一种适用于特高频频段的叠层片式巴伦制造技术

本实用新型专利技术涉及一种适用于特高频频段的叠层片式巴伦，包括基体及层叠体。层叠体包括屏蔽模块及电感器模块。屏蔽模块由下至上依次包括三层屏蔽层，形成上屏蔽区和下屏蔽区。电感器模块由下至上依次包括四电感器、第二电感器、第一电感器和第三电感器。第一电感器和第三电感器设置在上屏蔽区，第二电感器和第四电感器设置在下屏蔽区。第三电感器包括并联的第三电感部和第四电感部，二者分别位于第一电感部的上下方并同时与其耦合，且与第一平衡信号端口依次串联。第四电感器包括并联的第五电感部和第六电感部，二者分别位于第二电感部的上下方并同时与其耦合，且与第二平衡信号端口依次串联。该叠层片式巴伦适用于特高频，提高了相对带宽。相对带宽。相对带宽。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于特高频频段的叠层片式巴伦


[0001]本技术涉及微波射频领域，特别是涉及一种适用于特高频频段的叠层片式巴伦。

技术介绍

[0002]巴伦(balun)表示平衡不平衡转换器，其作为三端口的器件，包括一个输入端和两个输出端。输入端口就是所谓的非平衡端口，两个输出端就是所谓的平衡端口。它的主要作用是实现差分信号与单端信号之间的互相转换，并完成阻抗匹配。巴伦作为一个关键性的器件，一般应用在差分放大器，天线的馈电网络，平衡混频器等需要差分电路的系统中。
[0003]随着电子系统向小型化、轻量化和高性能方向不断发展，对器件的尺寸及性能提出更高的要求。比如，磁通耦合变压器巴伦、经典变压器巴伦、延迟线巴伦、自谐振巴伦和自耦变压器巴伦等传统巴伦的形式体积都比较大，同时相对带宽较窄。而Marchand巴伦结构虽然能满足小型化的尺寸要求，但只在高频段下实用，并不适用于特高频。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有技术中的巴伦结构不适用于特高频，同时相对带宽较窄的技术问题，本技术提供一种适用于特高频频段的叠层片式巴伦。
[0005]本技术公开一种适用于特高频频段的叠层片式巴伦，包括：基体以及层叠体。
[0006]基体上表面设置有不平衡信号端口、第一平衡信号端口以及第二平衡信号端口。
[0007]层叠体设置在基体内部。层叠体包括呈层叠结构的屏蔽模块和电感器模块。屏蔽模块由下至上依次包括三层屏蔽层：第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层，由此在基体内部形成相互独立的上屏蔽区和下屏蔽区。电感器模块由下至上依次包括四个电感器：第四电感器、第二电感器、第一电感器和第三电感器。其中，第一电感器和第三电感器设置在上屏蔽区，第二电感器和第四电感器设置在下屏蔽区。
[0008]其中，第一电感器包括第一电感部，且不平衡信号端口、第一电感部和第二屏蔽层串联。第二电感器包括第二电感部，且第二屏蔽层、第二电感部和第三屏蔽层串联。第三电感器包括并联的第三电感部和第四电感部，二者分别位于第一电感部的上、下方并同时与第一电感部耦合，且与第一平衡信号端口依次串联。第四电感器包括并联的第五电感部和第六电感部，二者分别位于第二电感部的上、下方并同时与第二电感部耦合，且与第二平衡信号端口依次串联。
[0009]作为上述方案的进一步改进，基体的上表面还设置有第一接地端口和第二接地端口。
[0010]其中，第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层三者的两端分别沿一个长度方向延伸至基体的边缘，以分别与第一接地端口和第二接地端口电连接。
[0011]作为上述方案的进一步改进，基体的上表面还设置有用于协助巴伦焊接在PCB上的Nc端口。
[0012]作为上述方案的进一步改进，基体上设置有平行于长度方向的两条侧边。其中，不平衡信号端口、第一接地端口和第一平衡信号端口沿长度方向依次设置在其中一条侧边上，Nc端口、第二接地端口和第二平衡信号端口沿长度方向依次设置在其中另一条侧边上。
[0013]作为上述方案的进一步改进，基体的上表面还设置顶部标识。顶部标识位于两条侧边之间。
[0014]作为上述方案的进一步改进，第二屏蔽层上设置有开窗。
[0015]其中，叠层片式巴伦还包括第一孔导体、第二孔导体、第三孔导体、第四孔导体、第五孔导体和第六孔导体。第一孔导体贯穿开窗并分别与第三电感器和第四电感器相连接。第二孔导体位于第二屏蔽层靠近第一电感器的一侧上，并与第一电感器相连接。第三孔导体和第四孔导体位于第二屏蔽层靠近第二电感器的一侧，并与第二电感器相连接。第五孔导体位于第三电感器上。第六孔导体位于第四电感器上。
[0016]作为上述方案的进一步改进，第三电感器的第三电感部和第四电感部通过第一孔导体和第五孔导体实现并联。第四电感器的第五电感部和第六电感部通过第一孔导体和第六孔导体实现并联。
[0017]作为上述方案的进一步改进，第一电感器、第二电感器、第三电感器和第四电感器均采用四分之一波长耦合线。
