【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种获取缺陷形貌的方法。
技术介绍
1、扫描电子显微镜(scanning electron microscope，sem)的工作原理是依据电子与物质的相互作用，具体来说，利用聚焦的极细的高能电子束在晶圆上扫描，而激发出的二次电子和背散射电子等多样的物理信息，电子接收器对这些信息进行接收，后续在相关后台对接收的信息进行放大和呈像。
2、在半导体制造过程中，通过sem来分析确定缺陷的形貌特征，从而判断缺陷的来源或缺陷产生的原因，进而找到解决缺陷的方法。但是某些缺陷处于高深宽比的沟壑底部，使得sem机台不能清晰获得缺陷形貌信息，从而严重影响找到缺陷产生的原因。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种获取缺陷形貌图像的方法，用于解决现有的sem机台不能清晰地获得缺陷形貌信息的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种获取缺陷图像的方法，所述方法包括：
3、提供一半导体结构，且所...
【技术保护点】
1.一种获取缺陷图像的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的获取缺陷图像的方法，其特征在于，利用所述第一高能量电子束轰击所述缺陷目标时产生背散射电子、X射线及二次电子。
3.根据权利要求1所述的获取缺陷图像的方法，其特征在于，利用所述第二高能量电子束轰击所述背景时产生背散射电子、X射线及二次电子。
4.根据权利要求2或3所述的获取缺陷图像的方法，其特征在于，利用检测器对背散射电子、X射线及二次电子进行检测。
5.根据权利要求4所述的获取缺陷图像的方法，其特征在于，所述第一电子能量信息及所述第二电子能量...
【技术特征摘要】
1.一种获取缺陷图像的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的获取缺陷图像的方法，其特征在于，利用所述第一高能量电子束轰击所述缺陷目标时产生背散射电子、x射线及二次电子。
3.根据权利要求1所述的获取缺陷图像的方法，其特征在于，利用所述第二高能量电子束轰击所述背景时产生背散射电子、x射线及二次电子。
4.根据权利要求2或3所述的获取缺陷图像的方法，其特征在于，利用检测器对背散射电子、x射线及二次电子进行检测。
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：李秋，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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