【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及降低msap工艺流程开缺缺陷，具体为一种降低msap工艺流程开缺缺陷。
技术介绍
1、随着电子类产品不断升级，pcb制程持续往精细化发展；小面积多功能的产品对生产工艺提出更高的要求；因为pcb在制作小面积多功能产品的要求下，线宽线距制作越来越细小，所以导致pcb在图形填孔电镀制作过程中粉尘(或杂物)粘附在线路上很容易造成线路开路缺口(开缺)的品质问题，本专利技术通过减少或者清除在图形填孔电镀制作过程中因粉尘(或者杂物)粘附在pcb板的线路上造成的开缺，从而达到提升产品品质。
2、制作pcb板时，线路容易出现品质异常(线路缺口)，镀铜缸的药水容易出现局部浓度不均匀现象，因粉尘杂物无法消除，粉尘杂物在铜缸中无规律运动或者静止，导致开缺不断上以及影响部分电镀均匀性，由于粉尘杂物无分送达溢流口过滤消除，所以为了确保产品良率，保养频率将会增加。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种msap工艺流程降低开缺的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种msap工艺流程降低开缺的方法，包括以下步骤：
3、s1：在浸酸缸运输至图形电镀铜缸中过程中，当pcb板在浸酸缸中提起，因pcb板提升产生了速度，而pcb板因速度从而使表面的压强变小，浸酸缸液位表面的杂物将快速走向压强小的地方，从而杂物粘附到pcb线路表面。
4、s2：图形填孔电镀设备的运作零部件会产生一定的磨损，因此就会在空气
5、s3：在图形填孔电镀的铜缸中，pcb板进入段底部增加喷淋底盘，用于清洁刚刚进入铜缸的板面(抵消pcb板下降时，因pcb板下降产生了表面线速度，伴随pcb板表面产生负压，粉尘杂物将随铜缸液位快速流动至板面上)，同时将铜缸进入位置增加溢流口，并且一连串的铜缸溢流挡板调整为高到底模式，让缸内的药水从高位流动到低位，从而将空气中掉落铜缸表面的粉尘从溢流口中带走，以达到减少pcb板面粘附粉尘而导致的线路缺口。
6、优选的，所述s3中铜缸入口缸底部增加底部喷淋，其作用在于去除因板的进入铜缸表面所产生的压强偏小，粉尘杂物迅速流动到板面的问题。
7、优选的，所述s3中铜缸入口位置增加溢流口，并且将一连串的铜缸溢流挡板调整为高到底模式。
8、优选的，所述s3中铜缸入口位置增加溢流口是为了pcb板进入铜缸时，铜缸底部的喷淋清洗了pcb板面，粉尘杂物将立刻进入溢流口流出去。
9、优选的，所述s3中铜缸溢流挡板调整为高到底模式，是为了解决阳极钛网的阻隔粉尘杂物流到溢流口，将所有粉尘杂物流动至铜缸末端溢流口(因为铜缸末端是没有阳极钛网的)。
10、优选的，所述由于液面呈现切斜设计，使铜缸的药水呈现了导向流动，粉尘杂物将随着药水的流动至溢流口消除，同时也有效的解决镀铜缸中药水浓度不均匀问题，使药水不在局部位置静止。
11、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
12、1.该msap工艺流程降低开缺的方法，制作pcb板时，有效解决了因图形填孔电镀引起的开路缺口，有效的解决了镀铜缸的药水浓度局部不均匀的问题。
13、2该msap工艺流程降低开缺的方法，避免了粉尘杂物粘附在钛网上，从而减少了电镀不均匀的问题，因粉尘杂物顺着药水流动达到溢流口，并且并过滤消除，所以减少了保养的频率。
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1.一种mSAP工艺流程降低开缺的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种mSAP工艺流程降低开缺的方法，其特征在于：所述S3中铜缸入口缸底部增加底部喷淋，其作用在于去除因板的进入铜缸表面所产生的压强偏小，粉尘杂物迅速流动到板面的问题。
3.根据权利要求2所述的一种mSAP工艺流程降低开缺的方法，其特征在于：所述S3中铜缸入口位置增加溢流口，并且将一连串的铜缸溢流挡板调整为高到底模式。
4.根据权利要求3所述的一种mSAP工艺流程降低开缺的方法，其特征在于：所述S3中铜缸入口位置增加溢流口是为了PCB板进入铜缸时，铜缸底部的喷淋清洗了PCB板面，粉尘杂物将立刻进入溢流口流出去。
5.根据权利要求4所述的一种mSAP工艺流程降低开缺的方法，其特征在于：所述S3中铜缸溢流挡板调整为高到底模式，是为了解决阳极钛网的阻隔粉尘杂物流到溢流口，将所有粉尘杂物流动至铜缸末端溢流口(因为铜缸末端是没有阳极钛网的)。
6.根据权利要求1所述的一种mSAP工艺流程降低开缺的方法，其特征在于：由于液面呈现切斜设计，使铜缸
...【技术特征摘要】
1.一种msap工艺流程降低开缺的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种msap工艺流程降低开缺的方法，其特征在于：所述s3中铜缸入口缸底部增加底部喷淋，其作用在于去除因板的进入铜缸表面所产生的压强偏小，粉尘杂物迅速流动到板面的问题。
3.根据权利要求2所述的一种msap工艺流程降低开缺的方法，其特征在于：所述s3中铜缸入口位置增加溢流口，并且将一连串的铜缸溢流挡板调整为高到底模式。
4.根据权利要求3所述的一种msap工艺流程降低开缺的方法，其特征在于：所述s3中铜缸入口位置增加溢流口是为了pc...
【专利技术属性】
技术研发人员：关俊轩，李想，许杏芳，张杰芳，
申请(专利权)人：广州美维电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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