【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及滤波器，特别是涉及一种高阶混合式双模滤波器及其基站与卫星。
技术介绍
1、近年来，随着新一代移动通信、卫星通信、物联网、新一代一体化雷达系统等无线技术的快速发展，整体通信设备向小型化、高密度、低成本、高性能、低延迟、低功耗以及集成化的方向快速发展，平面滤波器主要为微带滤波器，由于采用pcb工艺，非常适合跟其他电子元器件集成在一起，成本低廉，稳定可靠，但也存在q值低，尺寸大，插损大的缺陷，限制了它的应用场景，多用于对功率要求不高的通信系统。介质滤波器的优点是q值高，插损小，尺寸小，但是缺点是模式多，多单独设计成滤波器，与其他电子元器件的集成度较差，装配工艺复杂，可靠性较差。
2、微带结构和介质结构具备互补性，如何利用它们各自的优点，进行优缺互补，成为一个研究热点。cn202110621140.0专利技术专利提出了一种基于底部馈电且无需金属屏蔽的介质滤波器，介质作为谐振器的两阶的双模滤波器，具有结构简单，尺寸小，插损低以及易于集成度的优点，虽然该项专利技术在微带结构和介质结构的集合研究上做出了开创性的工作，但是也存在自己的局限性，就是阶数较小，只有两阶，这样会导致带宽小，带外抑制差，极大的限制了应用范围，无法满足更加复杂的指标需求，而且微带只做馈电，限制了微带结构的作用。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有的混合式滤波器阶数较小，从而导致带宽小，带外抑制差，极大限制了应用范围的问题，提供一种高阶混合式双模滤波器及其基站与卫星。
2、本专利技术
3、所述高阶混合式双模滤波器还包括两个介质谐振器，两个所述介质谐振器均为双模谐振器，且不做表面金属化。两个所述介质谐振器平行固定连接在所述介质基板上，且两者之间设置有间距；两个所述介质谐振器背向所述介质基板的一侧上均开设有通孔，两个所述通孔分别位于两个所述介质谐振器的对角线上，且两个所述通孔以两个所述介质谐振器之间的中心做中心对称分布；通过控制通孔在所述介质谐振器的对角线上的位置，调节所述介质谐振器上简并模之间的耦合量；
4、两个所述微带结构以所述中心做中心对称分布，且分别位于两个所述介质谐振器相互靠近一侧的相邻侧边；两个所述微带结构均包括微带谐振器和微带馈线，同一个所述微带结构上的所述微带谐振器和所述微带馈线之间抽头耦合；两个所述微带谐振器整体均呈u型，且两个所述微带谐振器分别部分重叠在两个所述介质谐振器的下方，通过部分重叠实现电磁耦合，且通过调节所述微带谐振器上重叠部分的面积调节相应微带谐振器和介质谐振器的耦合量；
5、微带耦合线，其固定连接在与所述微带结构同一侧的所述介质基板上，且对称设置在两个所述介质谐振器之间，所述微带耦合线部分重叠在所述介质谐振器的下方，用于实现两个所述介质谐振器之间的简并模的耦合；通过调节所述微带耦合线上重叠部分的面积调节两个所述介质谐振器之间的耦合量。
6、作为优选实例，所述微带谐振器包括直线段一、与所述直线段一平行的直线段二、连接所述直线段一与所述直线段二的弯曲段；所述直线段一重叠在所述介质谐振器下方，所述弯曲段的一部分重叠在所述介质谐振器下方，所述直线段一平行于介质谐振器相应重叠侧的侧边。
7、作为优选实例，所述微带馈线与所述直线段一垂直设置，且与所述微带谐振器一体成型。
8、作为优选实例，所述微带谐振器重叠在所述介质谐振器下的部分与延伸至所述介质谐振器外的部分，以所述介质谐振器相应的侧边为对称轴对称设置。
9、作为优选实例，所述微带耦合线整体呈h型。
10、作为优选实例，所述微带耦合线包括直线段三、与所述直线段三平行的直线段四、连接所述直线段三和直线段四的直线段五，所述直线段五的两端分别连接在所述直线段三和直线段四的中间位置，且与直线段三垂直；所述直线段三和所述直线段四分别重叠在两个所述介质谐振器下方，所述直线段五的一部分重叠在所述介质谐振器下方；所述直线段三平行于所述介质谐振器相应重叠侧的侧边。
11、作为优选实例，所述直线段三的延长线与其中一个所述微带谐振器的u型开口延长线相交且垂直；所述直线段四的延长线与另一个所述微带谐振器的u型开口延长线相交且垂直。
12、作为优选实例，所述通孔的中心轴位于所述对角线上，和/或，所述通孔垂直开设在所述介质谐振器上。
13、一种基站，其采用了上述任意一项所述的高阶混合式双模滤波器。
