【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种确定产生外延缺陷的部件的方法、装置及介质。
技术介绍
1、由半导体构成的硅晶圆在半导体器件的制造工序中被广泛地用作基板。常见的有抛光晶圆和外延晶圆。抛光晶圆由对单晶锭进行切片并进行镜面研磨、清洗等流程而制成。在抛光晶圆表面通过化学气相沉积等方式形成单晶硅外延层从而制成外延晶圆。相比抛光晶圆，外延晶圆具有表面缺陷少、结晶性优异和电阻率可控的特性，被广泛用于高集成化的集成电路(integrated circuit，ic)元件和mos工艺制程。
2、随着半导体工艺的不断发展，对于硅晶圆的品质要求越来越严格。就外延晶圆而言，外延层表面缺陷是影响外延晶圆品质和良率的关键因素。需要降低外延工艺过程中所产生的外延层表面缺陷，提高外延晶圆的出货品质和良率。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种确定产生外延缺陷的部件的方法、装置及介质；能够准确地排查出在外延晶圆产生缺陷的设备部件，从而为设备部件提供改善手段给出了指引，降低了产生外延晶圆缺陷的概率，提高了外延晶圆的出货品质。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供了一种确定产生外延缺陷的部件的方法，所述方法包括：
4、获取待测外延晶圆的缺陷的位置；其中，所述待测外延晶圆包括经清洗后仍存在缺陷的待测外延晶圆；
5、检测所述待测外延晶圆的缺陷的形貌与成分；
6、当确定所述待测外延晶圆的缺陷的位置为与外延生产
7、在一些示例中，所述检测所述待测外延晶圆的缺陷的形貌与成分，包括：
8、通过扫描所述待测外延晶圆的表面，获得所述待测外延晶圆的表面图像；
9、从所述表面图像中确定所述待测外延晶圆的缺陷；
10、在所述表面图像中，根据所述缺陷的图像特征，确定所述待测外延晶圆的缺陷类型；其中，所述缺陷的图像特征与所述缺陷的形貌对应；
11、当所述待测外延晶圆的缺陷类型为堆垛层错缺陷时，获取所述待测外延晶圆的缺陷的元素成分。
12、在一些示例中，所述根据所述待测外延晶圆的缺陷的形貌与成分在所述外延生长设备的部件中确定产生所述待测外延晶圆的缺陷的部件，包括：
13、若所述待测外延晶圆的缺陷的形貌表征所述待测外延晶圆的缺陷类型为划痕缺陷，则确定产生所述待测外延晶圆的缺陷的部件为用于在所述外延生产设备的各腔室之间传送晶圆的机械臂；
14、若所述待测外延晶圆的堆垛层错缺陷中的杂质元素成分为氧元素，则确定产生所述待测外延晶圆的堆垛层错缺陷的部件为所述外延生产设备的传送腔；
15、若所述待测外延晶圆的堆垛层错缺陷中的杂质元素成分为碳元素，则确定产生所述待测外延晶圆的堆垛层错缺陷的部件为所述外延生产设备中的支撑部件；
16、若所述待测外延晶圆的堆垛层错缺陷中的杂质元素成分为硅元素和氯元素，则确定产生所述待测外延晶圆的堆垛层错缺陷的部件为所述外延生产设备中的处理腔室。
17、在一些示例中，所述方法还包括：
18、若所述待测外延晶圆的缺陷中的杂质元素成分为除氧元素、碳元素、硅元素以及氯元素之外的其他元素，基于人工判定结果确定产生所述待测外延晶圆的缺陷的部件。
19、在一些示例中，所述方法还包括：
20、根据所述待测外延晶圆的缺陷的位置判定所述待测外延晶圆的缺陷是否处于目标检测范围；
21、当所述待测外延晶圆的缺陷处于目标检测范围时，根据所述待测外延晶圆的缺陷的位置判定是否与外延生产设备发生接触。
22、在一些示例中，所述方法还包括：
23、当所述待测外延晶圆的缺陷不处于目标检测范围时，或者所述待测外延晶圆的缺陷的位置为不与外延生产设备的接触位置时，基于人工判定结果确定产生所述待测外延晶圆的缺陷的部件。
24、在一些示例中，所述方法还包括：
25、利用所述外延生长设备对抛光晶圆执行外延工艺，获得制备成的外延晶圆；
26、对所述制备成的外延晶圆进行缺陷检测，判断所述制备成的外延晶圆是否存在缺陷；
27、当所述制备成的外延晶圆存在缺陷时，对所述制备成的外延晶圆进行清洗；
28、对清洗后的外延晶圆进行缺陷检测，判断所述清洗后的外延晶圆是否仍存在缺陷；
29、在所述清洗后的外延晶圆中，将仍然存在缺陷的外延晶圆确定为所述待测外延晶圆。
30、第二方面，本公开实施例提供了一种确定产生外延缺陷的部件的装置，所述装置包括：获取部、检测部和确定部；其中，
31、所述获取部，被配置成获取待测外延晶圆的缺陷的位置；其中，所述待测外延晶圆包括经清洗后仍存在缺陷的待测外延晶圆；
32、所述检测部，被配置成检测所述待测外延晶圆的缺陷的形貌与成分；
33、所述确定部，被配置成当确定所述待测外延晶圆的缺陷的位置为与外延生产设备的接触位置时，根据所述待测外延晶圆的缺陷的形貌与成分在所述外延生长设备的部件中确定产生所述待测外延晶圆的缺陷的部件。
34、第三方面，本公开实施例提供了一种计算设备，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如第一方面或其任一示例所述的确定产生外延缺陷的部件的方法。
35、第四方面，本公开实施例提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面或其任一示例所述的确定产生外延缺陷的部件的方法。
36、本公开实施例提供了一种确定产生外延缺陷的部件的方法、装置及介质。通过对外延晶圆中无法通过清洗消除的缺陷与外延生产设备的部件接触情况，并结合进行形貌和成分分析确定外延生产设备中产生缺陷的部件。从而为设备部件提供改善手段给出了指引，降低了产生外延晶圆缺陷的概率，提高了外延晶圆的出货品质。
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1.一种确定产生外延缺陷的部件的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测所述待测外延晶圆的缺陷的形貌与成分，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述待测外延晶圆的缺陷的形貌与成分在所述外延生长设备的部件中确定产生所述待测外延晶圆的缺陷的部件，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.一种确定产生外延缺陷的部件的装置，其特征在于，所述装置包括：获取部、检测部和确定部；其中，
9.一种计算设备，其特征在于，所述计算设备包括：处理器和存储器；所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以实现如权利要求1至7任一所述的确定产生外延缺陷的部件的方法。
10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有至少一条
...【技术特征摘要】
1.一种确定产生外延缺陷的部件的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测所述待测外延晶圆的缺陷的形貌与成分，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述待测外延晶圆的缺陷的形貌与成分在所述外延生长设备的部件中确定产生所述待测外延晶圆的缺陷的部件，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁鹏欢，王力，王雄，喻璠，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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