[0018]作为上述方案的进一步改进，第一电感器和第三电感器的绕向相同，第二电感器和第四电感器的绕向相同，且第一电感器和第二电感器的绕向相反。
[0019]作为上述方案的进一步改进，基体采用陶瓷基体，且陶瓷基体的介电常数为6～10，介质损耗因子tanα≤0.005。
[0020]与现有技术相比，本技术公开的技术方案具有如下有益效果：
[0021]该叠层片式巴伦的第二电感器和第四电感器均包括两个电感部并联而成，有效地増大耦合量，不需要增大偶模阻抗，使得该巴伦结构具有插入损耗小、幅度和相位特性优良的特点，解决了现有的巴伦结构不适用于特高频的技术问题，提高了相对带宽。
附图说明
[0022]图1为本技术实施例中提供的叠层片式巴伦的外部结构示意图；
[0023]图2为图1中叠层片式巴伦的透视结构示意图；
[0024]图3为图2中叠层片式巴伦的侧面示意图；
[0025]图4为本技术实施例提供的叠层片式巴伦的S参数图；
[0026]图5为本技术实施例提供的叠层片式巴伦的相位参数图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]需要说明的是，当组件被称为“安装于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设
置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。当一个组件被认为是“固定于”另一个组件，它可以是直接固定在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。
[0029]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“或/及”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0030]请参阅图1至图3，本实施例提供一种适用于特高频频段的叠层片式巴伦，包括：基体，以及由基体内部的屏蔽模块和电感器模块所构成的层叠体2，还可以包括第一孔导体410、第二孔导体420、第三孔导体430、第四孔导体440、第五孔导体450以及第六孔导体460。
[0031]基体可以采用外形呈长方体状的陶瓷基体，且陶瓷基体的介电常数为6～10，介质损耗因子tanα≤0.005。基体的上表面设置有不平衡信号端口101、第一平衡信号端口102以及第二平衡信号端口103，还可以设置有第一接地端口104、第二接地端口105、Nc端口106以及顶部标识3。其中，Nc端口106可以用于协助巴伦焊接在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于特高频频段的叠层片式巴伦，其特征在于，包括：基体，其上表面设置有不平衡信号端口、第一平衡信号端口以及第二平衡信号端口；以及层叠体，其设置在基体内部；所述层叠体包括呈层叠结构的屏蔽模块和电感器模块；所述屏蔽模块由下至上依次包括三层屏蔽层：第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层，由此在基体内部形成相互独立的上屏蔽区和下屏蔽区；所述电感器模块由下至上依次包括四个电感器：第四电感器、第二电感器、第一电感器和第三电感器；其中，所述第一电感器和所述第三电感器设置在所述上屏蔽区，所述第二电感器和所述第四电感器设置在所述下屏蔽区；其中，第一电感器包括第一电感部，且所述不平衡信号端口、所述第一电感部和所述第二屏蔽层串联；第二电感器包括第二电感部，且所述第二屏蔽层、所述第二电感部和所述第三屏蔽层串联；第三电感器包括并联的第三电感部和第四电感部，二者分别位于所述第一电感部的上、下方并同时与所述第一电感部耦合，且与所述第一平衡信号端口依次串联；第四电感器包括并联的第五电感部和第六电感部，二者分别位于所述第二电感部的上、下方并同时与所述第二电感部耦合，且与所述第二平衡信号端口依次串联。2.根据权利要求1所述的适用于特高频频段的叠层片式巴伦，其特征在于，所述基体的上表面还设置有第一接地端口和第二接地端口；其中，所述第一屏蔽层、所述第二屏蔽层和所述第三屏蔽层三者的两端分别沿一个长度方向延伸至所述基体的边缘，以分别与所述第一接地端口和所述第二接地端口电连接。3.根据权利要求2所述的适用于特高频频段的叠层片式巴伦，其特征在于，所述基体的上表面还设置有用于协助巴伦焊接在PCB上的Nc端口。4.根据权利要求3所述的适用于特高频频段的叠层片式巴伦，其特征在于，所述基体上设置有平行于所述长度方向的两条侧边；其中，所述不平衡信号端口、所述第一接地端口和所述第一平衡信号端口沿所述长度...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑纬宇，赵雨桐，朱俊文，
申请(专利权)人：人民华智通讯技术有限公司，
类型：新型
国别省市：