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本发明公开了一种垂直瞬时电压抑制器（ＴＶＳ）器件，包括一个第一导电类型的重掺杂的半导体衬底、一个形成在衬底上具有第一厚度的第一导电类型的外延层，一个形成在外延层中、位于外延层的中间区域的第二导电类型的基极区。此基极区和外延层在基极区的两边提...
该专利属于万国半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体有限公司授权不得商用。

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