System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 半导体装置制造方法及图纸_技高网

半导体装置制造方法及图纸

技术编号:39976215 阅读:11 留言:0更新日期:2024-01-09 01:10
提供了一种半导体装置。该半导体装置包括:第一电路,其包括第一半导体衬底、形成在第一半导体衬底中的第一组电路组件、以及第一组金属层,其中,所述第一组电路组件被划分到至少一个电路块中,并且用于每个电路块的走线在所述第一组金属层的至少一部分金属层上形成;第二电路,其包括第二半导体衬底、形成在第二半导体衬底中的第二组电路组件、以及第二组金属层,其中,所述第二组电路组件被划分到至少一个电路块中,并且用于每个电路块的走线在所述第二组金属层的至少一部分金属层上形成;其中,所述第一电路和第二电路面对面堆叠并接合。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体,更具体地,涉及一种半导体装置,例如,集成电路。


技术介绍

1、在目前的半导体
中,集成电路设计可能涉及高级制造工艺,因此集成电路晶片中涉及的电路组件的数量会比较多,使得布线非常密集和/或复杂。而且,随着集成电路晶片中电路组件的数量的增多、以及布线的复杂度和密集度的增加,用于设置布线的金属层的数量也会增加。金属层数量的增加除了增加成本之外,还会使设计和布局变得复杂。

2、作为集成电路晶片中包括的集成电路的一种示例,显示驱动集成电路(ddic)可以包括多个电路组件,例如静态随机存取存储器(sram)组件、自动布局布线区域(apr)组件、栅极驱动器(gd)组件、源极驱动器(sd)组件、接口(i/o)组件和/或电压调节器组件等等,并且这些组件各自也可以由一个或多个电路元件构成。需要多个金属层来设置用于这些电路组件相互之间的电连接的走线以及用于这些电路组件与外部的电连接的走线。

3、然而,每个集成电路晶片中金属层的数量与布线、设计和布局复杂度以及制造成本等正相关,因此需要一种能够降低每个集成电路晶片中金属层的数量,从而降低布线、设计和布局的复杂度且降低制造成本的方案。


技术实现思路

1、根据本申请的实施例,提供了一种半导体装置,其被配置为基于多个电路组件执行预定功能,该半导体装置,包括:第一电路,其包括第一半导体衬底、形成在第一半导体衬底上的所述多个电路组件中的第一组电路组件、以及第一组金属层,其中,所述第一组电路组件被划分到至少一个电路块中,并且用于每个电路块的走线在所述第一组金属层的至少一部分金属层上形成;第二电路,其包括第二半导体衬底、形成在第二半导体衬底上的所述多个电路组件中的第二组电路组件、以及第二组金属层,其中,所述第二组电路组件被划分到至少一个电路块中,并且用于每个电路块的走线在所述第二组金属层的至少一部分金属层上形成;其中,所述第一电路和第二电路形成堆叠结构且存在电连接,并且所述第一半导体衬底和第二半导体衬底的下表面分别作为所述堆叠结构的上下表面。

2、在本申请实施例的集成电路中,首先,通过将多个电路组件划分到基于wow技术的面对面堆叠和接合的两个电路中,相对于将该多个电路组件集成到同一个电路中的情况可以增大金属层上用于每个电路组件(包括在一个电路块中)的二维平面布局子区域的宽度,从而可以降低每个电路中的金属层的数量,进而降低总成本和布线、设计和布局的复杂度。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置,其被配置为基于多个电路组件执行预定功能,所述半导体装置包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一半导体衬底和第二半导体衬底是基于晶圆堆叠(WoW)制造的。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,每个电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域的一条或多条边与对应的半导体衬底的下表面的一条或多条边相邻或对齐。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,至少一个电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域的至少两条边与对应的半导体衬底的下表面的至少两条边相邻或对齐。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,同一个电路中的两个或更多个不同电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域在第一方向上的边的长度相同。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,对于每个电路块,所述电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域的第一边的长度长于第二边的长度,其中所述第一边为与同一电路中的另一个电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域相邻或平行的边,并且第二边为所述电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域的另外的边。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一电路包括第一电路块,所述第二电路中包括第二电路块,且所述第一电路块和所述第二电路块包含相同类型的电路组件,

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一电路和所述第二电路中的一者包括的一个或多个金属层作为共享金属层,用于向所述第一电路和所述第二电路中的另一者包括的预定电路组件提供信号/电力。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第二组电路组件包括一个或多个电压调节器,用于向所述第一组电路组件中的待供电的电路组件提供电力;并且

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中,所述一个或多个供电电路块在所述第一电路中的所述第一半导体衬底的下表面上的投影区域与所述待供电电路块在所述第一半导体衬底的下表面上的投影区域中的中间区域重叠。

11.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述半导体装置为显示驱动集成电路,

12.根据权利要求11所述的半导体装置,其中,

13.根据权利要求12所述的半导体装置,其中,所述第一组电路组件还包括被划分到第一电路中的另一SD电路块的另一源极驱动器(SD),

14.根据权利要求12所述的半导体装置,其中,所述第二组电路组件还包括被划分到第二电路中的另一SRAM电路块中的另一SRAM,

15.根据权利要求13所述的半导体装置,所述第一SD电路块和所述第二SD电路块之间的所述第一组金属层和所述第二组金属层中的一个或多个金属层作为共享金属层,

16.根据权利要求12所述的半导体装置,其中,所述第一电路中的第一电路块和所述第二电路中的第二电路块之间的所述第一组金属层和所述第二组金属层中的一个或多个金属层作为共享金属层,

17.根据权利要求12所述的半导体装置,其中,所述第二组电路组件还包括多个电压调节器,

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【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,其被配置为基于多个电路组件执行预定功能,所述半导体装置包括:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一半导体衬底和第二半导体衬底是基于晶圆堆叠(wow)制造的。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,每个电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域的一条或多条边与对应的半导体衬底的下表面的一条或多条边相邻或对齐。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,至少一个电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域的至少两条边与对应的半导体衬底的下表面的至少两条边相邻或对齐。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,同一个电路中的两个或更多个不同电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域在第一方向上的边的长度相同。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,对于每个电路块,所述电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域的第一边的长度长于第二边的长度,其中所述第一边为与同一电路中的另一个电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域相邻或平行的边,并且第二边为所述电路块在对应的半导体衬底的下表面上的投影区域的另外的边。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一电路包括第一电路块,所述第二电路中包括第二电路块,且所述第一电路块和所述第二电路块包含相同类型的电路组件,

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一电路和所述第二电路中的一者包括的一个或多个金属层作为共享金属层,用于向所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:李学仪陈俊宏董佳欣蔡文彬
申请(专利权)人:联咏科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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