一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法，属于变形测量、光测力学领域。本发明专利技术在微纳米金属互连线表面通过聚焦离子束辐照制作散斑或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅作为微纳米标记，之后通过聚焦离子束在微纳米标记区域刻蚀一条垂直于轴向的贯穿裂纹以释放轴向残余应力，分别采集裂纹刻蚀前后的微纳米标记图像，利用数字图像相关法计算微纳米金属互连线在裂纹附近由于残余应力释放引起的变形，即残余变形。该方法能原位制作微纳米标记、刻蚀裂纹、并采集图像，具有原位测量、定位准确、操作简单、非接触、数据处理方便、灵敏度高、测量精度高的优点。其中提出的聚焦离子束辐照法能快速制作散斑，工艺简单便捷。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于变形测量、光测力 学领域。
技术介绍
金属互连线广泛存在于半导体集成电路及微机电系统中，随着对微器件性能要求 的日益提高，金属互连线的宽度也越来越小，可从几十微米到几十纳米。由于微纳米金属互 连线、基底、绝缘层之间存在热膨胀系数的差异，微纳米金属互连线在制备过程中会产生难 以消除的预应力，称为残余应力。这种预先存在的残余应力容易引起微纳米金属互连线在 使用过程中的电迁移现象，若残余应力过大则微纳米金属互连线很容易失效，因此在微纳 米金属互连线使用前，如何评估其内部的残余应力大小引起人们的关注。准确地评估微纳 米金属互连线内部的残余应力，可为合理地制定能减小残余应力的退火工艺提供指导。评估金属薄膜包括薄膜导线的内部残余应力的常用方法是X射线衍射法，然而这 种方法的适用条件是X光束的光斑直径小于所测物体的横向和纵向尺寸，而目前X光束的 光斑所能达到的最小尺寸为1微米，实际操作中通常只能达到几十微米，难以适于目前越 来越细的微纳米金属互连线。用于测量薄膜残余应力的基底曲率测量法要求基底为圆片状 或长方条形，且薄膜要覆盖基底，对于微纳米金属互连线较难适用。因此需要寻找新的方法 评估微纳米金属互连线内部的残余应力，由于应力与变形存在一定的对应关系，若能准确 地测量出微纳米金属互连线由于残余应力释放而引发的残余变形，则可根据本构关系结合 有限元计算出微纳米金属互连线内部的残余应力，因而测量微纳米金属互连线的残余变形 具有非常重要的意义。释放残余应力的方法主要有钻孔法和裂纹法，钻孔法释放孔周围各个方向的残余 应力，裂纹法释放垂直于裂纹长度方向的残余应力，在微纳米金属互连线这种细长结构中， 人们主要关心微纳米金属互连线的轴向残余应力，故裂纹法更适于用来释放微纳米金属互 连线内部的残余应力。制作微纳米尺度裂纹的技术目前主要是聚焦离子束刻蚀法，该方法 定位精度高、操作简单、刻蚀深度精确。
技术实现思路
本专利技术旨在针对在半导体集成电路中广泛使用的微纳米金属互连线，提出一种测 量微纳米金属互连线残余应变的方法，对于宽度和厚度从纳米量级到毫米量级的金属互连 线，均能进行原位测量。本专利技术的技术方案如下—种测量微纳米金属互连线残余变形的方法，其特征在于该方法包括如下步骤1)把沉积在基底上的微纳米金属互连线试样放置于聚焦离子束系统的平台上，选 择一根微纳米金属互连线的一个区域作为研究对象；2)在微纳米金属互连线表面通过聚焦离子束辐照制作散斑或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅，将散斑或单向光栅作为微纳米金属互连线上的微纳米标记；之后采集散斑或单向光栅的图像，作为裂纹刻蚀前的微纳米标记图像；3)通过聚焦离子束系统中的聚焦离子束在微纳米金属互连线上的微纳米标记区域刻蚀一条垂直于轴向的贯穿裂纹，以释放微纳米金属互连线内部的轴向残余应力，再采 集裂纹刻蚀后微纳米金属互连线上的微纳米标记图像；4)在微纳米金属互连线的裂纹附近选择一个计算区域，使计算区域的一条边为裂 纹的边缘，用数字图像相关法分析微纳米金属互连线上裂纹刻蚀前、后的微纳米标记图像， 并计算微纳米金属互连线在裂纹附近由于轴向残余应力释放而产生的变形，即为微纳米金 属互连线的残余变形。本专利技术的技术特征还在于在所选择的微纳米金属互连线上用聚焦离子束制作微 纳米标记、刻蚀裂纹、采集图像均在聚焦离子束系统中原位进行；若微纳米标记为散斑，聚 焦离子束的辐照遍数为4 8 ；若微纳米标记为单向光栅，单向光栅的主方向与微纳米金属 互连线的轴向平行，单向光栅的频率为10001/mm 100001/mm。在微纳米金属互连线上刻蚀的裂纹深度与微纳米金属互连线的厚度相等，裂纹宽度为30nm 50nm。