14、一种卫星，其采用了上述任意一项所述的高阶混合式双模滤波器。
15、本专利技术的有益效果在于：
16、1、本专利技术中的介质谐振器是一个双模谐振器，微带谐振器为单模谐振器。两个介质谐振器放置于微带谐振器上方，通过部分重叠进行电磁耦合，激发出介质谐振器中的hee11模电场及其简并模。额外设置的介质谐振器，相当于增加了两个谐振腔，利用微带结构和介质结构各自的优点进行互补，构成一个六阶的微带和介质混合式双模滤波器，从而提高带宽、带外抑制强、应用范围广，可以满足更多的实际需求。
17、2、本专利技术所采用的介质谐振器因为使用的高介电常数，采用的是时磁边界条件，电磁场束缚在介质中，所以利用的模式不同于传统的金属腔谐振模式，无需对介质表面进行金属化，这减少了表面金属化的工艺流程，极大的节约了人力，物料以及工时成本。
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1.一种高阶混合式双模滤波器，其包括：介质基板(1)，其一侧设置有金属层；两个微带结构(2)，其结构相同且设置在所述介质基板(1)的相对另一侧上；其特征在于：
2.根据权利要求1所述的高阶混合式双模滤波器，其特征在于，所述微带谐振器(21)包括直线段一、与所述直线段一平行的直线段二、连接所述直线段一与所述直线段二的弯曲段；所述直线段一重叠在所述介质谐振器(3)下方，所述弯曲段的一部分重叠在所述介质谐振器(3)下方，所述直线段一平行于介质谐振器(3)相应重叠侧的侧边。
3.根据权利要求2所述的高阶混合式双模滤波器，其特征在于，所述微带馈线(22)与所述直线段一垂直设置，且与所述微带谐振器(21)一体成型。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的高阶混合式双模滤波器，其特征在于，所述微带谐振器(21)重叠在所述介质谐振器(3)下的部分与延伸至所述介质谐振器(3)外的部分，以所述介质谐振器(3)相应的侧边为对称轴对称设置。
5.根据权利要求1所述的高阶混合式双模滤波器，其特征在于，所述微带耦合线(5)整体呈H型。
6.根据权利
7.根据权利要求6所述的高阶混合式双模滤波器，其特征在于，所述直线段三的延长线与其中一个所述微带谐振器(21)的U型开口延长线相交且垂直；所述直线段四的延长线与另一个所述微带谐振器(21)的U型开口延长线相交且垂直。
8.根据权利要求1所述的高阶混合式双模滤波器，其特征在于，所述通孔(4)的中心轴位于所述对角线上，和/或，所述通孔(4)垂直开设在所述介质谐振器(3)上。
9.一种基站，其特征在于，其采用了根据权利要求1至8中任意一项所述的高阶混合式双模滤波器。
10.一种卫星，其特征在于，其采用了根据权利要求1至8中任意一项所述的高阶混合式双模滤波器。
...【技术特征摘要】
1.一种高阶混合式双模滤波器，其包括：介质基板(1)，其一侧设置有金属层；两个微带结构(2)，其结构相同且设置在所述介质基板(1)的相对另一侧上；其特征在于：
2.根据权利要求1所述的高阶混合式双模滤波器，其特征在于，所述微带谐振器(21)包括直线段一、与所述直线段一平行的直线段二、连接所述直线段一与所述直线段二的弯曲段；所述直线段一重叠在所述介质谐振器(3)下方，所述弯曲段的一部分重叠在所述介质谐振器(3)下方，所述直线段一平行于介质谐振器(3)相应重叠侧的侧边。
3.根据权利要求2所述的高阶混合式双模滤波器，其特征在于，所述微带馈线(22)与所述直线段一垂直设置，且与所述微带谐振器(21)一体成型。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的高阶混合式双模滤波器，其特征在于，所述微带谐振器(21)重叠在所述介质谐振器(3)下的部分与延伸至所述介质谐振器(3)外的部分，以所述介质谐振器(3)相应的侧边为对称轴对称设置。
5.根据权利要求1所述的高阶混合式双模滤波器，其特征在于，所述微带耦合线(5)整体呈h型。
6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭泳欣，郑纬宇，江培应，
申请(专利权)人：人民华智通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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