【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种提高光刻胶均匀性的方法。
技术介绍
1、在半导体工艺中，光刻是核心技术之一。其工艺大致分为涂胶/曝光/显影三步，其中涂胶是通过旋涂法将光刻胶均匀铺在晶圆表面。
2、12寸fab涂胶工艺需求主转速控制在安全范围内(900rpm-2000rpm)，防止甩片。
3、在合理范围内，光刻胶厚度越薄，关键尺寸的形貌和窗口越好。当主转速已达安全上限，为了淡薄胶厚可在主转前采用高转速低时常的旋转方式(2500-3300rpm/1-5s)，既降低胶厚又避免晶圆甩出去。
4、高转速旋转较久(≥3s)会导致光刻胶均匀性变差，光刻胶堆积在晶圆边缘，无法达到量产均匀性需求。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种提高光刻胶均匀性的方法，用于解决现有技术中高转速旋转较久导致光刻胶均匀性变差，光刻胶堆积在晶圆边缘，无法达到量产均匀性需求的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种提高光刻胶均匀性的方法，至少包括：
3、步骤一、提供晶圆，对所述晶圆的第一表面进行预润湿；
4、步骤二、对所述晶圆的第一表面喷光刻胶；
5、步骤三、使所述晶圆的第一表面的光刻胶回流；
6、步骤四、通过旋涂法使得所述晶圆的第一表面及其上的光刻胶进行超高速旋转，通过离心力将光刻胶快速甩开，以降低光刻胶厚度；
7、步骤五、通过旋涂法使得所述晶圆的第
8、步骤六、通过旋涂法使得所述晶圆的第一表面及其上的光刻胶进行中速旋转，以进一步甩掉所述晶圆第一表面多余的光刻胶，以淡薄光刻胶厚度；
9、步骤七、对所述晶圆的第一表面的所述光刻胶进行成膜，以进一步调整光刻胶厚度和均匀性。
10、优选地，步骤一中的所述第一表面为所述晶圆的正面，该正面相对于所述晶圆的背面，所述晶圆的正面用于形成器件。
11、优选地，步骤一中对所述晶圆的第一表面进行预润湿的过程中，所述晶圆的转速为v1，旋转时长为t1。
12、优选地，步骤二中对所述晶圆的第一表面喷光刻胶的过程中，所述晶圆的转速为v2,旋转时长为t2。
13、优选地，步骤三中使所述晶圆的第一表面的光刻胶回流的过程中，所述晶圆的转速为v3，旋转时长为t3。
14、优选地，步骤四中进行超高速旋转的转速为v4-1，旋转时长为t4-1。
15、优选地，步骤四中所述旋转时长t4-1为1-2s。
16、优选地，步骤五中所述高速旋转的转速为v4-2，旋转时长为t4-2，并且所述转速v4-2小于所述转速v4-1。
17、优选地，步骤五中所述旋转时长t4-2为1-2s。
18、优选地，步骤六中所述中速旋转的转速为v4-3，旋转时长为t4-3，并且所述转速v4-3小于所述转速v4-2。
19、优选地，步骤六中所述旋转时长t4-3为1-2s。
20、优选地，所述旋转时长t4-1+t4-2+t4-3≥t4，所述t4为3-4s。
21、优选地，步骤七中进行成膜过程中，所述晶圆的主转速为v5，旋转时长为t5。
22、优选地，该方法还包括步骤八、对所述晶圆进行洗边。
23、如上所述，本专利技术的提高光刻胶均匀性的方法，具有以下有益效果：本专利技术采用由超高转速逐步降速的短时间旋转方式，大幅度降低胶厚的同时也改善了晶圆极边缘堆胶问题，保证光刻胶均匀性。
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1.一种提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一表面为所述晶圆的正面，该正面相对于所述晶圆的背面，所述晶圆的正面用于形成器件。
3.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤一中对所述晶圆的第一表面进行预润湿的过程中，所述晶圆的转速为V1，旋转时长为T1。
4.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤二中对所述晶圆的第一表面喷光刻胶的过程中，所述晶圆的转速为V2,旋转时长为T2。
5.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤三中使所述晶圆的第一表面的光刻胶回流的过程中，所述晶圆的转速为V3，旋转时长为T3。
6.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤四中进行超高速旋转的转速为V4-1，旋转时长为T4-1。
7.根据权利要求6所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤四中所述旋转时长T4-1为1-2s。
8.根据权利要求6所述的提高
9.根据权利要求8所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤五中所述旋转时长T4-2为1-2s。
10.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤六中所述中速旋转的转速为V4-3，旋转时长为T4-3，并且所述转速V4-3小于所述转速V4-2。
11.根据权利要求10所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤六中所述旋转时长T4-3为1-2s。
12.根据权利要求10所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：所述旋转时长T4-1+T4-2+T4-3≥t4，所述t4为3-4s。
13.根据权利要求1述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤七中进行成膜过程中，所述晶圆的主转速为V5，旋转时长为T5。
14.根据权利要求1述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：该方法还包括步骤八、对所述晶圆进行洗边。
...【技术特征摘要】
1.一种提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一表面为所述晶圆的正面，该正面相对于所述晶圆的背面，所述晶圆的正面用于形成器件。
3.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤一中对所述晶圆的第一表面进行预润湿的过程中，所述晶圆的转速为v1，旋转时长为t1。
4.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤二中对所述晶圆的第一表面喷光刻胶的过程中，所述晶圆的转速为v2,旋转时长为t2。
5.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤三中使所述晶圆的第一表面的光刻胶回流的过程中，所述晶圆的转速为v3，旋转时长为t3。
6.根据权利要求1所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤四中进行超高速旋转的转速为v4-1，旋转时长为t4-1。
7.根据权利要求6所述的提高光刻胶均匀性的方法，其特征在于：步骤四中所述旋转时长t4-1为1-2s。
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄灿，宋振伟，张其学，金佩，陈浩，杨红美，孙芳，王雷，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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