本专利技术与现有技术相比，具有以下显著优点及突出性效果利用聚焦离子束辐照 法制作散斑，工艺简单便捷；利用聚焦离子束刻蚀裂纹，裂纹的长宽深可精确控制，空间定 位准确；测量过程中的微纳米标记制作、裂纹刻蚀、图像采集均在聚焦离子束系统中原位进 行，操作简单；采用数字图像相关软件处理采集的微纳米标记图像，将裂纹边缘作为计算区 域的一条边，数据处理方便，测量精度高；该方法非接触、对于长度和宽度从纳米量级到毫 米量级的微纳米金属互连线均适用，当微纳米金属互连线的长度和宽度改变时，只需调整 聚焦离子束系统的放大倍数及刻蚀参数即可。附图说明图1为微纳米金属互连线试样及测试平台的结构示意图。图2为裂纹刻蚀后微纳米金属互连线的俯视示意图。图3为在20 μ m宽300nm厚的铜互连线上用聚焦离子束辐照法制作的散斑图像。图4为在20 μ m宽300nm厚的铜互连线上用聚焦离子束刻蚀一条垂直于轴向的贯 穿裂纹后的散斑图像。其中1_聚焦离子束系统；2-基底；3-微纳米金属互连线；4-散斑；4’-变形后的 散斑；5-计算区域；6-刻蚀的裂纹。具体实施例方式现结合图1、图2、图3、图4及实施例对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。在 阐述具体实施方式前首先简要介绍本专利技术中用到的数字图像相关法的测量原理。数字图像相关法通过处理变形前后的两幅数字图像计算全场变形，这两幅图像需 要具有灰度变化，变形前的数字图像简称参考图像，变形后的数字图像简称变形图像。设 (x，y)为参考图像中一点的坐标，以该点为中心取一个像素大小为(2M+1) X (2M+1)的正方 形子区，其中M为一正整数，选择合适的相关函数，在变形图像中搜索与参考图像中的正方形子区最相似的区域，判断标准是相关系数为最大值或最小值，如取最大值还是最小值根 据使用的相关函数确定。在变形图像中寻找到最相近的正方形子区后，该子区的中心点坐 标(X'，1’ )即为参考图像中坐标为(X，y)的点变形后的坐标，根据(X'，1’ )与(X，y) 的坐标差即可确定参考图像中点(x，y)发生的位移。上面提到的相关函数一般选择标准化协方差互相关函数 其中f (x，y)是参考图像中点(X，y)的灰度，g(x'，y')是变形图像(χ'，y')的灰度 别为参考图像和变形图像中正方形子区的灰度平均值。变形前后图像子区的相似程度通过 相关系数的大小进行评价，当相关系数最大时表明变形前后的图像子区最相似。相关函数可用最小二乘回归分析拟合为一平面，这样可获得如下形式的连续位移 场U = Ax+By+C, V = I χ+Jy+K(2)其中U和V分别为点(x, y)在X方向和Y方向的位移；A, B, C，I，J，K为线性系数。当应变较小时，由于应变和位移之间存在倒数关系，在全场位移数据经 Savitzky-Golay滤波后，通过对χ和y求一阶倒数可求得X方向和Y方向的应变场，应变的 表达式如下 (3)根据公式(2)和(3)便可求得计算区域的位移场和应变场，实际计算中位移场的 精度为0.1像素。微纳米金属互连线试样及测试平台的结构示意图如图1所示，使用本专利技术提出的 方法时，把沉积在基底2上的微纳米金属互连线试样放置于聚焦离子束系统1的平台上，选 择一根微纳米金属互连线3的一个区域作为研究对象；在微纳米金属互连线3表面通过聚 焦离子束系统1中的聚焦离子束辐照制作散斑4或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅，将散斑 4或单向光栅作为微纳米金属互连线上的微纳米标记，若微纳米标记为散斑，聚焦离子束的 辐照遍数为4 8，至散斑4清晰本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法，其特征在于该方法包括如下步骤： １）把沉积在基底上的微纳米金属互连线试样放置于聚焦离子束系统的平台上，选择一根微纳米金属互连线的一个区域作为研究对象； ２）在微纳米金属互连线表面通过聚焦离子束辐照制作散斑或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅，将散斑或单向光栅作为微纳米金属互连线上的微纳米标记；之后采集散斑或单向光栅的图像，作为裂纹刻蚀前的微纳米标记图像； ３）通过聚焦离子束系统中的聚焦离子束在微纳米金属互连线上的微纳米标记区域刻蚀一条垂直于轴向的贯穿裂纹，以释放微纳米金属互连线内部的轴向残余应力，再采集裂纹刻蚀后微纳米金属互连线上的微纳米标记图像； ４）在微纳米金属互连线的裂纹附近选择一个计算区域，使计算区域的一条边为裂纹的边缘，用数字图像相关法分析微纳米金属互连线上裂纹刻蚀前、后的微纳米标记图像，并计算微纳米金属互连线在裂纹附近由于轴向残余应力释放而产生的变形，即为微纳米金属互连线的残余变形。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢惠民，王庆华，徐可为，王剑锋，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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