的投影尺寸，和/或，所述漏极接触插塞靠近所述栅极的一侧在所述第二延伸方向上的投影尺寸小于所述漏极接触插塞在所述第一延伸方向上的投影尺寸。
27、其中，形成源极接触插塞，包括：
28、形成至少一个第一源极接触部，所述第一源极接触部的延伸方向与所述第二延伸方向之间具有夹角。
29、其中，形成漏极接触插塞，包括：
30、形成至少一个第二源极接触部，所述第二源极接触部沿所述第二延伸方向延伸，所述第二源极接触部设置于所述第一源极接触部的远离所述栅极的一侧，至少一个所述第一源极接触部与至少一个所述第二源极接触部连接。
31、其中，形成漏极接触插塞，包括：
32、形成至少一个第一漏极接触部，所述第一漏极接触部的延伸方向与所述第二延伸方向之间具有夹角。
33、其中，形成漏极接触插塞，包括：
34、形成至少一个第二漏极接触部，所述第二漏极接触部沿所述第二延伸方向延伸，所述第二漏极接触部设置于所述第一漏极接触部的远离所述栅极的一侧，至少一个所述第一漏极接触部与至少一个所述第二漏极接触部连接。
35、本公开实施例所提供的半导体结构及其制作方法中，增加了源极接触插塞和源区的接触面积、漏极接触插塞和漏区的接触面积，减小了半导体结构的接触电阻，但源极接触插塞和栅极之间耦合面积、漏极接触插塞和栅极之间耦合面积不变，避免源极接触插塞和栅极、漏极接触插塞和栅极的耦合电容增加对半导体性能造成不良影响。
36、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源极接触插塞包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源极接触部的延伸方向和所述第二延伸方向之间的夹角为90°。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，每个所述第一源极接触部包括靠近所述栅极的第一侧面，所述第一侧面和所述栅极之间的水平距离相同。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，每个所述第一源极接触部包括靠近所述栅极的第一侧面，所述第一侧面和所述栅极之间的水平距离不同。
6.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源极接触部在所述衬底上的投影呈条形或者梯形；
7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述源极接触插塞包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二源极接触部在所述衬底上的投影位于所述源区内。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二源极接触部在所述衬底上的投影部分覆盖
10.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述漏极接触插塞包括至少一个第一漏极接触部，至少一个所述第一漏极接触部和至少一个所述第一源极接触部相对所述栅极对称设置。
11.根据权利要求7-9中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述漏极接触插塞包括至少一个第一漏极接触部，以及至少一个第二漏极接触部，至少一个所述第一漏极接触部和至少一个所述第一源极接触部相对所述栅极对称设置，至少一个所述第二漏极接触部和至少一个所述第二源极接触部相对所述栅极对称设置。
12.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：
13.根据权利要求12所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成源极接触插塞，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成漏极接触插塞，包括：
15.根据权利要求12所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成漏极接触插塞，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成漏极接触插塞，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述源极接触插塞包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源极接触部的延伸方向和所述第二延伸方向之间的夹角为90°。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，每个所述第一源极接触部包括靠近所述栅极的第一侧面，所述第一侧面和所述栅极之间的水平距离相同。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，每个所述第一源极接触部包括靠近所述栅极的第一侧面，所述第一侧面和所述栅极之间的水平距离不同。
6.根据权利要求4或5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一源极接触部在所述衬底上的投影呈条形或者梯形；
7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述源极接触插塞包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二源极接触部在所述衬底上的投影位于所述源区内。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二源极接触部在所述衬底上的投影部分覆盖所述源区的部分顶面...
【专利技术属性】
技术研发人员：曺奎锡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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