具有对称击穿电压的瞬时电压抑制器制造技术

本发明专利技术公开了一种垂直瞬时电压抑制器（ＴＶＳ）器件，包括一个第一导电类型的重掺杂的半导体衬底、一个形成在衬底上具有第一厚度的第一导电类型的外延层，一个形成在外延层中、位于外延层的中间区域的第二导电类型的基极区。此基极区和外延层在基极区的两边提供一个基本对称的垂直掺杂结构。在一个实施例中，通过高能植入，形成此基极区。在另一个实施例中，将此基极区作为一个掩埋层。选取合适的外延层和基极区的掺杂浓度，将瞬时电压抑制器（ＴＶＳ）器件配置成一个基于穿通二极管的瞬时电压抑制器（ＴＶＳ）或一个雪崩模式瞬时电压抑制器（ＴＶＳ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种瞬时电压抑制器(TVS)的结构和制作方法，尤其是一种具有对称 击穿电压和低工艺敏感度的垂直瞬时电压抑制器(TVS)的结构和制作方法。
技术介绍
电压和电流瞬变是引起电子系统中的集成电路损坏的主要原因。瞬变是从各种内 部和外部的源极到系统产生的。例如，瞬变的共源极包括电源、交流电路波动、雷电过电压 以及静电放电(ESD)的正常转换。瞬时电压抑制器(TVS) —般用于保护集成电路不受瞬变或过电压带来的损害。瞬 时电压抑制器(TVS)是单向器件或双向器件。由于电子设备的加工组件对电压极性为正 或负的瞬变电压都很敏感，因此越来越多的电子设备需要双向瞬时电压抑制器(TVS)的保 护。例如，双向瞬时电压抑制器(TVS)可用于保护便携式手持设备、键盘、笔记本电脑、数码 相机、便携式全球定位系统(GPS)以及MP3播放器等的高速数据线。图1表示用于保护信 号线的双向瞬时电压抑制器(TVS)的示意图。实现双向瞬时电压抑制器(TVS)有多种方法。多数情况是采用垂直结构，来限制 瞬时电压抑制器(TVS)器件的模具尺寸。此外，低电压情况下通常采用基于瞬时电压抑 制器(TVS)的击穿二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直瞬时电压抑制器（ＴＶＳ）器件，其特征在于，包括：一个第一导电类型的重掺杂的半导体衬底；一个形成在衬底上的第一导电类型的外延层，此外延层具有第一厚度；以及一个植入在外延层中的第二导电类型的基极区，此基极区位于外延层的一个中间区域，其中基极区以及外延层在基极区的两边提供一个基本对称的垂直掺杂结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：管灵鹏，马督儿博德，安荷叭剌，
申请(专利权)人：万国半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]