【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构的制备方法以及半导体结构。
技术介绍
1、在半导体器件中，通常需要在晶体管器件区与第一层金属之间形成介质材料层，通过形成电性隔离有效地降低金属与衬底之间的寄生电容。随着ic亚微米工艺的发展，多晶硅栅的尺寸越来越小，有利于适应产品更新换代。
2、然而，为了保证栅极电压对导通电流的控制能力，多晶硅栅的厚度并未随着沟道尺寸变小而减小，导致多晶硅栅的栅条之间的高宽比不断变大，在现有的半导体结构的制备工艺中，往往无法保证栅条之间的空隙被介质材料完全填满，容易形成空洞，在接触孔沉积工艺中，钨气体会沿栅条之间的空洞在接触孔两侧延展，若在同一栅条下相邻的两个半导体器件接触，将会导致器件出现短路的情况，进而导致半导体器件的良率下降。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，解决了因多晶硅栅的栅条之间填充的介质材料存在空洞导致器件良率下降的问题，实现了通过在多晶硅栅的栅条的侧壁上形成上窄下宽的倾斜侧墙，改善原有的侧墙形貌，有助于引导介质材料的沉积过程中优先填充层间介质层的底部空隙后向上形成隔离层，可以预防顶部提前闭合，有效提高层间介质层的沉积致密性，进而提高半导体器件的良率。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法，包括：
3、提供衬底；
4、在所述衬底内形成阱区，并在所述阱区上形成多晶硅栅，以及在所述多晶硅栅的栅条的侧壁上形成第一侧墙；
5、
6、在所述栅条的第一侧墙上形成第二侧墙，所述第二侧墙的顶部宽度小于底部宽度；
7、在所述多晶硅栅以及有源区的上表面沉积金属层，并通过热退火处理形成硅化金属层；
8、在所述衬底上沉积形成层间介质层。
9、可选的，所述在所述栅条的第一侧墙上形成第二侧墙，包括：
10、在所述多晶硅栅以及有源区上沉积形成氧化层；
11、对所述氧化层进行刻蚀，以将位于所述多晶硅栅以及有源区的上表面的氧化层设置为第一预设厚度，并在所述多晶硅栅的栅条的第一侧墙上形成第二侧墙；
12、使用氢氟酸对所述栅条的第二侧墙进行第二预设厚度的腐蚀，以形成顶部宽度小于底部宽度的第二侧墙。
13、可选的，所述氧化层的厚度为。
14、可选的，所述第一预设厚度为。
15、可选的，所述第二侧墙的厚度为。
16、可选的，所述第二预设厚度为。
17、可选的，所述在所述衬底内形成阱区，包括：
18、在所述衬底内进行离子注入形成阱区，所述离子注入的浓度为。
19、可选的，所述在所述阱区上形成多晶硅栅，包括：
20、在所述阱区上沉积形成厚度为的栅氧化层；
21、在所述栅氧化层上沉积形成厚度为的多晶硅层；
22、对所述多晶硅层进行光刻与刻蚀，以形成多晶硅栅，其中，所述多晶硅栅的栅条的间距大于或等于，所述栅条的宽度大于或等于。
23、可选的，所述在所述多晶硅栅的栅条的侧壁上形成第一侧墙，包括：
24、在所述多晶硅栅所在的多晶硅层上依次沉积形成厚度为的氧化硅层，以及厚度为的氮化硅层；
25、依次对所述氮化硅层以及氧化硅层进行刻蚀，以在所述多晶硅栅的栅条的侧壁形成第一侧墙。
26、可选的，所述形成有源区的离子注入的浓度为。
27、第二方面，本申请实施例还提供了一种半导体结构，采用本申请任一实施例所述的半导体结构的制备方法制备而成。
28、本申请实施例中，通过提供衬底；在衬底内形成阱区，并在阱区上形成多晶硅栅，以及在多晶硅栅的栅条的侧壁上形成第一侧墙；向栅条的两侧的阱区内进行离子注入，以形成有源区；在栅条的第一侧墙上形成第二侧墙，第二侧墙的顶部宽度小于底部宽度；在多晶硅栅以及有源区的上表面沉积金属层，并通过热退火处理形成硅化金属层；在衬底上沉积形成层间介质层。实现了通过在多晶硅栅的栅条的侧壁上形成上窄下宽的倾斜侧墙，改善原有的侧墙形貌，有助于引导介质材料的沉积过程中优先填充层间介质层的底部空隙后向上形成隔离层，可以预防顶部提前闭合，有效提高层间介质层的沉积致密性，进而提高半导体器件的良率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述栅条的第一侧墙上形成第二侧墙，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度为。
5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二侧墙的厚度为。
6.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度为。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底内形成阱区，包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述阱区上形成多晶硅栅，包括：
9.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述多晶硅栅的栅条的侧壁上形成第一侧墙，包括：
10.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述形成有源区的离子注入的浓度为。
11
...【技术特征摘要】
1.半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述栅条的第一侧墙上形成第二侧墙，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度为。
5.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二侧墙的厚度为。
6.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度为。
【专利技术属性】
技术研发人员：谢仕源，张青，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。