具有防ＥＳＤ和ＥＯＳ的保护电路的半导体集成电路制造技术

本发明专利技术涉及一种具有防ＥＳＤ和ＥＯＳ的保护电路的半导体集成电路。半导体集成电路具有：内部电路，该内部电路具有被连接至连接端子的输入端子；保护电路，该保护电路向电源线放电被提供给连接端子的过电压。保护电路包括第一放电电路，该第一放电电路被连接至连接端子；第二放电电路，该第二放电电路被连接至连接端子并且向电源线放电过电压；以及过电压检测电路，该过电压检测电路检测流过第二放电电路的放电电流并且当检测到放电电流时生成过电压检测信号。当提供过电压检测信号时，使得第一放电电路不能放电过电压。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及包括被构造为保护内部电路避免高于内部电路的工作电压的过电压 的保护电路和内部电路的半导体集成电路。本专利技术还涉及保护半导体集成电路避免过电压的方法。
技术介绍
被施加给半导体集成电路的连接端子的过电压包括由静电放电(ESD)和由电过 应力(EOS)引起的过电压。ESD是其中在人体等等中充电的静电被施加给半导体集成电路的连接端子的现 象。如图14中所示，这使数安培的浪涌电流在例如1 P s或者更少的短时间段内流过半导 体集成电路。EOS是当半导体集成电路的接地与用于测试半导体集成电路的测试器的接地相分 离时发生的现象。例如，在半导体集成电路的电源电压的上升期间，如图15中所示，在例如 数微秒到数秒的相对长的时间段内10V到20V的电源电压被施加给半导体集成电路的连接端子。ESD由电荷的突然放电引起，并且其电压在比EOS的时间短的时间段内以类脉冲 的方式上升。EOS具有比ESD长的上升时间并且它的电压持续较长的时间段。半导体集成电路通常被装备有导通并且放电过电压的ESD保护器件。ESD保护器 件可以导通。那么，在数微秒到数秒内安培量级的电流流动并且可能损坏ESD保护器件。作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路，包括：内部电路，所述内部电路具有被连接至连接端子的输入端子；保护电路，所述保护电路向电源线放电被提供给所述连接端子的过电压，所述过电压高于所述内部电路的工作电压，所述保护电路包括：第一放电电路，所述第一放电电路被连接至所述连接端子；第二放电电路，所述第二放电电路被连接至所述连接端子并且向所述电源线放电所述过电压；以及过电压检测电路，所述过电压检测电路检测流过所述第二放电电路的放电电流并且当检测到所述放电电流时生成被提供给所述第一放电电路的过电压检测信号，其中当提供所述过电压检测信号时，使得当没有提供所述过电压检测信号时对所述过电压进行放电的所述第一放电电路不能放电所述过电压...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：平田元，
申请(专利权)人：川崎微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]